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World File Search System超导
补充材料：探索超导处理器上的希尔伯特空间碎片
Z串扰是由于低频Z偏置信号未完全定位于单个量子的事实。每个量子位的单个Z偏置信号在整个芯片上具有空间分布，但是强度随量子位的距离而衰减。假设j -th Qubit q j的z脉冲振幅（ZPA）是z j，并且其z控制线与i -th Qubbit q I是r i，j之间的垂直距离，那么q j的z线感觉到Q i的磁感应强度可以表示为q j的z线，如b i←b i←j j j / r i i←j j j j / r i，j，j。因此，相应的串扰通量为φi←j = b i←j i = c i←j z j J，其中s i表示q i的squid和c i←j s i / r i，j表示每单位zpa的通量crosstalk。为了补偿串扰φI←J，我们在Q i的Z线上应用φi←i = c i←i out z i z i i i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←i←
二维量子材料和超导电子学博士研究员。
项目名称：二维量子材料和超导电子学。描述：研究重点是 Nb 基二维材料，特别是二硫化铌 (NbS₂) 和二硒化铌 (NbSe₂)，以及它们在超导场效应晶体管 (FET) 中的应用。这些材料因其独特的特性而处于材料科学的前沿，包括单层超导性[1]。超导性的特点是零电阻和排除磁场，是现代材料科学的基本原理。虽然已经提出了许多利用超导性的设备并付诸实施，但在创造可扩展的高质量材料和设备方面仍然存在挑战[2-4]。传统的制造方法，如溅射，通常会导致材料质量不理想，特别是对于需要精确控制厚度和纯度的应用[5]。该项目旨在通过利用二维过渡金属二硫属化物 (TMDC) 的卓越特性来解决这些限制，这些特性可以精确控制材料厚度和晶体纯度。在本研究中，候选人将专注于合成基于 Nb 的 2D 材料并将其集成到器件架构中以创建超导 FET。这些器件将利用电场来调节超导性，实现新功能并为超导电子学的潜在突破铺平道路。这项工作将涉及在洁净室环境中进行先进的材料合成、广泛的特性描述和器件制造，以及传输测量以研究器件在不同条件下的行为。该项目提供了为材料科学的变革领域做出贡献的机会，并有可能产生重大的技术影响。成功的候选人将加入一个充满活力的跨学科研究团队，该团队配备了最先进的设施，并受益于该领域领先研究人员的指导和合作。外部参考：[1] Xi 等人，《自然物理》，12(2):139–143 (2016) [2] Puglia 等人，《应用物理快报》，116(25) (2020)。 [3] De Simoni 等人，Nature Nanotechnology, 13(9):802–805 (2018) [4] Paolucci 等人，Nano letters, 19(9):6263–6269 (2019) [5] Durrell 等人，Reports on Progress in Physics, 74(12):124511 (2011). 主要指导老师：Camilla Coletti ( 2D 材料工程 ) 其他指导老师：Antonio Rossi ( 2D 材料工程 ) 关键专业知识：
高温超导性：罕见还是无处不在？
摘要1987年的诺贝尔物理学奖庆祝了发现超导铜氧化物（陶瓷），其过渡温度高于30开尔文系列。1987年标志着“高t c”超导性的开始，这是一个多元化的铜氧化物家族，它以“固有”的高t c超导性发现而无需外部压力，应变或野外调节。在接下来的几十年中，研究了一类广泛的基于氧化物的分层超导体，包括但不限于ti-，bi-，ru-，co-基于NI-基于NI的氧化物。然而，在没有铜的其他氧化物中，从未在另一种氧化物中观察到“内在”高t c超导性。因此，铜在电子配对机制中的不可思议的唯一性在凝结物理学上是一个长期存在的谜团。“高t c非常规超导性是铜的特有的吗？”在这里，我建议并证明（1）超导性在元素元素表中很常见； （2）一个模型，以增加一般分层系统中超导性（T C）的能量尺度。因此，逻辑含义是“高t c超导性无处不在”。按照这个命题，我们在分层的氧化镍中进行了第一次演示，观察到高t c超导性无需外部调制。查询：3943 6303
超导性和压缩性紧张的LA 2 Prni 2 O 7薄膜Yidi Liu 1,2，Eun Kyo Ko 1,3，Yaoju Tarn 1,3，Lop
1斯坦福材料与能源科学研究所，SLAC国家加速器实验室，Menlo Park，CA 94025，美国2美国2号物理系，斯坦福大学，斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学，美国3美国3号应用物理系，斯坦福大学，斯坦福大学，斯坦福大学，斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学，美国加利福尼亚州94305，美国40年5月5日，美国40号。固体化学物理研究所，01187德国，德国6卡夫利研究所，位于康奈尔大学康奈尔大学，康奈尔大学，康奈尔大学，纽约，纽约，14850，美国 *使用外延菌株以薄膜形式以薄膜形式的环境压力超导性。最近，在压缩的双层镍薄膜中已经观察到超导性的迹象，其起源温度超过40 K，尽管具有宽阔和两步状的过渡。在这里，我们报告了压缩性的LA 2 PRNI 2 O 7薄膜中的内在超导性和正常状态转运性能，这些薄膜通过等值的PR替代，生长优化和精确的Ozone退火来实现。超导的开始发生在48 K以上，零电阻达到30 K以上，而在1.4 K时的临界电流密度比以前的报告大100倍。正常状态电阻率表现出二次温度依赖性，指示了费米液体行为，而其他现象学相似性与过度库酸酯中的运输相似，这表明其新兴特性的相似之处。
可调超导性与1 t'-WS 2
摘要：过渡金属二分法元素是一个准二维材料的家族，由于其从超导到半导体，其技术潜力很高，取决于化学组成，晶体结构，晶体结构或静电掺杂。在这里，我们揭示了通过调整单个参数，静水压力P，可以在几层过渡金属二甲基元化1 t'-WS 2中诱导电子相变的级联，包括超导，拓扑，拓扑，拓扑和霍斯霍尔效应阶段。具体而言，随着P的增加，我们观察到了双相变：超导性的抑制与𝑃≈1.15GPA的异常霍尔效应的伴随出现。非常明显的是，在将压力进一步提高到1.6 GPA以上时，我们发现了一个仍然表现出异常霍尔效应的状态的再入侵超导状态。这种超导状态显示，相对于在环境压力下观察到的相位相对于相位的各向异性显着增加，这表明具有不同的配对对称性的不同超导状态。通过第一原理计算，我们证明了该系统伴随的过渡到一个强大的拓扑阶段，具有显着不同的带轨道特征和费米表面，导致超导性。这些发现位置1 T'-WS 2作为独特的，可调的超导体，其中超导性，异常传输和频带特征可以通过中等压力的应用来调节。主文本：
通过超导Josephson连接
编辑器：J。Hisano通过引人入胜的𝑈（1）𝐵-𝐿标准模型的扩展，可以很好地激发携带𝐵-𝐿电荷之间的颗粒之间的新第五力。量规玻色介质Féeton也是暗物质候选人。在这封信中，我们提出了一种新型的实验设计，以检测使用超导约瑟夫森连接的第五力引起的量子相差异。我们发现，当仪表玻色子质量范围内时，实验对量规耦合具有最佳的敏感性。01 eV至10 eV，这是Féeton暗物质的一个有趣的质量区域。这为毫米以下小规模的新物理学测量开辟了新的途径。
等摩尔高熵合金中的超导性
轻巧的高熵合金代表了一类创新的多组分系统，该系统将低密度与高渗透合金的特性相结合。我们介绍了3D富含等值的高熵超导体SC-TI-V-NB-CU的详细综合和研究，该合成器sc-ti-v-nb-cu在体内以身体为中心的立方结构中结晶。磁化强度，电阻率和热容量测量值证实了弱耦合的II型超导率，具有7.21（3）K转型温度和12.9（1）T的上部临界场。上部临界场接近Pauli Parmagnetic极限，表明潜在的不常规行为。低密度，中等过渡温度和高临界场引起了SC-TI-V-NB-CU，是下一代超导设备应用的有前途的候选人。
自旋三重态超导体候选材料 CeRh2As2 中的准二维反铁磁自旋涨落
四方重费米子超导体 CeRh2As2 (Tc=0.3K) 对 Bkc 表现出 14T 的极高临界场。它在超导态之间经历场驱动的一级相变，可能从自旋单重态转变为自旋三重态超导。为了进一步了解这些超导态和磁性的作用，我们利用中子散射探测 CeRh2As2 中的自旋涨落。我们发现动态 ðπ；πÞ 反铁磁 (AFM) 自旋关联具有各向异性的准二维关联体积。我们的数据将相应 N'eel 级的交错磁化强度的上限设置为 0.31μB，T=0.08K。密度泛函理论计算将 Ce4f 电子视为核心态，表明 AFM 波矢连接费米面的很大一部分区域。我们的研究结果表明当ℏω<1.2meV时CeRh2As2中的主要激发是磁性的，并且表明CeRh2As2中的超导性是由与近似量子临界点相关的AFM自旋波动介导的。
工程高 Q 值超导钽微波共面
图 4. (a) 三个硅基 CPW 谐振器的内部品质因数 (𝑄 𝑖) 与平均光子数 < 𝑛 𝑝ℎ > 的关系，散点图为测量数据，实线是基于公式 (4) 的拟合数据，误差线在每个数据点的顶部和底部用大写字母表示，(a) 40 nm Ta 在 𝑇= 77 mK。(b) 𝑓 𝑟 = 3.654 在三个不同温度下。(c) 80 nm Ta 在 𝑇= 44 mK 时和 (d) 100 nm Ta 在 𝑇= 40 mK 时。