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CU键合技术：用例和前景
Table of Contents Overview of Wafer Level 3-D ICs.- Monolithic 3-D Integrated Circuits.- Stacked CMOS Technologies.- Wafer Bonding Technologies and Strategies for 3-D ICs.- Through Silicon Via Fabrication, Backgrind, and Handle Wafer Technologies.- Cu Wafer Bonding for 3-D ICs Applications.- Cu/Sn Solid-Liquid Interdiffusion Bonding.- An SOI-Based 3-D电路集成技术。-3-D制造高性能CMOS技术的选择。-基于介电粘合键的3-D集成。-直接混合键合。-3-D内存。-3-D集成的电路体系结构。-3-D ICS的热挑战。
针头键合的智能系统解决方案
医疗系统中粘合剂的主要应用领域是针结合和注射器组件 - 不锈钢针或插管粘结到玻璃或塑料注射器中。这些针头大量生产，需要大量生产中的快速和可靠的键合。除了其机械键强度外，所使用的粘合剂还必须允许高精度生产和永久连接，并且必须承受各种灭菌方法。Panacol的紫外线治愈的Vitralit®粘合剂完全满足这些要求。vitralit®粘合剂有各种粘度范围，可完全适合针线轮的设计，并填补轮毂和针之间的间隙。轮毂和针的材料也影响粘合剂的选择：许多粘合剂都是紫外线，这需要使用透明和紫外线的材料。对于阻断紫外线（例如聚碳酸酯）的材料，建议使用长波LED可固化的粘合剂。建议用于针头键合的所有Vitralit®粘合剂均为无溶剂和认证的USP IV类和/或ISO 10993用于医疗设备。此外，即使在几个灭菌周期后，也要用所有针键粘合剂测量高针提取力。进行视觉质量检查，还提供了我们的医学级粘合剂的荧光版本。选择粘合剂需要一个匹配的分配系统，以在快速生产环境中可靠，精确地分配。使用BDtronic提供的迷你溶液，无论粘合粘度如何，在微氧范围内的分配都变得容易。随着针线粘合的应用，医疗设备所需的高质量需求证实了Bdtronic的体积分配设备的选择。由于连续的体积分配，分配是无脉冲的，可确保最佳过程速度，可重复性和准确性。最后，紫外线固化设备的选择取决于触发聚合的粘合剂和波长。用于使用Vitralit®产品进行针头键合您可以使用UV-A或可见的LED灯。由于特殊的LED组件和自己优化的电源，HönleLED Powerline LC保证了最快的固化和最短周期时间的高密集型照射。此外，可以在0.01 - 99.99秒的范围内选择辐照时间，因此可以精确地适合过程要求。
公告第124号 合和6年10月15日
2024年10月9日 — （3）投标项目的规格应为项目明细表规格栏中指定的规格，或相当或更优（包括其他公司的产品）。 （4）如果您正在竞标类似物品，请...
公告第8号 合和6年2月27日
2024 年 3 月 5 日 — 规格编号。4QGB10202070。4RL81CA0001 0001。产品名称或主题。Senso (6) 业务用一般废弃物处理（可燃物）。零件编号或规格。根据规格。要使用的设备名称。计划数量。
W2W 混合键合界面的可靠性研究
摘要 — 评估了 1 µm 间距晶圆对晶圆 (W2W) Cu/SiCN 混合键合界面的电气可靠性。使用控制 IV 方法获取 W2W 混合堆栈的击穿电压分布。假设幂律模型，对使用条件外推可确认使用寿命超过 10 年，当温度低于 175 ◦ C 时，幂律指数高于 10。发现沿 Cu/SiCN 混合键合界面的传导机制为 Poole-Frenkel 发射，能量势垒等于 0.95 eV。仅在温度高于 200 ◦ C 和场高于 1.5 MV/cm 时才能观察到移动铜，证实了该键合界面对铜漂移具有良好的稳定性。索引术语 — 晶圆对晶圆 (W2W) 键合、可靠性、电介质击穿、混合焊盘泄漏。
工艺参数对Ag-SiC复合板键合性能的影响...
摘要：对直径25 μ m的Ag-2.35Au-0.7Pd-0.2Pt-0.1Cu合金丝在不同工艺参数下进行了键合性能试验。利用扫描电子显微镜（SEM）研究了电击发（EFO）电流和EFO时间对无空气球（FAB）变形能力的影响，以及超声功率和键合力对键合特性的影响。实验结果表明：随着EFO电流和EFO时间的增加，FAB从预热尖端生长为小球、规则球，最后生长为高尔夫球，在25 mA和650 μ s时FAB呈现最佳形状。当EFO电流为25 mA时，FAB直径与EFO时间呈非线性关系，可用三次方程表示。进一步研究发现，在键合力一定的情况下，随着超声功率的增加，捣碎的球直径越来越大，毛细孔印迹越来越明显，尾部宽度也随之增大，反之亦然。球键合的最佳超声功率为70 mW，键合力为45 gf；楔键合的最佳超声功率为90 mW，键合力为75 gf。最后，在最佳工艺参数下制备的键合线样品，在破坏性拉力测试后均未发生球键合和楔键合剥离现象，在球剪切测试后键合焊盘上金属间化合物完全覆盖，形貌完好，键合线样品具有较高的键合强度，从而提高了微电子产品的可靠性。该研究为含Pt银基键合合金线的可靠性研究提供了技术支持。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
2024 年混合键合专利格局
通过专利分析，我们描述了知识产权参与者的地位，揭示了他们加强知识产权组合的策略，强调了他们限制其他公司的专利活动和自由实施的能力，识别有前途的新参与者，并预测了未来的知识产权领导者。知识产权竞争分析应反映具有进入和发展先进半导体封装市场业务的战略的参与者的愿景。在本报告中，我们全面概述了竞争激烈的知识产权格局和与混合键合技术相关的最新技术发展。该报告涵盖了专利申请、专利权人、申请国家、专利技术和目标应用方面的知识产权动态和主要趋势。它还确定了知识产权领导者和最活跃的专利申请人，并揭示了该领域不为人知的公司和新参与者。