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电可擦除EEPROM存储单元的结构设计
EEPROM是一种电可擦写可编程存储器，技术成熟稳定，成本低廉，是日常生活中电子产品应用中的主流，人们使用它的场合非常多，在个人身份证、银行卡、医保卡、交通卡等与个人财产密切相关的智能卡领域，以及在通讯系统和PDA、数码相机等消费电子产品领域，都使用到EEPROM。在仪器仪表和其他嵌入式系统中，如智能流量计，通常需要保存设置参数、现场数据等信息，这就要求系统掉电时不丢失，以便下次能恢复原来设置的数据，因此需要一定容量的EEPROM。通过存储单元的浮栅管上电子的存储或释放，读出浮栅管时，存储器呈现导通或截止状态，因此会判断其逻辑值为“0”或“1”。逻辑“0”或“1”的定义根据产品的逻辑设计而有所不同。本工作设计了一个由两个晶体管组成的存储单元，NMOS管作为选择管，由字线控制，可以承受一部分高压，降低浮栅晶体管超薄氧化层被击穿的概率。本文设计的EEPROM器件模型作为存储管，可以很好地通过隧道氧化层来存储数据，实现更好的存储功能、更高的工作效率和更低的功耗。
背外侧前额皮质经颅磁刺激可增加后 θ 波节律并减少运动想象的延迟
摘要：实验表明，在运动想象 (MI) 任务中，左背外侧前额叶皮层 (DLPFC) 被激活，但其功能作用需要进一步研究。在这里，我们通过对左侧 DLPFC 施加重复经颅磁刺激 (rTMS) 并评估其对大脑活动和 MI 反应潜伏期的影响来解决这个问题。这是一项随机、假对照的 EEG 研究。参与者被随机分配接受假刺激 (15 名受试者) 或真实高频 rTMS (15 名受试者)。我们进行了 EEG 传感器级、源级和连接分析，以评估 rTMS 的影响。我们发现，对左侧 DLPFC 的兴奋性刺激通过它们之间的功能连接增加了右侧楔前叶 (PrecuneusR) 的 θ 波段功率。楔前叶 θ 波段功率与 MI 反应的潜伏期呈负相关，因此 rTMS 加快了 50% 参与者的反应。我们假设后部 θ 波段功率反映了感觉处理的注意力调节；因此，高功率可能表示注意力处理并导致更快的反应。
同时进行经颅电刺激和磁刺激可增强背外侧前额皮质的伽马振荡
对每个 TMS-EEG 记录位点进行包含受试者内因素“tACS”（γ、θ、假）和“时间”（T0、T1、T2）的方差分析。皮质振荡分析按以下步骤进行。我们首先评估基线（T0）的伽马振荡的频率和功率。为了测试 iTBS + tACS 方案是否可能导致伽马波段在振荡功率方面发生任何变化，我们使用了包含受试者内因素“tACS”（γ、θ、假）和“时间”（T0、T1、T2）的重复测量方差分析。然后我们专注于单个频率变化分析；我们计算了单个频率峰值（整个振荡频谱中表达最多的频率），并且与伽马波段功率分析相同，我们使用了重复测量方差分析，其中受试者内因素“tACS”（γ、θ、假）和“时间”（T0、T1、T2）来评估波段表达的变化。对于
改变了母体免疫激活的非人类灵长类动物的背外侧前额叶前额叶皮层的改变
怀孕期间感染病毒或细菌感染的女性患有神经发育或精神疾病的儿童的风险增加。母体免疫反应可能介导了母体感染的作用，因为临床前动物模型已经证实，母体免疫激活（MIA）会导致后代大脑和行为发展的持久变化。本研究试图确定头三个月期间的MIA暴露于背外侧前额叶皮层（DLPFC）（DLPFC）中的神经元形态和从MIA暴露和对照的男性rheSus Monkey（Macaca Mulatta）获得的脑组织中的脑组织。相对于对照组，在DLPFC上和上层中，Div> MIA暴露的后代显示了在DLPFC上和上层中锥体细胞中的神经元树突分支增加，在第一和第二学期暴露于孕产妇感染的后代之间没有显着差异。此外，与对照相对于对照的MIA阳离子后代，DLPFC额叶层中根尖树突的直径显着降低，而与三个月暴露不利。相比之下，暴露于MIA的后代的海马神经元形态的改变并不明显。这些发现表明母体免疫
催化光降解结合微藻斜生栅藻去除水中四环素及藻类光合作用和转录的响应
降解液中的抗生素四环素 (TC) 及其降解产物 (TDPs) 存在严重的环境问题，例如损害人体健康和降低生态风险，因此需要进一步处理后才能排入水环境，此外，它们对微藻的环境影响尚不清楚。本研究采用水钠锰矿光催化和紫外照射降解 TC，随后利用微藻 Scenedesmus obliquus 进行生物净化。此外，还检测了微藻的光合活性和转录以评估 TC 和 TDPs 的毒性。结果表明，光催化降解 30 min 后效率达到 92.7%，检测到 11 种中间产物。微藻在 8 d 后就达到了较高的 TC 去除率 (99.7%)。降解的TC溶液（D）处理下的S. obliquus生物量显著低于纯TC（T）（p < 0.05），且T处理下的S. obliquus恢复力优于D处理。不同处理的转录组分析显示，差异基因表达主要涉及光合作用、核糖体、翻译和肽代谢过程。光合作用相关基因的上调和叶绿体基因的差异表达可能是S. obliquus在暴露于TC和TDPs时获得高光合效率和生长恢复的重要原因。本研究为采用催化降解和微藻净化相结合的方式去除TC提供了参考，也有助于认识TDPs在自然水环境中的环境风险。
优化板级可靠性测试板的边界条件，以最大限度提高热循环和随机振动下球栅阵列焊点的疲劳寿命
摘要：为提高热循环和随机振动条件下焊点疲劳可靠性，对板级可靠性（BLR）试验板的螺丝孔位置进行研究。建立BLR试验板的有限元模型，推导了热循环和随机振动条件下影响焊点疲劳寿命的主要参数塑性应变能密度和1-sigma应力。通过灵敏度分析，分析了螺丝孔位置与疲劳寿命主要参数之间的相关性。通过多目标优化，确定了热循环和随机振动条件下焊点疲劳寿命最大的螺丝孔位置。与初始螺丝孔位置的BLR试验板相比，优化螺丝孔位置后的BLR试验板在热循环和随机振动条件下的疲劳寿命明显提高。
采用低成本 0.5 µM D-MODE 的单电源 0.1-3.5 GHZ 低噪声放大器设计
宽带（多倍频程）LNA 采用各种架构设计，包括分布式（行波）、平衡和电阻反馈配置 [9]。电阻反馈被广泛用于实现多种 LNA 性能（工作频率范围、噪声系数、增益、增益平坦度、线性度、VSWR、功耗）之间的权衡 [9, 10]。在基于电阻反馈的可能配置中，共源共栅 LNA 不仅可以在其工作频带上提供平坦的增益和功率，还可以在同一频带内提供平坦的线性度和更高的输出阻抗（更好的宽带潜力）[11]。因此，本文介绍了基于电阻反馈配置和自偏置技术的单正电源共源共栅 LNA。
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。