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World File Search System设备性能
Gibbs三重连接过剩测定的方法专用于四销噪声噪声测量的低噪声和准理论直流电流源
已符合其他经典技术，例如电容 - 电压或深度瞬态光谱测量值，低频噪声测量是研究材料或设备质量和性能的最敏感工具之一[1]。例如，噪声测量值允许对传感器应用[2]或对半导体设备的深层光谱进行比较[3]，并确定某些技术步骤或技术对设备性能降解的影响[4-7]。尽管有所有这些优点，但该技术的一个局限性很难删除所有外部低频噪声源，以确保所测量的噪声仅来自测试的设备或材料。在材料表征的情况下，众所周知，四探针配置足以消除DC甚至白噪声测量中的接触贡献。由于电压或电流触点可能会造成噪声贡献，因此1/F噪声不是这种情况。
直升机作业中的人工智能集成
这篇综合性文章探讨了人工智能集成在直升机运营中的变革性影响，重点是通过智能系统增强安全措施和运营效率。本文探讨了人工智能实施的各个方面，包括实时数据分析、预测性维护协议、导航系统和航空领域的人机协作。本文深入探讨了先进的传感器技术、天气模式分析和设备性能跟踪，强调了它们对提高态势感知和运营能力的共同贡献。本文还分析了通过人工智能进行预测性维护的演变，研究了持续监测系统及其在早期问题检测和降低成本方面的优势。此外，它还评估了人工智能驱动的导航和控制系统的发展，特别是在具有挑战性的环境中，
控制二维金属电容的物理特性......
事实上，不同批次的材料物理性质可能会有显著差异，因为普通实验室环境不像工业或大规模环境那样受控；造成批次间差异的传统原因是使用并非专用于某一工艺的玻璃器皿、由于处理和不同供应商而导致的试剂和溶剂差异，甚至是特定实验室内不同季节或不同房间的温度和湿度差异。由于这些考虑，确定应优化哪些参数以获得理想的设备性能并不总是那么容易。为了阐明这个问题，我们在一个实验室中合成了几批次的 Ni3(HITP)2，尽可能使用相同的起始材料和溶剂，并将它们用作 KOH 水性电解质中的超级电容器电极。目标是辨别 MOF 批次的物理性质对设备性能的影响。Ni3(HITP)2 的特点是具有强烈的各向异性结构。配体由芳香族三苯单元组成，这些单元表现出很强的电子离域性，通过亚胺键（更准确地说是亚氨基半醌）与镍中心结合。配体和方平面 Ni 2+ 离子形成石墨烯状二维薄片，其堆叠形成直径约为 1.6 nm 的管状圆柱形通道。合成了三批 Ni 3 (HITP) 2 MOF，这里用 HITP_A、HITP_B 和 HITP_C 表示。它们是以之前发表的方法 8 作为合成条件的起点来制备的，然后根据 ESI 中的描述略有变化，† 产生了相同类型的 MOF 材料，但物理性质差异很大，如表 1 所示。三个样品的电导率分别跨越两个数量级，从 2·10·4 S cm 1 到 4·10·2 S cm 1 （对于 HITP_A 和 HITP_C）。通过拟合在 77 K 下测得的 N 2 吸附等温线确定的 BET 表面积相差三倍，从 260 m 2 g 1 到 825 m 2
特殊杂志 - 非生物学
电化学能源存储设备对于有效的能源存储和利用至关重要。先进的电化学材料是改善其性能，容量和寿命的关键。本期特刊展示了高级电化学材料，包括电极材料，电解质，接口和设备的最新突破。并包括一系列原始研究文章和批判性评论，重点介绍了高级材料的综合，表征和电化学性能评估。重点是获得对基本方面的见解，例如电荷转移机制，离子扩散动力学和稳定性。通过多学科方法，可以实现对材料属性，电化学行为和设备性能之间关系的全面理解。本期特刊邀请了学术界和行业的研究人员和工程师的贡献，鼓励提交原始研究和关键见解。一起，我们可以推进储能技术并促进可持续的能源未来。
物联网入侵检测系统性能：最新研究成果
如今，物联网吸引了众多研究和工业界的兴趣。更小、更智能的设备每天都在多个物联网领域实施。然而，保护物联网设备免受网络攻击对其运行至关重要。机密数据因恶意行为而泄露。因此，设备性能变得至关重要。基于物联网的结构中经常出现安全风险，影响其标准工作。因此，为了消除和减轻这些问题（攻击），提出了入侵检测系统 (IDS) 来实现这一目的。本文旨在研究所提出的 IDS 的最新进展。接下来，我们严格审查了所提出的基于 IDS 的机器学习算法。基于此评估标准，严格审查了涵盖架构、智能预测和算法的解决方案。为了实现我们的目标，本文提出了物联网设计中的挑战和开放的研究领域。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
博尔平原可再生能源园区
- 太阳能发电场年平均最大功率输出为 36.8MW - 年平均日发电量为 340MWh - 年平均白天时间为上午 5:30 至下午 6:00。 • 内部通道，方便维护场地 • 场地周围的周边安全围栏 • 控制系统，用于监控设备性能 • 现场办公室和维护大楼 • 与场地建设相关的临时基础设施，包括场地大院和存储区。 项目的详细设计开发计划和连接策略尚未最终确定。连接策略取决于详细设计期间电力基础设施的最终走线和位置，即拟议的 66 kV 输电线路至 Bohle 变电站。根据 Ergon 在 2020 年提供的反馈，总长 3.7 公里的拟建电力线中有 1.8 公里将为架空线，其余长度将通过钻孔和替换或复制现有线路来安装。
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
对硒扩散和钝化太阳能电池中硒扩散和钝化的定量评估
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中，对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验，以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性，以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图，揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数，在晶界，在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
对硒扩散和钝化太阳能电池中硒扩散和钝化的定量评估
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中，对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验，以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性，以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图，揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数，在晶界，在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。