摘要:伤口感染常见于手术和创伤后,但很难诊断,而且客观临床参数定义不明确。伤口中的细菌与感染相关的假设是错误的;所有伤口都含有微生物,但并非所有伤口都受到临床感染。这使得临床医生很难确定真正的伤口感染,尤其是对于有致病生物膜的伤口。如果感染未得到适当治疗,致病毒力因子(如铜绿假单胞菌中的鼠李糖脂)会调节宿主的免疫反应并导致组织破坏。如果微生物深入宿主组织,则会导致危及生命的脓毒症。本文介绍了针对伤口中常见的五种重要临床微生物病原体的传感器开发:金黄色葡萄球菌、铜绿假单胞菌、白色念珠菌/耳念珠菌和粪肠球菌(SPaCE 病原体)。传感器包含封装自淬灭荧光染料的脂质体。SPaCE 感染病原体在早期感染伤口中表达的毒素会分解脂质体,触发染料释放,从而使传感器颜色从黄色变为绿色,这表明感染。五种临床细菌和真菌,每种多达 20 种菌株(共计 83 种),在猪烧伤离体伤口中生长为早期生物膜。然后擦拭生物膜,并将拭子放入脂质体悬浮液中。对猪伤口生物膜中选定病原体的种群密度进行了量化,并与比色反应相关联。超过 88% 的拭子打开了传感器(10 7 − 10 8 CFU/拭子)。一项初步临床研究表明,传感器开启与早期伤口感染之间存在良好的相关性。关键词:细菌感染、即时护理、伤口、生物膜、感染检测、脂质体、荧光染料
抽象过渡金属二甲化合物(TMD)分层半导体在光子,电子,光电和传感器设备的设计中具有巨大的潜力。然而,从近红外(NIR)到短波长红外(SWIR)的TMD的子频率光吸收不足以超出带隙极限。在此,我们报告说,MOS 2 /AU异质结构的子频率光响应可以通过所采用的电极制造方法进行牢固调节。我们在MOS 2 /AU异质结构中观察到多达60%的亚带gap吸收,其中包括杂交界面,其中通过溅射沉积应用了AU层。sub-Bandgap光的吸收大大增强是由于MOS 2和AU形成的平面腔。因此,可以通过改变MOS 2层的厚度来调整吸收光谱。在SWIR波长范围内的光电流增加,由于吸收增加而增加,这意味着可以从可见到SWIR的宽波长检测。我们还以1550 nm的激发波长达到了快速的光响应(〜150 µs)和高响应性(17 mA W -1)。我们的发现展示了一种使用金属电极工程的光学性质调制方法,并在宽带2D材料中实现SWIR光电进行。
合计 71 16 16 17 11 9 2 本系最低毕业学分为 130 学分 Minimum Credits(130 credits) must be completed 全校共同 24 学分、专业必修 71 学分、自由选修 2 学分、专业选修(必选) 18 学分、其他非通识专业 自由选修 15 学分(限理工相关课程且程式语言课程仅可认列一门) 24 credits University Core Curriculum 、 71 credits Major Required Courses 、 2 credits from chosen elective courses 、 18 credits Professional Electives (Required) 、 15 credits from optional non-general education courses in fields required by the major (Limited to STEM-related courses and only one programming language course can be counted)
该系统可执行复杂的点胶模式,点胶线的宽度不同,液滴大小和速度可即时改变。它在一秒钟内可以点胶数百次,并且每滴点胶的重复精度非常高,粘度可达 8,000 mPas。
DBT HRD项目管理部门(PMU)于2024年9月30日至2024年10月2日召集了选拔委员会会议,供DBT RA计划根据F.Y.2024-25授予印度政府生物技术系DBT研究协会(DBT-RA)计划。 根据演讲和访谈期间的表现,候选人名单的名单由选拔委员会编写。 入围名单的候选人必须在颁发颁发信之日起30天内加入东道国机构。 候选人必须在加入该机构的10天内完成DBT RA Portal(https://ra.dbtindia.gov.in)的加入手续。 根据DBT RA计划入围的候选人应有资格在申请表中提到的托管大学/机构奖学金。 应在一周内(仅通过电子邮件)向所有入围的研究员发出奖励信。 有关更多信息,请访问https://ra.dbtindia.gov.in;或者,通过ra.dbt@rcb.res.in给我们写信。 候选名单和候补名单的清单分别放置在附件I和II。2024-25授予印度政府生物技术系DBT研究协会(DBT-RA)计划。根据演讲和访谈期间的表现,候选人名单的名单由选拔委员会编写。入围名单的候选人必须在颁发颁发信之日起30天内加入东道国机构。候选人必须在加入该机构的10天内完成DBT RA Portal(https://ra.dbtindia.gov.in)的加入手续。根据DBT RA计划入围的候选人应有资格在申请表中提到的托管大学/机构奖学金。应在一周内(仅通过电子邮件)向所有入围的研究员发出奖励信。有关更多信息,请访问https://ra.dbtindia.gov.in;或者,通过ra.dbt@rcb.res.in给我们写信。候选名单和候补名单的清单分别放置在附件I和II。
声子的探测对于研究共振耦合的磁振子与声子的相互转化至关重要。本文我们报道了通过微聚焦布里渊光散射在 Ni/LiNbO 3 混合异质结构上直接可视化磁振子和声子的共振耦合。表面声子的静态图样源于入射波 𝜓 0 (𝐴 0 , 𝒌, 𝜑 0 ) 与反射波 𝜓 1 (𝐴 1 , −𝒌, 𝜑 1 ) 之间的干涉,由于磁振子-声子耦合,磁场可以调制表面声子的静态图样。通过分析从布里渊光谱中获得的声子信息,可以确定磁振子系统(Ni 薄膜)的性质,例如铁磁共振场和共振线宽。该结果提供了关于耦合磁振子-声子系统中声子操控和检测的空间分辨信息。