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World File Search System脉冲激光
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
X O4薄膜通过脉冲激光沉积
水性Zn-Ion电池（Azibs）代表了锂后系统中一种安全可持续的技术，尽管对阴极处的物质行为的不良理解阻止了Effi Cient Azibs的全面发展。Znmn 2 O 4（ZMO）被认为是锂离子电池的良好确定的Limn 2 O 4阴极的阴极候选者之一，但是在水性环境中锌离子存在的情况下，其电化学机制尚不清楚并且仍在辩论。在这项工作中，我们通过脉冲激光沉积（PLD）合成了纳米结构的ZMO薄膜，并通过微渗透，光谱和衍射技术进行了广泛的表征，评估了膜的特性和退火条件如何影响膜的特性。自给自足的性质和对纳米级的高度控制性使薄膜成为研究水溶液中材料的电化学的理想模型系统，并强调膜性能对其电化学反应的影响。我们强调了氧气在膜孔隙率调节中的关键作用，以及沉积压力和退火温度的综合作用，以产生具有量身定制特性的膜在形态，结晶度和Zn stoichiimetry方面。报道了一种复杂的氧化还原机制，涉及多种并发反应和氢氧化锌硫酸锌水合物（ZHS）的形成，以及膜孔隙率对膜以较高扫描速率的伏安行为的影响。我们的结果证实了ZMO材料的复杂电化学机制，它不仅涉及Zn 2 +插入/提取/提取，而且还涉及Mn 2 +从电解质中的关键参与，并为工程ZMO基的纳米级设计铺平了道路。
比较由重离子，聚焦X射线和脉冲激光诱导的电荷产生
许多研究表明，脉冲激光器和聚焦X射线以类似于重离子的方式产生SEE的能力，同时提供了设备内电荷产生的精致空间和时间控制[9-11]。三种测试方法的电荷产生曲线在轴向和径向尺寸中有所不同。重离子通常在大多数设备尺寸的相关距离上沿轴向方向具有线性电荷产生曲线，其特征是线性能传递（LET）。典型的集中飞秒脉冲激光系统使用光学器件，可产生由高斯两光子吸收（TPA）描述的电荷产生曲线[5，12-15]。我们注意到，最近，美国已经开发了一种光学配置。海军研究实验室（NRL），该实验室使用准贝斯梁来产生扩展的电荷产生曲线[16]，这在这项工作中未评估。使用聚焦的皮秒脉冲X射线的新兴技术产生了由Beer定律描述的电荷产生曲线，并随着穿透深度而呈指数降低[17]。这些
可扩展的脉冲激光沉积钙钛矿太阳能电池的透明后电极
脉冲激光沉积（PLD）是一种具有复杂化学计量的薄膜，在成功制造高温超级导管（HTS）以薄膜形式的高温制造后，它引起了很大的研究注意。[1]从那时起，PLD主要用于与晶格匹配底物上多元化合物氧化物外延生长有关的应用，但尚未在光伏（PV）社区中进行探索。尽管在2000年代初通过PLD制造了高度导电的TCO，并通过PLD制造，并在OLEDS [2,3]中成功实现，但关于PV设备中PLD生长的触点的应用仍然很少。文献报道包括用于CIGS [4]的掺杂的ZnO膜和有机的太阳能电池和金属氧化物传输层用于卤化物钙钛矿太阳能电池。[6]此外，已经提出了PLD用于硫化葡萄糖剂吸收剂[7,8]，最近，对于卤化物钙钛矿吸收剂层。[9,10]
使用脉冲激光探索TAAS Weyl半准薄膜的生长条件
taas是第一个实验发现的Weyl半分材料，由于其高载流子迁移率，高各向异性，非磁性特性以及与光的强烈相互作用，引起了很多关注。这些使其成为研究量子计算，热电设备和光电检测中Weyl Fermions和应用的理想候选者。迫切需要进行进一步的基本物理研究和潜在的应用，大尺寸和高质量的TAAS漏洞。然而，由于AS在生长过程中的挥发，生长出色的taas纤维很难。为了解决这个问题，我们尝试使用脉冲激光沉积（PLD）使用具有不同AS化学计量比的靶标在不同底物上生长TAAS漏洞。在这项工作中，我们发现在生长过程中，部分作为GAAS底物的离子可能会扩散到TAAS纤维中，这是由结构表征，表面地形和组成分析最初确认的。结果，提高了TAAS纤维中的AS含量，并实现了TAAS相。我们的工作提出了一种使用PLD制造TAAS漏洞的有效方法，从而使Weyl SemimetalFim可以用于功能设备。
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
钙钛矿太阳能电池透明背电极的可扩展脉冲激光沉积
脉冲激光沉积 (PLD) 是一种成熟的复杂化学计量薄膜沉积技术，在成功制造薄膜形式的高温超导体 (HTS) 后引起了广泛的研究关注。[1] 从那时起，PLD 主要用于在晶格匹配基板上外延生长多种复合氧化物的应用，但在光伏 (PV) 领域尚未得到探索。尽管在 21 世纪初，高导电性的 In 基 TCO 已通过 PLD 制造并成功用作 OLED 的前触点 [2,3]，但关于 PLD 生长触点在 PV 设备中的应用的报道仍然很少。文献报道包括用于 CIGS [4] 和有机 [5] 太阳能电池的掺杂 ZnO 薄膜以及用于卤化物钙钛矿太阳能电池的金属氧化物传输层。 [6] 此外，PLD 已被提议用于硫族化物吸收层的制造 [7,8]，最近又用于卤化物钙钛矿吸收层。[9,10]
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
通过脉冲激光沉积在石墨烯上的远程外氧化物远程外观上的生长动力学控制
电力电子转化和存储系统主席，电力电子和电气驱动器研究所（ISEA），RWTH Aachen University，Rwth Aachen University，Campus-Boulevard 89，52074 Aachen，Germany B Demany b，B B衰老中心，可靠性，可靠性和终身预测，用于电化学和电力系统（CARL），RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN 720德国电池技术中心，电气工程研究所，Karlsruhe技术研究所（KIT），Hermann-Von-Helmholtz-Platz-1，76344 Eggenstein-Leopoldshafen，德国德国Delmhony d Helmholtz D Helmholtz IntstituteMünster：sostitute sostute stoctute in Comport of Compotical in Compory（Hi MS）德国E发电与存储系统研究所（PGS），E.ON能源研究中心（E.On ERC），RWTH亚历山大学，Mathieustrasse 10，52074 Aachen，德国Aachen，德国F尤里希·亚奇研究联盟，贾拉能源