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摘要：审查了基于NBO 2的记忆，能量产生和存储薄膜设备的当前研究方面。溅射等离子体包含NBO，NBO 2和NBO 3簇，影响NBO 2的NU锻炼和生长，通常会导致纳米棒和纳米固定剂的形成。nbo 2（i4 1 /a）在1081 K到金红石（p4 2 /mnm）处进行莫特拓扑转变，从而产生电子结构的变化，这主要在回忆录中使用。Seebeck系数是控制热电设备性能的关键物理参数，但其温度行为仍然存在争议。尽管如此，它们在900 K以上的表现有效。由于尚未达到理论能力，因此有很大的潜力可以证明NBO 2电池，这可以通过未来的扩散研究来解决。功能材料的热管理，包括热应力，热疲劳和热休克，即使可能导致失败，也经常被忽略。NBO 2表现出相对较低的热膨胀和高弹性模量。NBO 2薄膜设备的未来看起来很有希望，但是需要解决一些问题，例如属性对应变和晶粒尺寸的依赖性，具有点和扩展缺陷的多个接口，以及与各种自然和人造环境相互作用，可以实现多功能应用和耐用性能。
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