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dell EMC Unity：快照和薄克隆
本出版物中的信息“原样”提供了。戴尔公司（Dell Inc.本出版物中描述的任何软件的使用，复制和分发都需要适用的软件许可。本文档可能包含某些与戴尔当前语言指南不符的单词。Dell计划在随后的未来发布中更新文档，以相应地修改这些单词。本文档可能包含来自第三方内容的语言，这些语言不受戴尔的控制，并且与戴尔当前有关戴尔自己内容的准则不一致。当相关第三方更新此类第三方内容时，将相应修订本文档。版权所有©2016-2021 Dell Inc.或其子公司。保留所有权利。Dell Technologies，Dell，EMC，Dell EMC和其他商标是Dell Inc.或其子公司的商标。其他商标可能是其各自所有者的商标。[6/21/2021] [技术白皮书] [H15089.7]
09,13薄锌薄膜的光谱与铜 div>
透明导电金属氧化物已成为研究的主题，这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物，氧化锌，氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力，可作为功能性气体传感器组件，表面声设备，透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值（〜3。3 eV在室温下）和激子结合能（约60 meV）允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用，例如，通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下，铜合金添加剂更有效，因为铜是半导体中迅速扩散的杂质，它会导致结晶结构和物理性能的修改，例如，表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息，这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂（ZnO：Cu）薄膜的光光谱的行为。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
薄列列聚合物网络的山脊能量
抽象将平滑等距沉浸式列表聚合物网络的薄板的弹性自由能最小化是主流理论所声称的策略。在本文中，我们拓宽了可允许的自发变形类别：我们考虑脊层浸入式浸入，这可能会导致浸入浸入的表面尖锐的山脊。我们提出了一个模型，以计算沿此类山脊分布的额外能量。这种能量来自弯曲；在什么情况下，它显示出与薄板的厚度四相缩放，落在拉伸和弯曲能量之间。，我们通过研究磁盘的自发变形，将径向刺猬的自发变形置于测试中。我们预测了外部试剂（例如热量和照明）在材料中诱导的材料诱导的顺序程度而发展的褶皱数量。
薄金属基材上的多层磁场发射器 div>
这项工作的目的是确定从材料接触中创建多层阴极的可能性，其在薄金属基板上的不同输出的不同输出，以及在微型流中，在电子流的交叉部分中形成密集的胶带和环的实际使用，但高电量设备。方法。gafnii层（𝑒3〜3。5 eV）和铂（𝑒3〜5。3 eV）分别使用相当简单且操作的Magnetron喷涂方法顺序将10 nm和2 nm依次应用于金属箔底物的侧面。阴极由箔制成，并用多层涂层在电子束的横截面中形成胶带和环。在三极管电子光学系统中产生了多层阴极发行特性及其形成的光束的实验测量，其中包括控制电极（阳极）和选举收集器的阴极以Pharanda圆柱体的形式进行。测量是在技术真空10-7的条件下进行的。。。10-8 Torr。 结果。 实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。 测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。 结论。 。 。10-8 Torr。结果。实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。结论。。。在本文中，在电子流的薄金属基板上使用多层天主管在电子流的薄金属基板上进行了形成，并在高达300的田间发射场的横截面中，电流的横截面最大为几米，平均水平极大。400 A/cm 2。在选择技术真空中选择大型田间发射时，研究的阴极稳定运行的可能性。
薄型和矩形芯片粘合拾取机制...
芯片贴装是集成电路 (IC) 封装工艺中最关键的工艺之一。过去几年，芯片厚度越薄，漏源导通电阻 RDS(on) 越小，顶部金属和焊盘之间的硅电阻越低，散热性能越好，堆叠封装厚度越薄，重量越轻，这些要求就越高。这种三维技术代表了封装创新的下一波浪潮，并将在未来几年内实现大幅增长 (Ibrahim 等人，2007 年)。这些趋势对现有的电子封装技术（主要是芯片拾取工艺）提出了相当大的挑战。必须特别注意处理更薄芯片的工艺，以确保半导体产品的可靠性和质量 (Huiqiang 等人，2015 年；Carine 等人，2014 年)。
薄和脂肪尾羊的定量和定性特征
摘要。这项研究旨在确定薄和脂肪尾羊的定量和定性特征。该研究从2023年8月开始，直到2023年12月在Blora Regency Blora City District的Jepangrejo村的Pt Juara Agroniaga Sejahtera开始。这项研究中使用的材料是39只薄尾绵羊和1-2岁的脂肪尾绵羊。定量数据为身体高度（BH），身体长度（BL），胸部周长（CC），体重（BW）和定性数据的变量是皮毛色和角。数据。这项研究的结果表明，在DET和DEG中，体重（BH），身体长度（BL），胸围（CC）之间的相关性分别为0.62、0.71、0.71、0.72、0.27、0.69、0.69、0.65。这项研究的结果表明，在DET和DEG中，体重（BH），体长（BL），胸围（CC）之间的回归为BW = -14.03 + 0.71 BH； BW = -15.45 + 0.74 bl; BW = -21.95 + 0.65 cc，BW = 8.69 + 0.33 bh; BW = -6.76±0.59 bl; BW = -19.43±0.65 cc。这项研究的结果表明，DET的主要羊毛颜色模式为单个白色，74.36％白色，15.38％的黑色和5.13％的棕色和DEG是单个白色，67.86％白色，14.29％黑色和7.14％的棕色。det为2.56％，喇叭，而没有喇叭的97.44％为100％，没有喇叭。
原子较薄的谐振器中动态增强的应变
石墨烯和相关的二维（2D）材料相关的机械，电子，光学和语音性能。因此，对于将其基本激发（激发子，声子）与宏观机械模式搭配的混合系统来说，2D材料是有希望的。与较大的架构相比，这些内置系统可能会产生增强的应变介导的耦合，例如，包括一个与纳米机械谐振器耦合的单个量子发射极。在这里，使用微拉曼光谱法对原始的单层石墨烯鼓上的鼓，我们证明了石墨烯的宏观膨胀振动诱导动力学光学声子软化。这种软化是动态诱导的拉伸应变的明确填充物，在强的非线性驾驶下达到了≈4×10-4的值。这种非线性增强的应变超过了具有相同根平方（RMS）幅度的谐波振动预测的值，多个数量级。我们的工作对2D材料和相关异质结构中光 - 物质相互作用的动态应变工程和动态应变介导的控制有望。
薄级别的堕落的四波混合产生 -
芯片效果非线性功能有助于升级Photonic集成电路的实用程序和性能，尤其是对于广泛的经典和量子应用，例如可调的相干辐射，诸如光学频率转换，光谱，光谱，量子科学等。在这里，我们在具有高质量（Q〜10 6）因子的绝缘子（LTOI）微型风险上制造了Z -Cut锂锂。。分析了严格的模式相匹配条件和整个三波混合过程的第二个谐波效率。我们的工作表明，具有较高Q因子及其高光损伤阈值和宽透明度范围的LTOI微孔子可以支持各种芯片上光学非线性过程，这将其预示其在综合非线性光子学中的应用潜力。