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World File Search System辅助存储器
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积
基于单个电子自旋和量子点中核自旋集合存储器的量子中继器
受量子点核自旋控制和操纵方面的最新进展的启发，这些进展允许将电子自旋态转移到周围的核自旋集合中进行存储，我们提出了一种量子中继器方案，该方案结合了单个量子点电子自旋和核自旋集合，分别用作自旋光子接口和量子存储器。我们考虑使用嵌入高协同性光学微腔中的低应变量子点。量子点核自旋集合允许长期存储纠缠态，并且预示着纠缠交换是使用腔辅助门执行的。我们重点介绍了实现量子中继器方案所需的量子点技术的进步，该方案有望建立长距离高保真纠缠，其分布速率超过光子的直接传输。
逻辑平台上氧化物半导体增益单元存储器的设计指南
摘要 — 我们为氧化物半导体 (OS) 晶体管提供自上而下和自下而上的设计指南，这些晶体管针对逻辑平台上的增益单元存储器进行了优化。利用高密度、高带宽的片上增益单元存储器，通过最大限度地减少对片外动态随机存取存储器 (DRAM) 的访问，深度神经网络 (DNN) 加速器的执行时间可缩短 51-66%。为了平衡保留时间和存储器带宽（自上而下），选择原子层沉积 (ALD) 氧化铟锡 (ITO) 晶体管（自下而上）。经实验优化的器件表现出低关态电流（V GS = -0.5 V 时为 2 × 10 -18 A/µ m）、良好的导通电流（电源 < 2 V 时为 26.8 µ A/µ m）、低亚阈值摆幅 (SS)（70 mV/dec）和良好的迁移率（27 cm 2 V -1 s -1）。利用优化后的器件，在28nm节点、V DD = 0.9 V条件下模拟了一个64行（WL）×256列（BL）的增益单元存储器宏。模拟结果表明，混合OS-Si增益单元存储器实现了0.98倍频率和3倍静态随机存取存储器（SRAM）密度，而OS-OS增益单元存储器预计以N层3-D堆叠在0.5倍频率和N乘以1.15倍SRAM密度下工作。
向不特定对象发布A股可转换公司债券之上市保荐书
复旦微电是一家从事超大规模集成电路的设计、开发、测试，并为客户提供系统解决方案的专业公司。公司目前建立了健全安全与识别芯片、非扩散芯片、智能电表芯片、FPGA芯片和集成电路测试服务等产品线，产品广泛涉及金融、社会保障、防伪溯源、网络通讯、家电设备、汽车电子、工业控制、信号处理、数据中心、人工智能等领域。
计算机及其组件理论：05 分教科书...
计算机及其组件理论：05 分教科书问题 A. 多项选择题 1. 未处理的事实、数字和符号的集合称为 ____________。 (a) 信息 (b) 软件 (c) 数据和信息 (d) 以上都不是 答案。 (d) 以上都不是，因为正确答案是数据 2. ______________ 是数据的处理形式，组织得有意义且有用。 (a) 信息 (b) 软件 (c) 数据 (d) 以上都不是 答案。 (a) 信息 3. 硬件是计算机中具有可以看到和触摸的物理结构的任何部分。 (a) 对 (b) 错 (c) 不确定 (d) 以上都不是 答案。 (a) 对 4. 计算机硬件的组件是 ____________________________。 (a) 输入设备和输出设备 (b) 系统单元和存储设备 (c) 通信设备 (d) 以上所有 答案。 (d) 以上所有 5. __________ 设备接受来自用户的数据和指令。 (a) 输出 (b) 输入 (c) 硬件组件 (d) 存储 答案 (b) 输入 6. 哪种磁盘由涂有磁性材料的圆形薄塑料外壳组成？ (a) 硬盘 (b) 光盘 (c) DVD (d) 软盘 答案 (d) 软盘 7. ___________ 磁盘用于在更短的时间内以非常高的速度存储超过 25 GB 的数据。 (a) 数字多功能 (b) 紧凑 (c) 蓝光 (d) 以上都不是 答案 (c) 蓝光 8. 随机存取存储器和只读存储器是 _______________ 的例子。 (a) 主存储器 (b) 辅助存储器 (c) 辅助存储器 (d) 主存储器和辅助存储器 答案 (a) 主存储器 9. 哪种系统只使用数字 0 和 1？ (a) 位 (b) 二进制数系统 (c) 辅助数系统 (d) 半字节 答案(a) 位 10. 软件主要有两种类型，即 _________ 和 __________。 (a) 通用和定制 (b) 操作系统和实用软件 (c) 应用软件和系统软件 (d) 以上都不是 答案。 (c) 应用软件和系统软件 11. Gimp、Adobe Photoshop、Corel Draw、Picasa 等是 _________ 软件的例子。 电子表格 (a) 文字处理器 (b) 桌面出版 (c) 演示文稿 答案。 (b) 桌面出版 12. 哪一代计算机使用高级语言（例如 FORTRAN 和 COBOL）并且使用晶体管而不是真空管？ (a) 第一代 (b) 第二代 (c) 第三代 (d) 第五代
用于电阻存储器应用的钌络合物（II）薄膜的表征与分析
业界正在研究电阻式存储器件，尤其是那些基于可溶液处理、化学变化且成本低廉的有机材料的器件。在本文中，我们通过在 ITO 基板上旋涂一层有机的钌 (II) 薄层来制造电阻式存储器件。制造的电阻式存储器件利用通过旋涂沉积在 ITO 基板上的钌 (II) 薄层，表现出低电阻和高电阻导电状态。这些特性使它们非常适合电阻式随机存取存储器 (RRAM) 应用。RRAM 因其高可扩展性、快速切换速度和低功耗而成为一种很有前途的非易失性存储器技术。通过利用低电阻和高电阻状态，电阻式存储器件可以有效地存储二进制数据，为各种基于存储器的系统提供潜在应用，包括固态硬盘、嵌入式系统和物联网 (IoT) 设备。有机钌 (II) 薄层的使用为探索电阻式存储器器件的性能和稳定性提供了一种新途径，为 RRAM 技术的进一步发展铺平了道路。” 使用扫描电子显微镜 (SEM)、X 射线衍射 (XRD) 和能量色散 X 射线光谱 (EDX) 来表征该器件。还获得了这些器件的电流-电压特性。测量了低电阻和高电阻传导状态，发现它们非常适合电阻式随机存取存储器应用。此外，我们观察到随着有机层厚度的增加，开关得到改善，因此电阻比提高了 10 倍。 (2022 年 12 月 19 日收到；2023 年 8 月 7 日接受) 关键词：钌、开关、器件、电性能
使用重组酶存储器在DNA中记录分析物检测
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。这是该版本的版权持有人，该版本发布于2023年8月13日。 https://doi.org/10.1101/2023.08.10.552812 doi：Biorxiv Preprint
利用电阻开关存储器的非理想特性实现高效的机器学习
基于电阻开关存储器（也称为忆阻器或 RRAM）的新型计算架构已被证明是解决深度学习和脉冲神经网络能源效率低下问题的有前途的方法。然而，电阻开关技术尚不成熟，存在许多缺陷，这些缺陷通常被认为是人工神经网络实现的限制。尽管如此，可以利用合理的可变性来实现高效的概率或近似计算。这种方法可以提高稳健性、减少过度拟合并降低特定应用（如贝叶斯和脉冲神经网络）的能耗。因此，如果我们将机器学习方法适应电阻开关存储器的固有特性，某些非理想性可能会成为机会。在这篇简短的评论中，我们介绍了电路设计的一些关键考虑因素和最常见的非理想性。我们通过成熟的软件方法示例说明了随机性和压缩的可能好处。然后，我们概述了利用电阻开关存储器的缺陷的最新神经网络实现，并讨论了这些方法的潜力和局限性。
利用电阻开关存储器的非理想特性实现高效的机器学习
基于电阻开关存储器（也称为忆阻器或 RRAM）的新型计算架构已被证明是解决深度学习和脉冲神经网络能源效率低下问题的有前途的方法。然而，电阻开关技术尚不成熟，存在许多缺陷，这些缺陷通常被认为是人工神经网络实现的限制。尽管如此，可以利用合理的可变性来实现高效的概率或近似计算。这种方法可以提高稳健性、减少过度拟合并降低特定应用（如贝叶斯和脉冲神经网络）的能耗。因此，如果我们将机器学习方法适应电阻开关存储器的固有特性，某些非理想性可能会成为机会。在这篇简短的评论中，我们介绍了电路设计的一些关键考虑因素和最常见的非理想性。我们通过成熟的软件方法示例说明了随机性和压缩的可能好处。然后，我们概述了利用电阻开关存储器的缺陷的最新神经网络实现，并讨论了这些方法的潜力和局限性。
分析基于HFO2/Taox的3-D垂直电阻随机访问存储器阵列
摘要：提议三维垂直电阻随机访问记忆（VRRAM）作为增加电阻存储器存储密度的有前途的候选者，但是3-D VRRAM阵列的性能评估机制仍然不够成熟。先前评估3-D VRRAM性能的方法是基于写入和读取余量的。但是，3-D VRRAM阵列的泄漏电流（LC）也是一个问题。多余的泄漏电流不仅降低了记忆单元的读/写公差和责任，还可以增加整个数组的功耗。在本文中，使用3-D电路HSPICE模拟来分析3-D VRRAM体系结构中阵列大小和操作电压对泄漏电流的影响。模拟结果表明，迅速增加泄漏电流显着影响3-D层的尺寸。高读取电压是提高读取余量的预告仪。但是，泄漏电流也增加。减轻这一冲突需要在设置输入电压时进行权衡。通过分析多位操作对整体泄漏电流的影响，提出了提高阵列读/写入效率的方法。最后，本文探讨了减少3-D VRRAM阵列中泄漏电流的不同方法。本文提出的泄漏电流模型为3-D VRRAM阵列的初始设计提供了有效的性能预测解决方案。