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World File Search System输入电压
设计一个支持宽输入电压和电池电压的应用程序
此外，宽 V IN 和 V OUT 充电器使工程师能够采用新技术，例如 USB Type-C™ 电源传输和太阳能充电。使用带有 MPPT 算法的宽 V IN 和 V OUT 充电器（如 BQ25756）可帮助工程师设计可在任何地方使用太阳能电池板充电的产品，同时为消费者提供快速充电体验。将 BQ25756 与 TI USB-C PD 控制器配对可消除适配器仅适用于一个设备的麻烦。通过这种配对，消费者可以利用双向充电并使用通用 USB-C 适配器为许多应用充电，包括电动工具、电动自行车和便携式电站。宽 V IN 和 V OUT 充电器可以改善客户充电体验并缩短您的开发时间。
BQ25601 I2C控制1电池3-A降压电池充电器高输入电压和NVDC电源路径管理数据表（Rev. A）
• High-efficiency, 1.5-MHz, synchronous switch- mode buck charger – 92% charge efficiency at 2-A from 5-V input – Optimized for USB voltage input (5 V) – Selectable low power pulse frequency modulation (PFM) mode for light load operations • Supports USB On-The-Go (OTG) – Boost converter with up to 1.2-A output – 92% boost efficiency at 1-A output –准确的恒定电流（CC）极限 - 柔和启动高达500 µf电容载荷 - 输出短路保护 - 轻型功率PFM模式用于轻载荷操作•单个输入以支持USB输入和高电压适配器 - 支持3.9-V至13.5-V至13.5-V输入电压范围为22-V绝对最大输入范围，最大输入电压电压当前的限制为100 maa-3.MA，MA MA MA MA MA，MA MA MA MA 2.0，USB 3.0标准和高电压适配器（IINDPM） - 输入电压限制的最大功率跟踪高达5.4 V（VINDPM） - VINDPM阈值会自动跟踪电池电压 - 自动检测USB SDP，DCP，DCP和非固定电源适配器•较高的电源电源pather•MOSS MOSS PATTER（N.5-MOSS）•MOSS MOSS PATLECT（N.5-M）电源（N）即时启用没有电池或深层电池电池 - 在电池补充模式下的理想二极管操作•batfet控制以支持船舶模式，唤醒和完整的系统重置•灵活的自主和I 2 C模式以进行最佳系统性能•高集成•高度集成，包括所有MOSFET，包括当前的感应和循环补偿，高准确性•高准确性 - iC的频率–±0.5％iec and Curtion cultulation yeec and Curdundy candulty•当前级别•目前范围为1.5--A. 5--A. 5--A，1.5-a and Acculation-1.5-a A. 5-a.5-a，1.5-aa consecultion – 5-a and A. 5-a A. 5-a。 62368-1终端设备标准
任何其他测试，在原始电路板上使用较低负载以及使用 Itacoil 组件的任何负载，均在 270V 下进行。（3）最大输入电压
测试结果 目标是仅通过更换谐振回路来提高效率、成本和 Trise，而无需使用分立谐振电感器。尺寸、成本、效率和 Trise 都得到了显著改善。还要注意，中等负载下的效率提高达到 5%。由于 PFC 级保持不变，21% 的总功率损耗减少意味着 LLC 级的功率损耗减少约 30%。最后，使用集成变压器可提高 pri/sec 绝缘的水平和可靠性。测试变压器的结构允许超过 6KV 的介电强度和 10mm 的爬电距离，而无需额外成本。
及基于GaN的DC-DC宽输入电压范围降压转换器...
摘要 — 本文旨在比较具有宽输入电压范围的 DC/DC 拓扑。研究还解释了 GaN E-HEMT 晶体管的实现如何影响转换器的整体效率。本文介绍了选择最有效拓扑的过程，以将电池存储电压（9 V – 36 V）稳定在 24 V 水平，从而能够在自动电动汽车等广泛应用中使用超级电容器储能。为了选择最合适的拓扑，进行了模拟和实验室研究。选择了两种最有前途的拓扑在实验模型中进行验证。每个转换器都以两种版本构建：使用 Si 和 GaN E-HEMT 晶体管。本文介绍了实验研究结果，包括精确的功率损耗测量和热分析。还检查了转换器开关频率增加时的性能。
用于低频噪声测量的 FET 输入电压放大器
低频噪声测量仪器 (LFNM) 是用于表征各种设备的工具 [1]。它应用于许多技术，例如半导体 [2, 3]、微电子材料 [4–10]、电化学设备 [11]、光电探测器 [12–18] 以及其他材料 [19–21]。在本研究中，一些特殊放大器 (超低噪声放大器 - ULNA) 被广泛使用。它们的性能还用于检测技术 [22, 23]（作为传感器信号调节中的前置放大器）或其他低噪声仪器的特性分析 [24–27]。然而，这种放大器的设计需要对其组件进行噪声分析并选择无源和有源元件的配置。首先，应该在双极结型晶体管 (BJT) 和场效应晶体管 (FET) 技术之间进行选择。 BJT 的特点是电压噪声较低，电流噪声较高，这是由高基极电流引起的 [26]。在这种情况下，BJT 输入电流噪声随着基极电流的增加而增加，基极电流是将晶体管的工作点设置在有源区并获得高增益所必需的（电流增益系数也取决于基极电流）。使用这种技术，可以获得较低的放大器输入阻抗。然而，这些放大器需要在交流电中使用不稳定的电解电容器
低频噪声测量值的FET输入电压放大器
低频噪声测量值（LFNM）的仪器是一种用于特征广泛的设备的工具[1]。它应用于许多技术，例如。g。，半导体[2，3]，微电体材料[4-10]，电化学设备[11]，光电探测器[12-18]以及其他材料[19-21]。在这项研究中，广泛使用了一些特殊的放大器（超低噪声放大器 - 尺度）。他们的性能也用于检测技术[22，23]（作为传感器信号调节中的前置放大器）或其他低噪声仪器的表征[24-27]。但是，这种放大器的设计需要对其组件进行噪声分析，并选择被动和主动元素的配置。首先，应做出双极连接晶体管（BJT）和效应晶体管（FET）技术之间的选择。bjts的特征是较低的电压噪声和高基本电流引起的较高电流噪声[26]。在这种情况下，BJT输入电流噪声随着在活动区域中设置晶体管工作点并获得高增益所需的基本电流而增加（电流增益系数也取决于基本电流）。使用这项技术，可以获得放大器输入的较低阻抗。但是，这些放大器需要在AC