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聚合物复合材料中的金属 - 有机框架纳米片... 软tick中的微生物群驱动疫苗 巨型量子电动力学对纳米化的单SIV颜色中心 薄片依赖性水通过氧化石墨烯膜传输以及饮用水中的地敏（GSM）和2-甲基异菌酚（MIB）的排斥 地上和地下生物多样性对全球草原生态系统功能具有互补的影响 材料化学 - 数字CSIC 中间区域作为生物多样性保护的缓冲区 目前关于食物蛋白和肽在中的调节作用的证据 持续释放抗菌化合物的药物洗脱伤口敷料 北半球阻止了当前气候模型中的模拟：评估从CMIP5到CMIP6的进展以及对分辨率的敏感性 可持续消防保护：用高级涂料技术减少碳足迹 2H -MOS2纳米片的共价交联 - 数字CSIC 直接偶极 - 偶极相互作用对强烈不均匀红外腔场中二维材料的光学响应的影响 蚂蚁菌落优化
在聚合矩阵中掺入二维纳米结构的复合材料具有多种技术（包括气体分离）的功能成分。前瞻性地，使用金属有机框架（MOF）作为多功能纳米燃料，将显着扩大功能范围。但是，事实证明，以独立纳米片的形式合成MOF是具有挑战性的。我们提出了一种自下而上的合成策略，用于可分散的铜1,4-苯二甲基甲酸MOF MOF薄片，层层层和纳米尺寸。将MOF纳米片掺入聚合物矩阵中赋予所得的复合材料，具有与CO2/CH4气体混合物的出色二氧化碳分离性能，以及与压力分离选择性的异常和高度期望的提高。通过层压板浓缩的离子束扫描电子显微镜揭示，与各向同性晶体相比，MOF纳米片对膜横截面的优越占用源于膜横截面，从而提高了分子歧视的效率，并消除了无可生度的持续性途径。这种方法为各种应用打开了超薄MOF - 聚合物复合材料的门。
对反周期资本缓冲区的定量分析
（a）ccyb：freq。危机↓达75％（前ANTE），通过“ CCYB释放”政策（c）CCYB防止2008年的危机（但随后的经济衰退）（d）在均衡中不需要干预措施，可能会降低危机的严重性（b）危机严重程度（c）的严重程度。
低社区剥夺缓冲区针对海马...
©2023作者，根据美国老化协会的独家许可。保留所有狂欢。该文章的此版本已被接受，在同行评审后被接受，并受到Springer Nature AM使用条款的约束，但不是记录的版本，也不反映后接受后的改进或任何更正。记录版本可在线获得：http：//dx.doi.org/10.1007/s11357-023-00780-y。
保护，保存和恢复湿地和缓冲区
•与其他生态系统相比，湿地可以吸收和隔离数量的每单位面积碳，将大部分存储在沉积物中，而不是营养生物量中。估计表明，马萨诸塞州的湿地储存每英亩土壤有机碳是森林的六倍（EEA，2022年）。由于湿地长期保持缺氧条件，因此它们可以继续隔离碳数千年，从而产生厚厚的有机物层。相反，当湿地排干或降解土壤时，可能会发生快速的土壤碳丢失，并且在几十年内可以释放大量花费了几个世纪或千年的温室气体。虽然湿地沉积物中长期碳埋葬能力的估计值高度可变，但研究（McLeod等，2011）提出了以下速率：
当前基于镜像的IV转换器带有输出缓冲区
简介在2017年早些时候，我们在Uthaim线程中讨论了当前传送带放大器如何也可以用作IV转换器[1]。Uthaim利用了东芝JFET输入对，偏向于8mA。这些JFET当然很难获得。自然的问题是，我们如何用BJT替换JFET。偶然地遇到了Toshiyuki Beppu [2，2a]的1999年跨阻力IV电路。虽然这本质上是一个OPAMP IV电路，但输入阶段使用电流镜的原理显示了互补BJT对的简单偏置电路。也有John Broskie [2B]在2012年发表的类似巡回赛。而不是根据BEPPU使用第二电流放大阶段，然后用NFB关闭环路，而是只能将Uthaim的其余部分用于IV转换，包括输出缓冲区。当然，IV转换器不需要像Uthaim中的强大输出缓冲区。一个简单的A类BJT发射极追随者足以驱动下游阶段的典型载荷。整个电路由不超过3对互补电流镜，还有10个电阻组成。在Internet上进行了一些进一步的搜索，揭示了与上述[3,4]的非常相似的电路。实际上，我们在2011年也发表了类似的内容[5]。正如Jan Didden所说，您可以将其视为开放循环和A类简化的AD844（或平行的8倍）。那么，为什么现在要恢复呢？当时，JFET含量丰富，几乎没有HFE的单片双BJT可供选择（2SC3381BL / 2SA1349BL）。今天的情况是完全逆转的，并且像Nexen这样的SMD组件建立小型IV模块的想法相当吸引人[6]。Rutgers的确报告了相对较差（模拟）的性能，即使在低输出水平为0.25V的情况下，H3也为0.04％。尽管他选择的晶体管具有很低的电容，但HFE也很低（〜80）。通过选择高HFE（〜400）的Toshiba SMD低噪声双晶体管，我们的模拟
基于纠错码的片上网络缓冲区保护优化
集成电路制造的最新技术需要一种通信架构，例如片上网络 (NoC)。NoC 缓冲器易受多单元翻转 (MCU) 的影响。此外，随着技术的缩小，MCU 的概率也会增加。因此，在 NoC 缓冲器中应用纠错码 (ECC) 可能成为解决可靠性问题的一种方法，尽管这会增加设计成本并需要具有更高存储容量的缓冲器。这项工作评估了两种 NoC 缓冲器数据排列模型，这些模型受三种类型的 ECC 保护，可保护存储信息，并与其他解决方案相比减少面积使用和功耗。我们通过将模型应用于三种类型的 ECC 并测量缓冲区面积、功率开销和错误覆盖率来评估容错 NoC 缓冲区方案的性能。实验结果表明，使用优化模型可保持 MCU 的可靠性，同时分别减少约 25% 和 30% 的面积消耗和功耗。
