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新冠肺炎疫情与中国经济的关联
本文在时频框架内分析了中国新型冠状病毒肺炎（COVID-19）与失业率、股市、消费者信心指数（CCI）和经济政策不确定性（EPU）指数之间的相互作用。我们比较了全球金融危机（GFC）期间经济指标的变化，并研究了两次事件对中国经济的不同影响。通过对中国月度数据应用相干小波方法，发现COVID-19冲击对失业率、CCI、EPU指数和股市波动在低频段产生了前所未有的影响。COVID-19对股市波动和EPU指数的影响明显高于对失业率和CCI的影响。相反，GFC对失业率的影响远大于对EPU指数和CCI的影响。此外，GFC对经济的影响在长期内更具周期性，而COVID-19疫情是短期冲击，振荡周期相对较短。本研究得出的结论是，新冠肺炎疫情对中国的经济影响不会蔓延为金融危机，并认为新冠肺炎疫情对中国经济而言，更多的是一场健康事件，而非经济危机。
2024 年光子学伙伴关系年会
• 市场份额——过去几年，中国在光子学领域的市场份额迅速提升——经验法则：“3x3”——就增长和专用光子学项目而言 • 地缘政治——全球政治紧张局势加剧并不影响中国作为最大市场的地位，但光子学参与者价值链的强制性重新平衡为该行业开辟了新的机遇 • 地方和区域资金——与 EAC 在 2015 年的调查相比，中国的光子学资金目前更多地由地方政府和区域集群筹集，资本规模远大于国家基金 • 中国政策——没有专门的“中国芯片法”，而是有四项重要国家计划支持光子学行业的发展，旨在解决瓶颈问题并减少对外国技术的依赖 • 细分市场——中国的光子学市场由市场驱动，并广泛应用于工业和消费市场，例如显示器、照明、IT、电信、光伏和生产技术（激光）等。• 技术路线图 – 中国将集中投资解决整个光子价值链上的技术瓶颈
BSc 化学第 6 学期论文-1 无机...
在八面体配合物中，金属离子位于中心，配体位于六个角。图中，方向 x、y 和 z 指向八面体的三个相邻角。eg 轨道（dx 2 -y 2 和 dz 2 ）的叶瓣指向 x、y 和 z 轴，而 t 2g 轨道（dxy、dzx 和 dyz）的叶瓣指向轴之间。因此，六个配体沿 x、yz、-x、-y 和 –z 方向的接近将使 dx 2 -y 2 和 dz 2 轨道（指向配体）的能量增加，远大于使 dxy、dzx 和 dyz 轨道（指向金属-配体键轴之间）的能量增加。因此，在八面体场的影响下，d轨道分裂为能量较低的三重简并轨道和能量较高的双重简并轨道。这两组轨道之间的主能级取为零，称为重心。这两个轨道之间的分裂称为晶体场分裂。稳定度为0.4 Δ o ，不稳定度为0.6 Δ o 。
全球科技基金 - USD 类
2024 年第四季度 (4Q24)，全球股市受到投资者对经济增长、部分地区持续通胀以及 2025 年进一步降息可能性的担忧。全球制造业活动在 11 月趋于稳定后于 12 月收缩，而全球服务业活动在 11 月连续第 22 个月扩张，12 月的快报显示许多地区继续保持强劲势头。2024 年底，IT 与通信服务几乎并列成为全球表现最佳的行业。总体而言，IT 公司在 2024 年第三季度的销售额和盈利增长方面均高于平均水平，其中大多数公司在这两个方面都超过了分析师的普遍预期。随着人工智能资本支出 (capex) 轨迹的增强，人工智能 (AI) 的采用和需求相关数据继续走强，许多从事人工智能领域的公司都在加强未来更高支出水平的计划，因为投资不足的风险通常被认为远大于投资过度的风险。尽管如此，偶尔出现的好坏参半的经济和企业盈利信号令投资者在整个 2024 年第四季度保持谨慎。
全球科技基金 - 澳元对冲类
2024 年第四季度 (4Q24)，全球股市受到投资者对经济增长、部分地区持续通胀以及 2025 年进一步降息可能性的担忧。全球制造业活动在 11 月趋于稳定后于 12 月收缩，而全球服务业活动在 11 月连续第 22 个月扩张，12 月的快报显示许多地区继续保持强劲势头。2024 年底，IT 与通信服务几乎并列成为全球表现最佳的行业。总体而言，IT 公司在 2024 年第三季度的销售额和盈利增长方面均高于平均水平，其中大多数公司在这两个方面都超过了分析师的普遍预期。随着人工智能资本支出 (capex) 轨迹的增强，人工智能 (AI) 的采用和需求相关数据继续走强，许多从事人工智能领域的公司都在加强未来更高支出水平的计划，因为投资不足的风险通常被认为远大于投资过度的风险。尽管如此，偶尔出现的好坏参半的经济和企业盈利信号令投资者在整个 2024 年第四季度保持谨慎。
掺杂威尔半金属中反演对称性破缺的超导性可视化
外尔半金属 MoTe 2 为研究外尔物理与超导之间的相互作用提供了难得的机会。最近的研究发现，Se 取代可以将超导性提高到 1.5 K，但会抑制对于外尔态的出现至关重要的 T d 结构相。迄今为止，尚未建立对增强超导和 T d 相可能共存的微观理解。在这里，我们使用扫描隧道显微镜研究了最佳掺杂的超导体 MoTe 1.85 Se 0.15，其体相 T c ∼ 1.5 K。通过准粒子干涉成像，我们发现了具有破缺反演对称性的低温 T d 相的存在，其中超导性全局共存。此外，我们发现从上临界场和涡旋附近的态密度衰减中提取的超导相干长度远大于现有化学无序的特征长度尺度。我们发现 MoTe 1.85 Se 0.15 中的 Weyl 半金属正常相具有稳健的超导性，这使它成为实现拓扑超导的有希望的候选材料。
断裂力学参数和疲劳理论演化模型的综合推导：基础综述
摘要 裂纹的存在会导致结构钢在临界屈服强度以下失效。本文的主要目的是简化和整合应力集中、断裂应力、应力强度因子、裂纹尖端张开位移和 J 积分参数的数学推导，从第一原理开始，并应用于疲劳。本文解释了从理论概念中断裂力学参数的数学推导，包括使用基于应变的方法预测疲劳寿命的替代方法。只有当缺口半径远大于零时，缺口周围的应力集中才会发生，当裂纹尖端半径等于零时，尖锐裂纹处的应力场会显示奇异性。此外，钝化裂纹尖端违反了应力奇异性，而裂纹尖端张开位移和 J 积分参数显示了裂纹延伸超过零裂纹尖端半径的解，因此用于表征具有钝化裂纹尖端的材料应力场。本文强调了使用 J 积分和裂纹尖端张开位移参数而不是应力强度因子来表征疲劳裂纹扩展的好处。本文将主要使核能、航空、石油和天然气行业的工程师和专家受益。
硅 MOS 电容器中的低压交流电致发光
低功耗硅基光源和探测器因其易于工艺集成而对片上光子电路具有吸引力。然而，传统的硅发光二极管发射的光子能量接近能带边缘，而相应的硅光电探测器缺乏响应度。另一方面，以前报道的利用反向偏置二极管的热载流子电致发光硅器件需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下工作的硅金属氧化物半导体电容器中的热载流子电致发光。在每个电压瞬变期间，源接触边缘都会产生较大的能带弯曲，远大于稳定状态下可实现的能带弯曲。因此，电子和空穴在相应的电压瞬变下从单个源接触有效地注入硅通道，随后它们在那里经历碰撞电离和声子辅助带间复合。值得注意的是，我们通过使用 20 nm 厚的高 j 栅极电介质展示了低至 2.8 V 的低压操作。我们表明，通过减少栅极电介质厚度可以进一步实现电压缩放，从而为硅光电集成电路提供低压平台。
MBE 生长的 SixGe1 − x − ySny 合金的拉曼位移......
尽管可以用卢瑟福背散射光谱法 (RBS) 和 X 射线衍射 (XRD) 高精度地测量材料成分和应变，但这些技术非常耗时，并且提供的信息是样品相对较大区域的平均信息，远大于典型的设备尺寸。这使得它们不适合表征亚微米级的成分和应变变化，这种变化发生在例如选择性半导体生长过程中或结构化之后。透射电子显微镜 (TEM) 结合能量色散 X 射线光谱法 (EDXS) 或电子纳米衍射可以提供具有纳米级分辨率的成分和晶格信息，但是这些技术需要破坏被分析的样品。相反，微拉曼光谱可以提供亚微米分辨率和高速，并且是非破坏性的。因此，微拉曼光谱可以成为研究 Si x Ge 1 − x − y Sn y 层中材料成分和应变的有效工具。为了通过拉曼光谱测量成分和应变，必须推导出拉曼光谱峰位置与材料成分以及应变之间的经验关系。之前对 Si x Ge 1 − x − y Sn y 合金拉曼位移的研究
电源结至外壳热特性问题...
有几种方法可以定义结到外壳的热阻；然而，用一个数字准确且可重复地描述封装中的热流是相当具有挑战性的。对于许多功率封装系列（如 TO 型封装），热瞬态测试和所谓的双界面方法可以提供可靠的结果。双热瞬态的结构函数分歧点可以很好地描述此类结构中的材料界面。然而，分歧点的位置和性质在很大程度上取决于热扩散的形状和方向。如果封装面积远大于散热芯片，则使用不同的界面时热流的形状会发生变化 [1,2]。这导致与两种设置相对应的结构函数在到达外壳表面之前就有很大偏差。本文探讨了这种现象的起源。对不同的大型 IGBT 模块进行了测量和模拟结果比较，对其结构进行了多项修改，从而可以详细分析热流路径。对只加热大模块的一小部分和加热所有芯片进行了比较。一些样品经过了热循环可靠性测试，导致芯片下方出现裂纹。借助结构函数，可以直观地看到减少芯片贴装面积的影响。