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添加层等离子体过程Alp²（我们的添加层等离子体过程）已开发出来，以进一步提高我们的能力，以产生近乎净形成分，并进一步降低购买比率和CO 2排放。专注于合金TI-6AL-4V，可以通过使用板作为底物和高电流弧质量源来实现相当高的沉积速率，可以在工作区尺寸的2 x 1 x±0.25 m中逐层构建结构。全球氩屏蔽和最新数据采集使我们能够达到所需的过程稳定性。
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