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铁电 Rashba 半导体 GeTe 中激发体态和表面态的超快热化路径
理解强自旋轨道耦合的窄带半导体中自旋极化载流子弛豫的基本散射过程，对于自旋电子学的未来应用至关重要。[1–8] 一个核心挑战是利用自旋轨道相互作用，在没有外部磁场的情况下实现高效的信息处理和存储。[6–12] 当表面或界面发生反转不对称时，或当自旋轨道相互作用存在于块体中时，可引起较大的拉什巴效应。[13–17] 结果，电子态的自旋简并度被提升，其自旋分裂变为 Δ E = 2 α R | k |，它一级线性依赖于动量| k |和拉什巴效应的强度，用所谓的拉什巴参数 α R 表示。 [18,19] 较大的 Rashba 效应被认为是实现增强自旋极化电流控制、[20,21] 高效自旋注入 [10,22] 和自旋电荷相互转换、[23–26] 较大自旋轨道扭矩、[5,27] 的关键。
确定混合钙钛矿在成核和生长动力学各个阶段的超快载流子动力学
随着有机-无机杂化钙钛矿的技术应用范围不断扩大，从光伏太阳能电池到发光器件，再到纳米级晶体管，确定微结构在决定载流子动力学如何影响器件效率方面的作用至关重要。本文，我们报告了杂化钙钛矿在成核和生长动力学的各个阶段的电荷载流子的超快动力学。溶液加工制造技术，其旋涂条件经过优化以控制中间相的成核密度，在温度梯度退火后转化为杂化钙钛矿。该策略将最终形成大晶粒薄膜的成核和生长步骤解耦，使我们能够探测电子和载流子动力学的差异。令人惊讶的是，我们发现成核微晶已经显示出杂化钙钛矿的电子特性，并且与大晶粒杂化钙钛矿薄膜具有相似的飞秒到纳秒动力学。
有机染料负载减少了二氧化钛作为超快纤维激光器的宽带饱和吸收剂
Ultrafastber激光器广泛用于各种军事和平民应用中，1 - 3，例如光学通信4和精确加工。5,6产生超短脉冲的主要方法之一是被动模式锁定的技术，其中关键是将饱和吸收器（SA）引入激光腔。模式锁定的ber激光器可以使用合适的配对作为SAS实现，从而在性能和输出稳定性方面具有优势。6现有的饱和吸收材料包括半导体可饱和吸收镜7,8和由石墨烯，9,10钼二钼de（MOS 2）11,12和黑磷所代表的二维材料。13,14此外，多种材料已用于超快激光器中的模式锁定设备，包括SNSE 2，15 GEAS 2，16 RGO-CO 3 O 4（参考17）和WCN。18然而，对SAS使用的新材料的调查仍处于早期阶段。因此，有必要探索新型材料作为具有出色非线性光学特性的替代SAS，以实现模式锁定的超短脉冲激光器。
用于光学功能器件的丝绸薄膜的超快激光膨胀和烧蚀加工
有机蛋白质因其独特的光学性质、卓越的机械特性和生物相容性而备受青睐。在有机蛋白质薄膜上制造多功能结构对于实际应用至关重要；然而，特定结构的可控制造仍然具有挑战性。在此，我们提出了一种通过调节有机材料的凸起和烧蚀在丝膜表面创建特定结构的策略。基于受控的超快激光诱导晶体形态转变和丝蛋白的等离子体烧蚀，产生了直径连续变化的独特表面形貌，如凸起和凹坑。由于不同周期的凸起/凹坑结构具有各向异性的光学特性，所制造的有机薄膜可用于大规模无墨彩色打印。通过同时设计凸起/凹坑结构，我们设计并展示了基于有机薄膜的光学功能装置，该装置可实现全息成像和光学聚焦。这项研究为多功能微/纳米结构的制造提供了一种有前途的策略，可以拓宽有机材料的潜在应用。
超快双模式预定器的设计和相位噪声测量130 nm sige：c bicmos
摘要 - 高速和功率电路的设计复杂性增加到更高的操作频率。因此，此手稿概述了如何使用两个可切换除法比率为4和5的双重模数预分量器设计和优化完全差异的发射极耦合逻辑（ECL）门。第一个预拉剂被优化为最高的运行频率，分别为5和4的分别为142 GHz，甚至166 GHz。此外，另一位预拉剂已针对广泛使用的80 GHz频段进行了优化，该频段已由汽车行业大量促进，并且该域中有大量组件。可以在具有较宽的除法比率范围的完全可编程频率分隔线中使用两个预分量员。作为对具有出色噪声性能的频率转换设备的添加期噪声的测量非常具有挑战性，因此在理论上进行了讨论，并实际上进行了。在100 Hz的集成极限内，测得的抖动在500 AS和1.9 FS之间，最高为1 MHz偏移频率。
通过结构化太赫兹脉冲控制超快纠缠切换和单重态-三重态跃迁
摘要 提出使用具有空间纹理偏振的太赫兹 (THz) 矢量光束来控制量子点中两个相互作用电子的自旋和空间分布。我们从理论上研究了自旋和电荷电流密度的时空演化，并通过计算并发度量化了纠缠行为。结果表明，这两个方面都可以由驱动场的参数在皮秒 (ps) 时间尺度上有效控制。通过分析两种具有不同电子 g 因子的不同材料 GaAs 和 InGaAs，我们研究了 g 因子与产生有效能级间跃迁所需的自旋轨道耦合类型之间的关系。这些结果对于将量子点应用为量子信息技术中的基本纳米级硬件元素以及根据需要快速产生适当的自旋和电荷电流很有用。
超快相干 THz 晶格动力学与范德华反铁磁体 FePS 3中的自旋耦合
少原子层薄材料 [1–3] 的合成引发了大规模研究的火花，旨在操控其宏观特性。最近，二维磁有序材料也已生成。[4–7] 这些化合物的长程磁序似乎极易受到晶格畸变的影响，这是因为磁各向异性在稳定二维磁体中的长程有序方面发挥了作用。[8] 通过各种机制超快产生声子已被证明是在基本时间尺度上驱动和控制块体磁体自旋动力学的有力工具。[9–14] 这种途径也适用于范德华二维材料晶体，最近在铁磁 CrI 3 晶体中发现动态自旋晶格耦合就证明了这一点。 [15] 从自旋电子学角度来看，二维反铁磁体与铁磁体相比具有几个基本优势。主要优势在于基态更稳定，磁共振频率在 THz 范围内，比铁磁体高几个数量级。至关重要的是，反铁磁磁子与声子的耦合处于光学声子的能量范围内，这导致了最近有关二维反铁磁材料中杂化磁子-声子准粒子的报道。[16–20] 因此，光驱动的集体晶格模式具有在二维反铁磁体中光学控制长程磁序的潜力，这是基于已证实的可能性，即使光子能量远离其本征频率，也可以完全相干地驱动此类模式[21,22]，也基于它们与磁子的强耦合。在此背景下，过渡金属三硫属磷酸盐（MPX3，其中M = Ni、Fe、Mn、... 和X = S、Se）代表了一类有趣的范德华反铁磁体。[23–26] 虽然据报道在独立的 NiPS3 块体单晶中 [27] 可以产生光学磁振子，但这种材料缺乏可扩展性到二维极限。事实上，实验证明，NiPS3 的单原子层在磁排序上与 MnPS3 [28] 和 FePS3 [25] 并无不同。
超快相干 THz 晶格动力学与范德华反铁磁体 FePS3 中的自旋耦合
少原子层薄材料 [1–3] 的合成引发了大规模研究的火花，旨在操控其宏观特性。最近，二维磁有序材料也已生成。[4–7] 这些化合物的长程磁序似乎极易受到晶格畸变的影响，这是因为磁各向异性在稳定二维磁体中的长程有序方面发挥了作用。[8] 通过各种机制超快产生声子已被证明是在基本时间尺度上驱动和控制块体磁体自旋动力学的有力工具。[9–14] 这种途径也适用于范德华二维材料晶体，最近在铁磁 CrI 3 晶体中发现动态自旋晶格耦合就证明了这一点。 [15] 从自旋电子学角度来看，二维反铁磁体与铁磁体相比具有几个基本优势。主要优势在于基态更稳定，磁共振频率在 THz 范围内，比铁磁体高几个数量级。至关重要的是，反铁磁磁子与声子的耦合处于光学声子的能量范围内，这导致了最近有关二维反铁磁材料中杂化磁子-声子准粒子的报道。[16–20] 因此，光驱动的集体晶格模式具有在二维反铁磁体中光学控制长程磁序的潜力，这是基于已证实的可能性，即使光子能量远离其本征频率，也可以完全相干地驱动此类模式[21,22]，也基于它们与磁子的强耦合。在此背景下，过渡金属三硫属磷酸盐（MPX3，其中M = Ni、Fe、Mn、... 和X = S、Se）代表了一类有趣的范德华反铁磁体。[23–26] 虽然据报道在独立的 NiPS3 块体单晶中 [27] 可以产生光学磁振子，但这种材料缺乏可扩展性到二维极限。事实上，实验证明，NiPS3 的单原子层在磁排序上与 MnPS3 [28] 和 FePS3 [25] 并无不同。
双重超快贝塞尔脉冲在玻璃中能量沉积的纳米级限制
超快激光脉冲在介电时的贝塞尔束在空间形状上形成，产生了高纵横比等离子体通道，其松弛会导致纳米渠道的形成。我们报告了纳米渠道钻孔效率的强烈增强，并通过双脉冲在10至500 ps之间的延迟隔开。这使直径降低到100 nm的纳米通道形成。实验吸收测量结果表明，钻井效率的增加是由于能量沉积的结果增加所致。纳米通道的形成对应于第二脉冲吸收的急剧变化，证明了第一个脉冲产生的相变发生。这会产生一个高度吸收的长期状态。我们的测量结果表明，它与第一个激光脉冲照明后<10 ps的时间尺度内发生的温暖玻璃的半度性化兼容。
使用超快激光器的晶体硅的无形化和消融：对脉冲持续时间和辐照波长的依赖性
使用激光器以高空间精度实现硅中受控的晶体相变，承诺在包括硅光子学在内的半导体技术中新的制造溶液。最近的改善非晶厚度位置超快激光器作为应对当前挑战的最佳工具。在这里，审查了有关硅转化的文献，并与新的实验数据相辅相成。这包括非晶态和消融响应，这是脉冲持续时间的函数（𝝉 = 13.9至134 fs 𝝀 = 800 nm）和激光波长（𝝀 = 258至4000 nm，𝝉 = 200 fs脉冲）。对于脉冲持续时间依赖性的SI研究（111），非晶化的阈值随持续时间较短而降低，强调了在考虑条件范围内非线性吸收的显着性。对于波长依赖性研究，非晶化阈值从𝝀 = 258急剧增加到1030 nm，其次是接近恒定的行为至𝝀 = 3000 nm。相反，在这些指定的范围内的消融阈值增加。还讨论了在Si（111）和Si（100）上获得的非晶化厚度的差异，并识别出异常大的宽度范围，以在𝝀 = 258 nm处进行非晶化。最后，解决了与相互作用非线性无关的横向分辨率的问题。