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横须贺空军基地空缺公共关系 - Navy.mil
6. 职责内容 职责 准备合同规范 独立分析主要涉及建筑和/或机械和/或电气和/或土木和/或结构领域的完整项目和总体项目的设计和图纸，这些项目是中型常规类型，涉及重复的复杂特征。 独立从实验室、工业厂房、工程和贸易出版物等众多来源搜索和收集所有类型的新或改进的材料、设备和工艺的信息，并与部门内的个别项目工程师讨论预计施工工作的适应性。 根据从众多来源收集的信息、NAVFAC 标准、工程标准、可用目录和先例，与个别项目的项目工程师讨论材料的使用、工作实施方法、设备布局和其他施工特点。 建议并推荐改进和更改施工特点。 编写完整和完成的项目规范，指明各种施工细节和流程，例如基于设计和图纸的工作实施方法、材料、设备和其他定性和定量要求。这涉及到选择方面的难题，需要考虑适应性、外观、强度、耐久性、可用性、工艺、相对成本等，从备选材料、施工工艺或设备中进行选择，其中许多是非标准类型或等级的。合同规范审查审查合同规范以及 A&E 承包商和美国陆军工程兵团（针对 MCON 项目）转发的合同图纸，以确定是否符合军事工程标准、形式准确性、材料和工艺的选择以及各个工程特征的一致性。特殊职务状况未完成的工作条件（如果有）
横须贺空军基地空缺公共关系 - Navy.mil
接受专业工作经验以及拥有一年或一年以上相关工作经验的工程执照持有者。但是，申请人必须了解专业工程原理和理论，例如电气、结构或建筑领域。工程师发展计划包括专业课堂培训和在职培训 (OJT) 相结合，以培养规划、设计和建造岸上设施的技能。培训还将包括各个级别的英语课程。这是您在三年内成为熟练且经验丰富的专业人士的机会。欢迎没有专业工作经验的工程学位持有者以及拥有至少一年相关工作经验的持证工程人员申请。但是，您必须了解结构工程、土木工程和建筑等领域的专业工程原理和理论。 工程师培训计划采用专业课堂培训和在职培训（OJT）相结合的方式，使学生掌握规划、设计和建造陆上设施的技能。 培训还包括各个级别的英语语言预备课程。
横须贺基地申请者注意事项 - Navy.mil
1. 报名的首要条件是，你必须符合“招募范围”。 招聘范围 I、II 和 III 针对现有基础员工，IV 针对外部申请人。 首先，请检查您属于哪一类，然后按照职位空缺公告中的说明进行申请。 2. 每周三和周五更新。此外，如果申请有中间截止日期，我们可能会在最终截止日期之前撤回该申请。 3. 基地内所有电话均已屏蔽号码。 此外，如果您无法确认收件人的电话号码，您将无法连接 IP 电话。 在您的职位空缺申请表中，请务必填写一个电话号码，以便白天在基地内与您联系，以便进行面试、就业通知等。 4. 当您进入基地进行面试或其他目的时，您需要携带政府或当地颁发的有效带照片身份证件。 对于日本申请人来说，只有驾驶执照（如果您有IC执照，则需要执照发行日期后发行的居民身份证，或最近的警察局发行的“居民身份证”），护照或居民基本登记卡才有效。 对于外国申请人，仅需护照、居留卡或外国人登记卡。 不接受学生证、员工证等。 请注意，如果您因缺少或未携带上述身份证明文件而无法在面试当天进入基地，您将错过面试机会，并可能被视为失败。 请务必在所申请职位空缺广告的截止日期（或临时截止日期）前准备好相关证明。 有关居民基本登记卡的更多信息，请联系您所在的城市/区政府或行政中心。 5.前军人必须在工作申请中提交/附上 DD-214（成员 4 副本）的副本。退役美军人员必须提交“退役美军人员”中所示的必要文件（情况说明书：如何申请 MLC/IHA 工作，http://www.cnic.navy.mil/regions/cnrj/om/human_resources/fact_sheets.html 6. 如果您对招聘有任何疑问，请联系您应提交申请文件的办公室，如每个职位空缺公告所示。基地现任员工和外部申请人有不同的办公室，因此请在联系我们之前进行检查。横须贺基地、池袋和横滨的职位空缺公告每天上午 6:00 至下午 6:00 在横须贺基地正门旁边一楼（建筑号 1495）的俱乐部联盟办公室的日本职位空缺公告板上可供查阅。现场没有工作人员，但您可以随意从架子上拿取职位空缺申请表。对于基地现任员工7. 所有申请必须在职位空缺公告截止日期前送达。内部申请人（现任员工）向 HRO 提交申请时，会通过基地的美国邮局，因此可能需要一周以上时间才能到达 HRO。此外，快递、挂号信和信包 (Expac) 等跟踪服务仅用于跟踪文件到达基地邮局之前的情况，并不能证明文件已在该日期和时间送达 HRO。
共振声子-磁振子耦合的直接成像
声子的探测对于研究共振耦合的磁振子与声子的相互转化至关重要。本文我们报道了通过微聚焦布里渊光散射在 Ni/LiNbO 3 混合异质结构上直接可视化磁振子和声子的共振耦合。表面声子的静态图样源于入射波 𝜓 0 (𝐴 0 , 𝒌, 𝜑 0 ) 与反射波 𝜓 1 (𝐴 1 , −𝒌, 𝜑 1 ) 之间的干涉，由于磁振子-声子耦合，磁场可以调制表面声子的静态图样。通过分析从布里渊光谱中获得的声子信息，可以确定磁振子系统（Ni 薄膜）的性质，例如铁磁共振场和共振线宽。该结果提供了关于耦合磁振子-声子系统中声子操控和检测的空间分辨信息。
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
晶澳太阳能科技有限公司
七、境内外会计准则下会计数据差异 1、按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、季度财务指标
基于多功能传感器的光晶纤维 - ...
后期：Bilal M.，Lopez-Aguayo S.，Szczerska M.，Madni H.，使用等离子体材料和磁性流体基于光子晶体纤维的多功能传感器，OSA Continuum vol。61，ISS。 35（2022），pp。 10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。 只能为个人使用而制作一张或电子副本。 系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。61，ISS。35（2022），pp。10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。只能为个人使用而制作一张或电子副本。系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。
IHP 的晶圆上测量服务
莱布尼茨 IHP 莱布尼茨高性能微电子研究所 Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 地址 Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) 网站：www.ihp-microelectronics.com 联系人 Dr. René Scholz（MPW 和服务）电子邮件：scholz@ihp-microelectronics.com 电话：+49 335 5625 647 传真：+49 335 5625 327