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支撑架机翼和箱形翼配置。未来...
翼梁，肋骨和字符串也是由支柱支撑的版本。的差异在于一个事实，即通过张力吸收一部分载荷（如果存在高翼的配置，如图2所示）或压缩（如果是低翼构造）。这意味着机翼的结构可以更轻，甚至可能在相同数量的质量方面更大[1]。这意味着在结构上更轻，更长，更薄的翅膀具有较高的细长度，从而提高了空气动力学效率或L/D比。此外，提高的效率将意味着飞机还需要减少燃料，从而减轻重量。，尽管这种配置也有一些缺点，因为支撑杆本身也增加了飞机的质量，并增加了飞机湿润的表面，从而增加了其寄生虫的阻力。也必须注意干扰和添加的结构复杂性，并且这种配置可能导致的空气弹性问题[2]。对于短途飞机来说，这种设计特别有趣，其中更具空气动力的机翼可以提供更高的攀爬速度和更滑的CD（连续下降）。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
高翼宣传册副本 - 新西兰 Sling Aircraft
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用于监视和物体跟踪的飞翼无人机
飞翼无人机的开发是一个反复的过程，其中考虑和分析了各个领域。飞翼无人机的机身采用 3D 打印，以便快速制作原型和重新配置，以便在短时间内测试不同的有效载荷配置。机翼和翼梢小翼由高密度泡沫制成，以保持重量并提供足够的耐用性（图 72）。初始翼型测试首先在 xflr5 软件（第 4 章：翼型选择）中利用计算流体动力学 (CFD) 进行，然后在 Solidworks（第 5 章：翼型分析）中进一步分析。经过分析，选择 Eppler 344 作为根翼型，Eppler 325 作为翼梢翼型。翼梢小翼是 GOE 330 翼型。利用 Solid Works 中的 CFD（第 8 章：最终飞机设计）对最终模型进行了分析，发现足以满足要求。通过在肯尼索州立大学亚音速风洞中测试比例模型（第 10 章：风洞测试），确认了 CFD 结果。这些测试的结果证实了通过 CFD 获得的结果。
绿翼印度在制造中的SAF革命
ICAO批准了11种技术途径，另外11条正在评估中。其中，水力加工的酯和脂肪酸（HEFA）途径是最成熟的技术途径。酒精到喷气（ATJ）和Fischer Tropsch是另外两个有前途和新兴的途径。Power-to-liquid（PTL）是最后的关键技术途径，并产生合成SAF。每个途径都有多个原料选项，并提供不同程度的生物燃料产量，SAF输出和允许的混合百分比。但是，在印度背景下，ATJ将是不久的将来的技术途径。首先，可以探索1G乙醇以进行SAF生产。随后，对于更高的混合授权，由于农业残留物的可用性和严格的法规，2G乙醇将是首选的路线。其他原料，例如工业废物/离气，Sweer高粱和海藻也可以进一步推动ATJ的动力，因为这些可能是乙醇生产的替代原料。
六翼天使太空科技风险投资指数
我们使用各种不同的数据源来编制我们的投资追踪数据。这包括来自我们的交易流程和网络的专有、场外信息、交易数据库（例如 Crunchbase）、行业新闻来源（例如 SpaceNews 和 Techrunch）以及公司自己的公开声明。我们仅包括以公平交易为基础投资的第三方资本，因此不包括 Jeff Bezos 等人可能在自己的太空计划中进行的个人投资。
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
薄列列聚合物网络的山脊能量
抽象将平滑等距沉浸式列表聚合物网络的薄板的弹性自由能最小化是主流理论所声称的策略。在本文中，我们拓宽了可允许的自发变形类别：我们考虑脊层浸入式浸入，这可能会导致浸入浸入的表面尖锐的山脊。我们提出了一个模型，以计算沿此类山脊分布的额外能量。这种能量来自弯曲；在什么情况下，它显示出与薄板的厚度四相缩放，落在拉伸和弯曲能量之间。，我们通过研究磁盘的自发变形，将径向刺猬的自发变形置于测试中。我们预测了外部试剂（例如热量和照明）在材料中诱导的材料诱导的顺序程度而发展的褶皱数量。
薄金属基材上的多层磁场发射器 div>
这项工作的目的是确定从材料接触中创建多层阴极的可能性，其在薄金属基板上的不同输出的不同输出，以及在微型流中，在电子流的交叉部分中形成密集的胶带和环的实际使用，但高电量设备。方法。gafnii层（𝑒3〜3。5 eV）和铂（𝑒3〜5。3 eV）分别使用相当简单且操作的Magnetron喷涂方法顺序将10 nm和2 nm依次应用于金属箔底物的侧面。阴极由箔制成，并用多层涂层在电子束的横截面中形成胶带和环。在三极管电子光学系统中产生了多层阴极发行特性及其形成的光束的实验测量，其中包括控制电极（阳极）和选举收集器的阴极以Pharanda圆柱体的形式进行。测量是在技术真空10-7的条件下进行的。。。10-8 Torr。 结果。 实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。 测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。 结论。 。 。10-8 Torr。结果。实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。结论。。。在本文中，在电子流的薄金属基板上使用多层天主管在电子流的薄金属基板上进行了形成，并在高达300的田间发射场的横截面中，电流的横截面最大为几米，平均水平极大。400 A/cm 2。在选择技术真空中选择大型田间发射时，研究的阴极稳定运行的可能性。
薄型和矩形芯片粘合拾取机制...
芯片贴装是集成电路 (IC) 封装工艺中最关键的工艺之一。过去几年，芯片厚度越薄，漏源导通电阻 RDS(on) 越小，顶部金属和焊盘之间的硅电阻越低，散热性能越好，堆叠封装厚度越薄，重量越轻，这些要求就越高。这种三维技术代表了封装创新的下一波浪潮，并将在未来几年内实现大幅增长 (Ibrahim 等人，2007 年)。这些趋势对现有的电子封装技术（主要是芯片拾取工艺）提出了相当大的挑战。必须特别注意处理更薄芯片的工艺，以确保半导体产品的可靠性和质量 (Huiqiang 等人，2015 年；Carine 等人，2014 年)。