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辐射探测器在几种应用中都普遍存在，从文化遗产到环境监测，以及在许多娱乐性和应用研究中，包括少数，包括高能物理学（HEP），光子科学和铜管科学。从最早的设备开始，辐射的检测是基于不同的物理机制，例如热转导，气电离，闪烁等。[1]。与大多数其他传感器技术一样，半导体在辐射检测中也起着特殊的作用，其主要原因是：（i）它们可以直接将辐射转换为电信号，准备通过电子电路处理，并且（ii）通过利用集成电路技术来利用它们，从而带来了多个优势，导致了几个优势，例如小型成本，且可靠地效果，以及2个改善了[2.2 and Scrips and Import and Import and Import and Import and Import Import and Import and Import and Import and Import and Import and Import [2]。其物理特性（例如原子数，密度，电离能，带隙等）使硅特别适合于检测软X射线和带电的颗粒，而对于硬X射线/γ-rays和中子（用于检测应与合适的转化材料偶联的硅）并不有效[1]。但是，由于其制造技术的无与伦比的优势，硅是检测器应用最广泛使用的半导体。尽管硅探测器是相对简单的设备，但它们需要定制的织物技术来优化其电气和功能特性。日本，在该领域运营。直到最近，随着CMOS图像传感器的显着进展，用CMOS Technologies（所谓的单片活性像素）制成的像素探测器已证明可以产生满足的性能[3]。将来，CMOS像素的利用可能会更大，尤其是在X射线成像和带电的粒子跟踪中。但是，仍然希望定制检测器仍然是大多数应用程序的主要选择。硅探测器的市场被认为是微电子领域内的专业探测器，只有一家主要的工业制造商Hamamatsu Photonics K.K.大多数加工设施均由中小型企业（中小型企业）和主要位于欧洲的研究中心拥有。在本文中，我们将回顾硅辐射探测器技术。第2节将回忆起设备的基本原理和主要要求。第3节将被奉献
硅辐射探测器技术：从平面到3D
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