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下一代微电子的先进计量技术
2024 年 5 月 28 日上午 10:30 至中午 12:00，在科罗拉多州丹佛市举办了“下一代微电子计量技术发展中的挑战和机遇”特别会议，作为 2024 年 IEEE 第 74 届电子元件和技术会议的一部分。会议由 NIST 的 Ran Tao 和宾汉姆顿大学的 Benson Chan 共同主持，TechSearch International 的 Jan Vardaman 主持了小组讨论。五位杰出演讲者，CHIPS for America 的 Paul Hale、英特尔公司的 Gaurang Choksi、台积电的 Zhihua Zou、ASE 集团的 CP Hung 和 KLA 公司的 Chet Lenox，分享了他们对当今半导体行业在供应链各个环节面临的计量挑战和机遇的看法和见解。会议以每位小组成员的单独演讲开始，随后是主持小组讨论和互动问答环节。
电子设备制造基础
Parasuraman Swaminathan 教授是印度理工学院马德拉斯分校冶金与材料工程系 (MME) 的教授。他于 2013 年加入该学院。他拥有印度理工学院马德拉斯分校的冶金与材料工程学士和硕士双学位，以及美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的材料科学博士学位。随后，他在约翰霍普金斯大学和美国国家标准与技术研究所 (NIST) 从事微电子器件制造方面的博士后研究。他还在英特尔公司工作了两年，主要在其开发工厂工作。他的研究小组称为电子材料和薄膜小组，他们从事印刷电子和薄膜沉积领域的工作。他的研究页面可在 https://mme.iitm.ac.in/swamnthn 上访问。Parasuraman 博士自 2016 年以来一直提供这门在线课程。他已经出版了一本关于这个主题的教科书。
立足过去，展望未来
一般成员 Frank E. Abboud，英特尔公司 Uwe FW Behringer，UBC Microelectronics Ingo Bork，西门子 EDA Tom Cecil，Synopsys 公司 Brian Cha，Entegris 韩国 Aki Fujimura，D2S 公司 Emily Gallagher，imec Jon Haines，美光科技公司 Koji Ichimura，大日本印刷株式会社 Bryan Kasprowicz，HOYA Romain J Lallement，IBM 研究 Khalid Makhamreh，应用材料公司 Kent Nakagawa，Toppan Photomasks 公司 Patrick Naulleau，EUV Tech 公司 Jan Hendrik Peters，bmbg consult Steven Renwick，尼康 Douglas J. Resnick，佳能纳米技术公司 Thomas Scheruebl，卡尔蔡司 SMT GmbH Ray Shi，KLA 公司 Thomas Struck，英飞凌科技股份公司 Anthony Vacca，自动视觉检测 Andy Wall，HOYA Michael Watt， Shin-Etsu MicroSi Inc. Larry Zurbrick，是德科技公司
英特尔定制代工厂宣布赞助 MOSIS MPW
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS（金属氧化物半导体实施服务），提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务，使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作，通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品，国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成，那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。
工业咨询委员会 (IAC) 会议总结
咨询委员会成员： Michael Splinter，主席，MRS 商业和技术顾问普通合伙人 Susan Feindt，副主席，Analog Devices Inc. 研究员 James Ang 太平洋西北国家实验室 Daniel Armbrust Silicon Catalyst Susie Armstrong 高通 Ahmad Reza Shaikh Bahai 德州仪器 William Chappell 微软 Michael Fritze 波托马克政策研究所 Charles Gray 福特汽车公司 Carol Handwerker 普渡大学 Dierdre Hanford Synopsys Raj Jammy MITRE Ingenuity Kenneth Joyce Brewer Science Ann Kelleher 英特尔公司 Mukesh Khare IBM Meredith LaBeau Calumet Electronics Tsu-Jae King Liu 加州大学伯克利分校 Omkaram Nalamasu 应用材料公司 Debo Olaosebikan 开普勒计算公司 Alexander Oscilowski iTEL 美国技术中心 Willy Chao-Wei Shih 哈佛商学院 Brandon Tucker 沃什特瑙社区学院 Hon-Sum Philip Wong 斯坦福大学 Anthony Yen ASML
工业咨询委员会 (IAC) 会议总结
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llmware以成本释放了英特尔AI PC的功能...
1顶部：所有顶部都是“最佳”，并且大约在定义的最终IP频率之前，具有不同频率和功率目标的不同SKU将具有不同的顶部。没有绝对安全的产品或组件。英特尔不控制或审核第三方数据。您应该咨询其他来源以评估准确性。您的成本和结果可能会有所不同。Intel Technologies可能需要启用硬件，软件或服务激活。您不得使用或促进与本文所述的Intel产品有关的任何侵权或其他法律分析的使用。您同意授予Intel非判有非特许权使用权限的许可，此后起草的任何专利索赔，其中包括此处披露的主题。所描述的产品可能包含设计缺陷或称为Errata的错误，可能导致产品偏离已发布的规格。可应要求提供当前特征的Errrata。©Intel Corporation。英特尔，英特尔徽标和其他英特尔商标是英特尔公司或其子公司的商标。其他名称和品牌可能被称为他人的财产。0125/DC/网格/PDF 361151-001US
电场控制磁振子与量子自旋缺陷之间的相互作用
1 普渡大学电气与计算机工程学院，美国印第安纳州西拉斐特 47906 2 普渡大学 Birck 纳米技术中心，美国印第安纳州西拉斐特 47906 3 伊利诺伊大学香槟分校电气与计算机工程系，美国伊利诺伊州厄巴纳 60801 4 伊利诺伊大学香槟分校 Nick Holonyak, Jr. 微纳米技术实验室，美国伊利诺伊州厄巴纳 61801 5 普渡大学物理与天文系，美国印第安纳州西拉斐特 47906 6 英特尔公司组件研究部，美国俄勒冈州希尔斯伯勒 97124 7 普渡大学普渡量子科学与工程研究所 (PQSEI)，美国印第安纳州西拉斐特 47906 8 奥胡斯物理与天文研究所和 Villum 混合量子材料与器件中心大学，8000 奥胡斯-C，丹麦 9 东北大学 WPI-AIMR 国际材料科学研究中心，仙台 980-8577，日本 10 量子科学中心 (QSC)，美国能源部 (DOE) 国家量子信息科学研究中心，橡树岭国家实验室，美国田纳西州橡树岭 37831
ED473131.pdf - ERIC - 美国教育部
标题 教师国家教育技术标准：为教师使用技术做好准备。机构 国际教育技术协会，俄勒冈州尤金 赞助机构 教育部，华盛顿特区。ISBN ISBN-1-56484-173-1 出版日期 2002-00-00 注释 373p。；本文件的出版由 PBS TeacherLine 承销，这是一项由美国教育部资助的拨款。由 Apple、加州州立大学圣马科斯分校、英特尔公司、NASA 未来教室和国家教师教育认证委员会共同开发。可从以下机构购买：国际教育技术协会 (ISTE)，480 Charnelton St., Eugene, OR 97401-2626（ISTE 会员 44.95 美元；非会员 49.95 美元）。电话：800-336-5191（免费）；传真：541- 302 -3778；电子邮件：books@iste.org；网站：http://www.iste.org。出版类型 书籍 (010) 文集 通用 (020) 指南 课堂教师 (052) EDRS 价格 EDRS 价格 MF01/PC15 加邮费。描述 *教育技术；中小学教育；教师发展；教学设计；*国家标准；高等教育； *教师能力；教师教育；*技术素养；*技术整合；*技术在教育中的应用