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优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
电子束光刻中的局部剂量分布和轮廓变化。
摘要 为了将利用电子束光刻技术制作的抗蚀剂图案应用于纳米压印模具，不仅需要考虑从曝光顶面二维观察到的线宽和孔径，还需要考虑包括抗蚀剂横截面形状在内的三维情况。在本研究中，我们关注图案内部的剂量分布和显影时间，并研究它们对抗蚀剂横截面形状的影响。采用曝光方法制作线宽为 100nm 的抗蚀剂图案，其中一条线内的总剂量相同，但一条线内的电子束扫描位置和次数会发生变化。通过电子散射模拟分析的剂量分布与解析后的图案侧壁形状之间的比较结果表明，在特定条件下，剂量分布和实际的抗蚀剂形状在 ±5nm 精度内相互一致。结果表明，即使整个图案的平均剂量相同，抗蚀剂侧壁的实际形状也会因取决于扫描位置和扫描次数的抗蚀剂中的局部剂量分布而改变。此外，我们通过观察不同显影时间下曝光后的抗蚀剂的显影过程，研究了抗蚀剂的分辨机理。结果表明，图案内部剂量的差异引起的显影速度差异对抗蚀剂的截面形状产生影响。本研究结果表明，抗蚀剂内部剂量分布和由此引起的显影速度差异对抗蚀剂截面形状有显著影响，这些参数有望在未来应用于所需截面形状的制作。
E 241 调查论文：文献中关于抗蚀剂回流的经验和分析研究的总结
因此，给定最终宽度和曲率半径 R，就可以预先确定所需光刻胶的高度。该模型假设光刻胶和基板之间的临界接触角没有影响，并为近似回流光刻胶形状提供了一个起点。参考文献 2 将临界角作为次要约束，并发现对于 S1818 光刻胶，其对回流温度（120 到 170°C 之间）的依赖性大约为 y = -0.2431x + 48.344。参考文献 3（配套论文）研究了 3 种描述光刻胶形状的分析模型。模型 A 使用 Sheridan 等人提出的 4 阶多项式模型；这与模型 B（“总和模型”）和模型 C（“乘积”模型）进行了比较，后两者均使用 4 阶多项式来捕捉与球形概念的偏差。使用边界条件计算系数，包括：面积、中心高度、边缘=0 和临界角。
B.Tech（ECE）第 6 学期第 3 单元 VLSI 技术（BEC-35）
4. “硬抗蚀剂”（抗蚀剂的化学惰性部分）应与基底或 PR 下面的层牢固结合。5. “软抗蚀剂”（PR 的化学活性部分）应易于从晶圆表面去除。
蚀变制图的主成分分析* - ASPRS
摘要：减少主成分分析 (PCA) 输入的图像波段数量可确保某些材料不会被映射，并增加其他材料被明确映射到其中一个主成分图像中的可能性。在干旱地形中，如果只有一个输入波段来自可见光谱，则四个 TM 波段的 PCA 将避免氧化铁，从而更可靠地检测含羟基矿物。如果仅使用其中一个 S m 波段，则用于氧化铁映射的 Pw\ 将避免羟基。然后可以创建一个简单的主成分彩色合成图像，其中羟基、羟基加氧化铁和氧化铁的异常浓度在红绿蓝 (RGB) 颜色空间中明亮地显示。该合成允许对蚀变类型和强度进行定性推断，可以广泛应用。
电化学腐蚀和点蚀 - 现场和实验室研究
两次研讨会。电偶腐蚀和点蚀，分别于 1974 年 10 月 22-23 日在密歇根州底特律举行的 1974 年材料工程大会上提出。研讨会由美国材料与试验协会金属腐蚀委员会 G-1 实验室腐蚀试验小组委员会 GO 1.05 和电偶腐蚀小组委员会 GO 1.07 赞助。通用汽车公司的 L. C. Rowe 担任研讨会主席，通用汽车公司的 W. D. France, Jr. 担任点蚀研讨会联合主席。在电偶腐蚀研讨会上，洛克希德导弹与航天公司的 J. F. Rynewicz 担任研讨会主席，德州仪器的 Robert Baboian 担任研讨会联合主席。
结合热扫描探针光刻和干法...
图 1：灰度 t-SPL 与干法蚀刻的组合。电介质中灰度纳米图案放大工艺流程的横截面说明。（a）在薄电介质膜（在我们的例子中为 SiO 2 或 Si 3 N 4 ）上旋涂热敏抗蚀剂 PPA。（b）使用加热的纳米尖端在薄 PPA 层上制造二元和灰度纳米结构（有关纳米尖端的详细信息，请参阅补充图 S2）。（c）将纳米结构从 PPA 转移到 SiO 2 或 Si 3 N 4 。（d）通过深度放大将写入 PPA 中的纳米结构完全转移到电介质膜中。垂直峰峰深度放大（∆ z 电介质/∆ z 抗蚀剂）是由 CHF 3 /SF 6 等离子体中抗蚀剂和基板之间的蚀刻速率差异造成的。图像未按比例绘制。
NRC 员工介绍 – 高压泥浆烧蚀
第 1 节 - 技术描述、分阶段许可方法 第 2 节 - 授权用户：RSO、ARSO、RST、AU 第 3 节 - 放射性物质 - 许可内容 第 4 节 - 许可活动 第 5 节 - 辐射防护计划 第 6 节 - 剂量评估 第 7 节 - 财务保障 第 8 节 - 拟议许可条件