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通知和免责声明的加速器的可用性因SKU而异。访问英特尔产品规格页面以获取其他产品详细信息。性能因使用，配置和其他因素而异。在www.intel.com/performanceIndex上了解更多信息。性能结果基于配置中显示的日期的测试，并且可能无法反映所有公开可用的更新。有关配置详细信息，请参见配置披露。没有绝对安全的产品或组件。英特尔不控制或审核第三方数据。您应该咨询其他来源以评估准确性。您的成本和结果可能会有所不同。Intel Technologies可能需要启用硬件，软件或服务激活。您不得使用或促进与本文所述的Intel产品有关的任何侵权或其他法律分析的使用。您同意授予Intel非判有非特许权使用权限的许可，此后起草的任何专利索赔，其中包括此处披露的主题。所描述的产品可能包含设计缺陷或称为Errata的错误，可能导致产品偏离已发布的规格。可应要求提供当前特征的Errrata。©Intel Corporation。英特尔，英特尔徽标和其他英特尔商标是英特尔公司或其子公司的商标。其他名称和品牌可能被称为他人的财产。
GEC 2024 – 第三次公告
GEC 在提供交流思想和报道低温等离子体科学和技术研究的场所方面处于领先地位。重点领域是等离子体源科学、诊断、建模、等离子体化学、基本现象以及原子和分子碰撞过程。GEC 经常走在报道等离子体技术新兴领域的最前沿，包括微电子、推进、生物技术、等离子体医学、多相等离子体、环境应用和大气压等离子体系统。2024 年 Will Allis 奖演讲将由美国休斯顿大学 William A. Brookshire 化学和生物分子工程系的 Vincent Donnelly 发表。他的演讲题为“在不同寻常的地方寻找等离子体诊断技术”。Will Allis 电离气体研究奖是 GEC 社区的一个重要奖项。感谢英特尔公司、泛林集团和美光科技公司的慷慨捐助，APS 现在每年都会颁发威尔·阿利斯电离气体研究奖。奖项提名截止日期为 2024 年 6 月 3 日星期一。详情可在威尔·阿利斯奖网站上找到。2024 年 GEC 将邀请等离子体科学和技术以及原子和分子碰撞领域的领军人物发表演讲。受邀演讲者的完整名单可在 www.apsgec.org/gec2024/invited_speakers.php 上找到。除其他主题外，这些受邀演讲者还将讨论：
设计大会 2021
Brice Achkir* ，杰出工程师/高级工程师。思科系统总监 Joseph Aday*，洛克希德马丁公司高级技术人员 Maria Agoston*，泰克公司首席工程师 Ravinder Ajmani，西部数据公司电子设计工程技术专家 John Andresakis，杜邦公司技术营销主管 Yianni Antoniades，温彻斯特互联公司高级电气工程师 Bruce Archambeault，已退休 Pervez Aziz*，英伟达公司高级首席工程师 Seungyong (Brian) Baek，苹果公司 SI 架构师 Nitin Bhagwath，西门子旗下 Mentor Graphics 首席技术产品经理 Rula Bakleh*，Graphcore 首席 SI/PI 工程师 Heidi Barnes*，是德科技 SI/PI 应用工程师 Josiah Bartlett，泰克公司 ASIC 和技术组织首席工程师 Dale Becker，IBM 杰出工程师 Wendem Beyene*，英特尔公司可编程硬件工程首席工程师/经理Luis Boluna，是德科技高级应用工程师 David Brunker，Molex 技术研究员 Robert Carter*，Oak-Mitsui Technologies 技术与业务开发副总裁 Chris Cheng*，HP Enterprise 杰出技术专家 David Choe，Cadence 首席应用工程师 Antonio Ciccomancini Scogna*，Western Digital 信号完整性和 EMC 技术专家 Tom Cohen，Amphenol 首席工程师
通过机密计算加速 AI 推理
声明和免责声明 1. 在搭载英特尔 SGX 和英特尔 AMX 的第四代至强可扩展处理器上运行 TensorFlow ResNet50 推理工作负载时，性能提升高达 7.57 倍。请参阅下面的配置详细信息。 2. 在搭载英特尔 SGX 和英特尔 AMX 的第四代至强可扩展处理器上运行 Bert-Large 推理工作负载时，性能提升高达 5.26 倍。请参阅下面的配置详细信息。 3. 与上一代相比，在搭载英特尔 SGX 和英特尔 AMX 的第四代英特尔至强可扩展处理器上以 INT8 精度运行 Bert-Large 推理工作负载时，性能提升高达 4.61 倍。请参阅下面的配置详细信息。 4. 在配备英特尔 SGX 和英特尔 AMX 而非 FP32 的第四代英特尔至强可扩展处理器上运行 TensorFlow ResNet50 推理工作负载时，INT8 精度下的性能提升高达 8.02 倍，BF16 精度下的性能提升高达 4.30 倍。请参阅下面的配置详细信息。5. 在配备英特尔 SGX 和英特尔 AMX 而非 FP32 的第四代英特尔至强可扩展处理器上运行 Bert-Large 推理工作负载时，INT8 精度下的性能提升高达 5.46 倍，BF16 精度下的性能提升高达 4.17 倍。请参阅下面的配置详细信息。配置详细信息测试 1：截至 2022 年 11 月 21 日，英特尔进行测试。1 节点、2x 英特尔® 至强® 铂金 8380 CPU @ 2.30GHz、40 个内核、超线程关闭、睿频开启、总内存 512 GB（16x32GB DDR4 3200 MT/s [运行速度为 3200 MT/s]）、BIOS 版本 SE5C6200.86B.0022.D64.2105220049、ucode 版本 0xd000375、操作系统版本 Ubuntu 22.04.1 LTS、内核版本 6.0.6-060006-generic、工作负载/基准使用 Fortanix 在安全区域内进行深度学习推理、框架版本 TensorFlow 2.11、模型名称和版本ResNet50v1.5/Bert-Large TEST-2：截至 2022 年 11 月 21 日，英特尔进行测试。1 节点、2x 英特尔® 至强® 铂金 8480+ CPU @ 2.0GHz、56 核、超线程关闭、睿频开启、总内存 512 GB（16x32GB DDR5 4800 MT/s [运行于 4800 MT/s]）、BIOS 版本 3A05、ucode 版本 0x2b000070、操作系统版本 Ubuntu 22.04.1 LTS、内核版本 6.0.6-060006-generic、工作负载/基准使用 Fortanix 在安全区域中进行深度学习推理、框架版本 TensorFlow 2.11、模型名称和版本 ResNet50v1.5/Bert-Large 性能因使用情况、配置和其他因素而异。欲了解更多信息，请访问性能指数网站。性能结果基于截至配置中所示日期的测试，可能无法反映所有公开可用的更新。有关配置详细信息，请参阅备份。没有任何产品或组件能够绝对安全。您的成本和结果可能会有所不同。英特尔技术可能需要启用硬件、软件或激活服务。© 英特尔公司。英特尔、英特尔徽标和其他英特尔标志是英特尔公司或其子公司的商标。其他名称和品牌可能是其他财产。
基于二氧化铪和二氧化锆的铁电材料和器件的发展路线图
1 米尼奥大学和波尔图大学物理中心 (CF-UM-UP)，米尼奥大学，Campus de Gualtar，4710-057 Braga，葡萄牙 2 材料和新兴技术物理实验室，LapMET，米尼奥大学，4710-057 Braga，葡萄牙 3 NaMLab gGmbH，Noethnitzer Str. 64a，01187 德累斯顿，德国 4 Components Research，英特尔公司，Hillsboro，OR，97124 美国 5 SPEC，CEA，CNRS，U niv ersit ´ e Paris-Saclay，CEA Saclay，91191 Gif-sur-Yvette，法国 6 IBM Research Zurich，S ¨ aumerstrasse 4，8803 Ru ¨ sc hlik on 瑞士 7 电气与信息技术，隆德大学，Box 118，隆德，22 100 瑞典 8 NanoLund，隆德大学，Box 118，隆德，22 100 瑞典 9 材料科学与工程系和校际半导体研究中心，首尔国立大学工程学院，首尔，08826 韩国 10 罗格斯新兴材料中心和物理与天文系，新泽西州皮斯卡塔韦08854，美国 11 三星先进技术学院 (SAIT) 设备研究中心，水原，16678 大韩民国 12 格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CEA，LETI，F-38000 格勒诺布尔，法国 13 Helmholtz-Zentrum Berlin fu ě r Materialien und Energie，Hahn-Meitner-Platz 1，Berlin 14109，德国 14国家科学研究中心 DEMOKRITOS, 15341, 雅典, 希腊
Eric Pop，斯坦福大学 2025 年 1 月更新
• 兼职教授，电气与计算机工程 2013 – 2015 • 副教授，电气与计算机工程（终身教授）2012 – 2013 • 贝克曼研究所附属和兼职教师 2008 – 2013 • 助理教授，电气与计算机工程 2007 – 2012 英特尔公司、斯坦福大学高级工程师和客座研究员2005 – 2007 斯坦福大学，博士后研究员，化学与热科学 2005 斯坦福大学，KZSU 90.1 FM 电台 DJ 兼总经理 2000 – 2004 选定的荣誉 2023 斯坦福工程学院 Pease-Ye 教授 2023 普渡大学 Viskanta 奖学金 2022 APS 研究员 2021 英特尔杰出研究员奖 2021 IEEE 研究员 2018 科睿唯安 (Web of Science) 高被引研究员 2017,13-09 IEEE Electron Device Letters 黄金审稿人名单 2016 爱思唯尔电气工程领域被引用次数最多的研究人员名单 2016-20 斯坦福大学钱伯斯教职学者 2015,11 IEEE Transactions on Electron Devices 黄金审稿人名单 2014 Okawa 基金会奖 2013 斯坦福大学 Terman 教职研究员2013,11,10 工程委员会杰出咨询奖，UIUC 2012 校园杰出推广奖，UIUC 2011 杰出演讲奖，E\PCOS 研讨会 2011 施乐教师研究奖，UIUC 2011 IEEE 高级会员 2011 高等研究中心 (CAS) 奖学金，UIUC
2023 年 4 月 23 日至 26 日美国德克萨斯州圣安东尼奥 www.ieee-...
技术程序委员会 模拟电路和技术 主席：Antonio Liscidini，多伦多大学 联合主席：Edoardo Bonizzoni，帕维亚大学 委员会成员：Mark Oude Alink，特温特大学 Devrim Aksin，ADI Ping-Hsuan Hsieh，国立清华大学 Hiroki Ishikuro，庆应义塾大学 Mahdi Kashmiri，元数据转换器 主席：Seung-Tak Ryu，韩国科学技术研究院 联合主席：Lukas Kull，思科系统 委员会成员：Vanessa Chen，卡内基梅隆大学 Chia-Hung Chen，国立交通大学 Jin-Tae Kim，建国大学，韩国 Martin Kinyua，台积电 Shaolan Li，佐治亚理工学院 Qiang Li，电子科技大学 Yong Liu，博通 Zhichao Tan，浙江大学 Filip Tavernier，天主教鲁汶大学 Haiyang (Henry) Zhu，ADI 数字电路、SoC、和系统主席：Gregory Chen，英特尔公司联合主席：Saad Bin Nasir，高通委员会成员：Behnam Amelifard，高通Elnaz Ansari，谷歌Ningyuan Cao，圣母大学Jie Gu，西北大学Monodeep Kar，IBMWin-San (Vince) Khwa，台积电Bongjin Kim，加州大学圣巴巴拉分校Alicia Klinefelter，nVidiaYoonmyung Lee，成均馆大学Yingyan (Celine) Lin，佐治亚理工学院Yongpan Liu，清华大学Divya Prasad，AMDElkim Roa，格罗方德半导体Visvesh Sathe，佐治亚理工学院Shreyas Sen，普渡大学WeiWei Shan，东南大学，南京
程序 - kaconf.com
Murthy Renduchintala 是一位全球技术高管和董事会成员，拥有 30 多年领导高性能全球组织的经验，这些组织在无线通信、大规模计算、人工智能和半导体领域提供了变革性的技术解决方案。2015 年 11 月至 2020 年 8 月，Murthy 担任英特尔公司首席工程官，同时还担任英特尔技术、制造和系统架构集团总裁。Murthy 在数字技术领域拥有深厚的专业知识，其职业生涯的大部分时间都在片上系统、移动和物联网领域度过，并在大型跨国公司担任过各种技术和高级管理职位。在 2015 年加入英特尔之前，Murthy 曾担任高通技术公司执行副总裁和高通 CDMA 技术公司联席总裁，领导计算和移动领域的半导体业务。2004 年，他从 Skyworks Solutions 加入高通，担任蜂窝系统部门副总裁兼总经理。在加入 Skyworks 之前，他在飞利浦电子公司工作了十年，后来成为该公司消费者通信业务的工程副总裁。 Murthy 拥有英国布拉德福德大学电气工程学士学位、工商管理硕士学位和数字通信博士学位。2019 年，他的母校因其在科学和技术方面的贡献授予他技术荣誉博士学位，并于 2022 年任命他为名誉教授。他目前担任埃森哲公司董事会成员，以及加州大学圣地亚哥分校雅各布斯工程学院和加州大学伯克利分校冯氏研究所的顾问委员会成员。
当选研究员将于 2023 年 11 月 1 日起生效 工程科
当选院士将于 2023 年 11 月 1 日起生效 工程科 -I（土木工程） 1. TG Sitharam 教授，全印度技术教育委员会 (AICTE) 主席，新德里。 2. Indumathi M Nambi 教授，印度理工学院马德拉斯分校土木工程系环境工程教授，钦奈。 3. Deepankar Choudhury 教授，印度理工学院孟买分校土木工程系主任、T. Kant 教授讲座教授 (HAG)，工程科 -II（计算机工程和信息技术） 4. Balaraman Ravindran 教授，计算机科学与工程系教授兼罗伯特博世数据科学与人工智能中心主任；印度理工学院马德拉斯分校，钦奈。 5. Utpal Garain 教授，印度统计研究所教授，加尔各答。 6. Sudeshna Sarkar 教授，印度理工学院 Kharagpur 分校计算机科学与工程系兼人工智能卓越中心教授。7. Madhava Krishna Krishnan 教授，海得拉巴国际信息技术学院机器人研究中心教授兼主任。8. Sreenivas Subramoney 先生，英特尔院士、英特尔公司处理器架构总监，班加罗尔。9. Ajai Chowdhry 先生，HCL 创始人、EPIC 基金会主席。10. Rajendra Singh Pawar 先生，NIIT 集团董事长兼联合创始人。11. Satya Narayana Nadella 先生，微软董事长兼首席执行官。工程部分 -III（机械工程） 12. Dilip Kumar Pratihar 教授，印度理工学院 Kharagpur 分校机械工程系学院院长教授 13. Kanakasabapathi Subramanian 博士，钦奈 Ashok Leyland Ltd. 产品开发高级副总裁。 14. Jaiteerth Raghavendra Joshi 博士，海得拉巴国防研究与发展实验室 (DRDL) 杰出科学家兼 LRSAM 项目主任 15. Nagahanumaiah 博士，班加罗尔中央制造技术学院主任。
ESSCC 2021 Advance Program
Live Q&A - February 13, 7:00am PST T1: Fundamentals of RF and mm-Wave Power-Amplifier Designs Hua Wang, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA This tutorial presents an overview of RF and mm-wave power-amplifier (PA) designs in silicon, focusing on the design fundamentals.首先，该教程介绍了PA性能指标及其对无线系统的影响。接下来，它介绍了PA主动电路和被动网络的设计基础知识。教程讨论了流行的PA类，例如A类，AB，B/C，E，F/F-1和J.最后，教程以几个RF和MM-Wave PA设计示例结束。Hua Wang是佐治亚理工学院电气和计算机工程学院的副教授，佐治亚理工学院电子和微型系统（GEMS）实验室主任。在此之前，他曾在英特尔公司和Skyworks解决方案工作。他获得了硕士学位和Ph.D.分别于2007年和2009年获得加利福尼亚理工学院的电气工程学位。Wang博士对用于无线通信，传感和生物电子应用应用的创新类似物，混合信号，RF和MM波集成电路和混合系统感兴趣。他撰写或合着了170多个同行评审的日记和会议论文。Wang博士于2020年获得DARPA董事奖学金奖，2018年的DARPA年轻教职奖，2015年的NSF职业奖，2015年的高通教师奖和IEEE MTT-S-S-S-S杰出年轻工程师奖，2017年。。Wang博士于2020年获得DARPA董事奖学金奖，2018年的DARPA年轻教职奖，2015年的NSF职业奖，2015年的高通教师奖和IEEE MTT-S-S-S-S杰出年轻工程师奖，2017年。他的GEMS研究小组赢得了多个学术奖和最佳纸质奖项，包括2019年Marconi Society Paul Baran Young Scholar，IEEE RFIC最佳学生论文奖（2014、2016和2018），IEEE CICC杰出学生纸质奖学金（2015、2018和2019），IEEE CICC最佳会议奖奖（2017年）。