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简介在2017年早些时候，我们在Uthaim线程中讨论了当前传送带放大器如何也可以用作IV转换器[1]。Uthaim利用了东芝JFET输入对，偏向于8mA。这些JFET当然很难获得。自然的问题是，我们如何用BJT替换JFET。偶然地遇到了Toshiyuki Beppu [2，2a]的1999年跨阻力IV电路。虽然这本质上是一个OPAMP IV电路，但输入阶段使用电流镜的原理显示了互补BJT对的简单偏置电路。也有John Broskie [2B]在2012年发表的类似巡回赛。而不是根据BEPPU使用第二电流放大阶段，然后用NFB关闭环路，而是只能将Uthaim的其余部分用于IV转换，包括输出缓冲区。当然，IV转换器不需要像Uthaim中的强大输出缓冲区。一个简单的A类BJT发射极追随者足以驱动下游阶段的典型载荷。整个电路由不超过3对互补电流镜，还有10个电阻组成。在Internet上进行了一些进一步的搜索，揭示了与上述[3,4]的非常相似的电路。实际上，我们在2011年也发表了类似的内容[5]。正如Jan Didden所说，您可以将其视为开放循环和A类简化的AD844（或平行的8倍）。那么，为什么现在要恢复呢？当时，JFET含量丰富，几乎没有HFE的单片双BJT可供选择（2SC3381BL / 2SA1349BL）。今天的情况是完全逆转的，并且像Nexen这样的SMD组件建立小型IV模块的想法相当吸引人[6]。Rutgers的确报告了相对较差（模拟）的性能，即使在低输出水平为0.25V的情况下，H3也为0.04％。尽管他选择的晶体管具有很低的电容，但HFE也很低（〜80）。通过选择高HFE（〜400）的Toshiba SMD低噪声双晶体管，我们的模拟
当前基于镜像的IV转换器带有输出缓冲区
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