机构名称：
¥ 1.0
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
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