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新型大平面离子晶体的量子相关性...
存储在射频阱中的线性离子库仑晶体已导致量子信息科学领域的最先进实验，对单个粒子及其之间的相互作用具有出色的控制。这使得线性离子晶体成为量子计算、模拟、计量和传感领域实验的主要平台之一。然而，将这些系统扩展到超过 50 个粒子同时保持对它们的精确实验控制已被证明具有挑战性，但对于执行超出传统计算能力的计算或模拟而言是必需的，这是实验量子信息科学的主要目标。本论文报告了一种新的实验装置的设置，该装置通过摆脱传统的线性离子晶体配置并改为捕获平面离子晶体，实现对射频阱中比以前更大的离子库仑晶体的量子控制。利用第二空间维度的方法开辟了缓解线性离子晶体中遇到的一些与缩放相关的技术限制的方法。另一个好处是可以自然地实现二维粒子的相互作用，特别是用于扩展可在量子模拟中直接研究的模型范围。虽然之前在射频阱中对平面离子库仑晶体的量子控制方面的努力仅限于小系统，但我们的工作标志着首次将这种控制扩展到 100 个离子之外。这篇论文提供了证据，表明可以克服平面离子库仑晶体中出现的已知挑战，例如射频加热、微运动和结构相变，从而为量子模拟应用构建一个强大的实验装置。该装置的功能在表征测量和利用量子关联（尤其是纠缠）的实验中得到证明。
奇偶量子计算作为 yz 平面测量 - ...
在现今的容错量子计算前时代 [1]，存在一系列计算理论方案，它们在当前物理设备上实现时表现出一定的优势和不同程度的适用性。奇偶校验量子计算 [2-7] 就是这样一个方案，最初基于量子退火 [2]。通用奇偶校验计算框架 [3] 利用了某种类型的量子态编码（即奇偶校验编码）的属性。这种编码将 n 个量子比特的逻辑状态映射到 n（n+1）=2 个物理量子比特上，其中一些物理量子比特获得与逻辑量子比特子集相关的奇偶校验信息。因此，对这些奇偶校验量子比特进行局部的某些旋转会转化为对相应子集进行多量子比特逻辑旋转 [3]。奇偶校验码是一种稳定器码 [8,9]，使用稳定器形式可以很好地理解该码的许多属性。已知稳定器状态和稳定器代码具有规范形式，分别为图状态 [10,11] 和图代码 [12 – 14]。图状态形成一类重要的高度纠缠态，支持基于测量的量子计算 (MBQC) [15 – 20]。MBQC 是一种众所周知的量子电路模型替代方案，由单量子位投影测量而不是幺正门驱动。最近，提出了一种基于测量的编码和解码程序提案，用于奇偶校验计算机制 [21]，在计算深度方面表现出有益的特性。由于稳定器代码和图代码之间的密切联系，有必要研究与 MBQC 的潜在联系，我们在本信中开始这项研究。
奥尔堡大学 检查平面测量...
摘要— 分析了检查机载激光扫描数字高程模型平面精度的当前技术水平。介绍了所提出方法的原理，包括数学方程。特别强调了用于与真实值进行比较的导出点的精度。应用最小二乘调整，通过迭代确定权重作为校正大小的函数来减少观测中误差的影响。使用来自丹麦新数字高程模型的数据进行了实际测试。所需的参考值是通过航空图像和摄影测量技术得出的。一些地面控制点由 GPS 确定。然后根据从该方法的实际使用中获得的经验讨论了该方法的可靠性和实用性。结论是，所提出的方法是准确的、对错误具有鲁棒性的并且具有自动化的潜力。
未经授权的平面开关 - （UPS） - handling-and- ...
这种交流是按照美国纳税人费用印刷，出版或生产和传播的。本演讲中提供的信息仅旨在作为技术法律标准的一般非正式摘要。无意取代其基于的规定。我们鼓励听众成员参考适用的法规，以获取有关适用于他们的要求的完整和当前信息。
基于平面检测的增强现实物体识别
摘要 - 机器学习和深度学习；人工智能的子领域已在可以检测和标记物体和图形（例如椅子、人甚至某些动物）的应用程序中实现。我们开发了一个利用增强现实的应用程序，这是平面检测的一个更适度的目标。此应用程序的目的是用标签标记检测到的物体，并将信息传递给视障人士。实现我们目标的重要第一步是专注于平面检测。这项技术可以帮助公共场所的个人安全到达目的地，从而使他们受益。该应用程序将通过识别和导航平面和物理对象来指导有需要的个人防止与墙壁和物体相撞。 关键词：增强现实、人工智能、深度学习、机器学习、物体识别 1. 简介
德西特时空来自全息平面......
全息原理认为，体空间的自由度 (DoF) 被编码为边界量子场系统的信息 [1, 2, 3]。该原理的已知例子有黑洞熵 [4, 5, 6, 7] 和 d + 2 维反德西特时空/d + 1 维共形场论 (AdS d +2 /CFT d +1 ) 对应关系 [8, 9, 10, 11]。在发现 AdS d +2 /CFT d +1 对应关系中的全息纠缠熵的 Ryu–Takayanagi 公式 [12, 13, 14, 15] 后，多尺度纠缠重正化假设 (MERA) [16, 17] 被提出作为该公式背后的体量子纠缠的全息张量网络 (HTN)，其中 d = 1 为零温度 [18, 19]。这里，MERA 是通过解纠缠器层（对我们而言是二分量子比特门）和粗粒化器层（等距）的半无限交替组合对量子比特中边界 CFT 2 的量子基态进行实空间重正化群变换 [16, 17]。MERA 是一个尺度不变的张量网络。基于对 HTN 的初步研究 [18, 20, 21]，本文作者对 HTN 进行了经典化 [22, 23, 24, 25]。其中，HTN 的经典化是指在 HTN 中采用单量子比特的第三 Pauli 矩阵作为超选择规则算子 [25]。即，作用于 HTN 的希尔伯特空间的量子力学可观测量需要与第三 Pauli 矩阵交换，并根据这种交换性进行选择。HTN 经典化后，经典化全息张量网络 (cHTN) 的量子态对于所选可观测量在第三 Pauli 矩阵的特征基上没有量子干涉，因此等价于经典混合态，即第三 Pauli 矩阵乘积特征态的统计混合，
在二氧化硅上的ER掺杂平面波导的制造...
摘要我们报告了二氧化硅（SOS）晶状体上掺杂Erbium掺杂的平面波导的制造和表征，可提供低损耗和适用于用于工程光波导放大器（1530-1565 nm）的光纤维通信的较低的光限制。在这里，我们描述了一种超快的血浆掺杂（ULPD）技术，该技术是使用由飞秒激光（波长800 nm）诱导的血浆进行的，其重复速率为10 kHz，脉冲持续时间为45 fs。此处介绍的ULPD方法已成功应用于先前使用脉冲持续时间约为100 fs且重复速率为1 kHz的FS-LASER掺杂在SOS底物上的稀土材料。已经分析了厚度，折射率，光学传播损失，光致发光强度和光致发光寿命的厚度，折射率损失，光发光损失，光发光损失，光发光损失，光致发光的寿命。我们报告了C波段中<0.4dB/cm的低传播损失，长寿命为13.21 ms，在1532 nm和最大的寿命密度产物6.344 x10 19 s.cm -3。低损耗平面平板波导和高寿命密度的产品有望在SOS平台上制造带状的波导的进一步可能性。所提出的主动波导制造方法可能对制造平面的集成光学波导放大器和与基于硅的光子积分电路兼容的激光。
硅辐射探测器技术：从平面到3D
辐射探测器在几种应用中都普遍存在，从文化遗产到环境监测，以及在许多娱乐性和应用研究中，包括少数，包括高能物理学（HEP），光子科学和铜管科学。从最早的设备开始，辐射的检测是基于不同的物理机制，例如热转导，气电离，闪烁等。[1]。与大多数其他传感器技术一样，半导体在辐射检测中也起着特殊的作用，其主要原因是：（i）它们可以直接将辐射转换为电信号，准备通过电子电路处理，并且（ii）通过利用集成电路技术来利用它们，从而带来了多个优势，导致了几个优势，例如小型成本，且可靠地效果，以及2个改善了[2.2 and Scrips and Import and Import and Import and Import and Import Import and Import and Import and Import and Import and Import and Import [2]。其物理特性（例如原子数，密度，电离能，带隙等）使硅特别适合于检测软X射线和带电的颗粒，而对于硬X射线/γ-rays和中子（用于检测应与合适的转化材料偶联的硅）并不有效[1]。但是，由于其制造技术的无与伦比的优势，硅是检测器应用最广泛使用的半导体。尽管硅探测器是相对简单的设备，但它们需要定制的织物技术来优化其电气和功能特性。日本，在该领域运营。直到最近，随着CMOS图像传感器的显着进展，用CMOS Technologies（所谓的单片活性像素）制成的像素探测器已证明可以产生满足的性能[3]。将来，CMOS像素的利用可能会更大，尤其是在X射线成像和带电的粒子跟踪中。但是，仍然希望定制检测器仍然是大多数应用程序的主要选择。硅探测器的市场被认为是微电子领域内的专业探测器，只有一家主要的工业制造商Hamamatsu Photonics K.K.大多数加工设施均由中小型企业（中小型企业）和主要位于欧洲的研究中心拥有。在本文中，我们将回顾硅辐射探测器技术。第2节将回忆起设备的基本原理和主要要求。第3节将被奉献
锡铋平面焊点中的电迁移
[1] S. Murali、LYW Evone、LMWa、BA Danila、LC Keong、LY Ting、BS Kumar、K、Sungsig，“Sn57Bi1Ag 焊料合金接头的微观结构特性”，IMAPS – 第 55 届国际微电子研讨会，波士顿，2022 年 10 月 5 日。[2] Q. Liu、Y. Shu、L Ma、F. Guo，“高电流密度下共晶 SnBi 焊点的微观结构演变和温度分布研究”，2014 年第 15 届国际电子封装技术会议。[3] P.Singh、L. Palmer、RF Aspandiar，“一种研究电迁移的新装置”，SMTA 泛太平洋微电子研讨会，2022 年 2 月 1 日，夏威夷瓦胡岛。 [4] IA Blech，“氮化钛上薄铝膜的电迁移”，J. of Appl. Physics，第 47 卷，第 4 期，1976 年 4 月。
平面全息透明挡风玻璃显示dp83867ir.pdf
6.1 Absolute Maximum Ratings...................................... 10 6.2 ESD Ratings............................................................. 10 6.3 Recommended Operating Conditions....................... 11 6.4 Thermal Information.................................................. 11 6.5 Electrical Characteristics........................................... 11 6.6 Power-Up Timing...................................................... 13 6.7 Reset时机..................................................................................................................................................................................................................................... Transmit Timing ................................ 15 6.13 100Mbps MII Receive Timing (2) ............................ 15 6.14 10Mbps MII Transmit Timing .................................. 16 6.15 10Mbps MII Receive Timing.................................... 16 6.16 DP83867IR/CR Start of Frame Detection Timing... 16 6.17 Timing Diagrams ............................................................................................ 17