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热和离子处理对纳米级薄膜的影响...
本研究采用渐进式划痕试验研究了采用直流磁控溅射制备的 Ni(25 nm)/Cu(25 nm)/Cr(25 nm) 三层薄膜的微摩擦学特性。研究并比较了四种不同类型的薄膜：沉积态薄膜、低能 Ar + 离子辐照后的薄膜、在真空中 450 °С 退火 15 分钟的薄膜以及离子辐照后真空退火的薄膜。划痕试验辅以结构 (XRD) 和化学 (AES) 实验研究。结果表明，在所有研究的薄膜中，离子辐照后退火的样品表现出最好的微摩擦学和耐磨特性。辐照后退火的样品表现出最高的抗划痕性、光滑的划痕形状、最低的峰值切向力值以及没有侧裂纹和薄膜分层。本文讨论了这种行为的可能原因。
在纳秒激光退火的SI 1 – X GE x /si Epilayers < /div>中研究重结晶和应力松弛
Sige合金数十年来引起了很多兴趣，尤其是在微电子行业中。如今，它们已在许多设备中使用。的确，由于GE [1]中的较高的孔迁移率和相对较小的晶格参数差异，因此它们与硅设备的兼容性使得能够设计出诸如应变，载流子迁移率和带盖之类的特性。一个人可以使用sige：b源和排水量来压缩PMOS通道，从而改善其电气性能[2]。但是，设备的连续微型化需要形成越来越浅的源/排水（S/d）连接，但具有高掺杂剂激活。因此，退火过程时间尺度变短且较短[3,4]。纳秒激光退火（NLA）可以达到SI [5-7]或GE [8,9]中的较高掺杂剂的激活。紫外线NLA（UV-NLA）也可以用于3D整合，因为其短脉冲持续时间及其短波长导致表面附近的高退化温度，同时将嵌入式层保持在较低的温度下[10-13]。
量子退火在快速溶液结构识别中的潜力
摘要 量子计算机、相干伊辛机和数字退火机等新型计算设备的出现为硬件加速混合优化算法提供了新的机会。不幸的是，利用新型硬件平台展示无可置疑的性能提升面临着重大障碍。一个关键挑战是理解区分此类设备与现有优化方法的算法特性。通过精心设计人为的优化任务，这项工作为量子退火的计算特性提供了新的见解，并表明该模型有可能快速识别高质量解决方案的结构。与涵盖完整搜索和局部搜索的各种算法进行细致的比较表明，量子退火在所提出的优化任务上的表现是不同的。这一结果为时间尺度和优化问题类型提供了新的见解，在这些优化问题中，量子退火有可能比现有的优化算法提供显着的性能提升，并建议开发结合量子退火的最佳特性和最先进的经典方法的混合算法。
磁控共溅射生长的富 Ge Al2O3 薄膜相变的光谱表征
研究了不同 Ge 含量的 Ge-rich-Al 2 O 3 薄膜在热刺激下光学和结构特性的演变。发现无论 Ge 含量如何，沉积态薄膜和在 TA 550 C 下退火的薄膜都是非晶态的。非晶态 Ge 团簇在 TA = 550 C 时形成，而在 TA = 600 C 时它们的结晶化最为明显，Ge 含量越高，退火时间越短。在 TA = 550 C 下退火的薄膜显示出宽广的光致发光光谱。其形状和强度取决于 Ge 含量和激发能量。在 TA = 600 C 下退火会导致出现额外的 UV 带，这些带源自 GeO x 相覆盖的 Ge 团簇的形成。对激发光谱进行了分析，以区分这些薄膜中的发光机制，并区分 Ge 相（非晶团簇和/或纳米晶体）中载流子复合的贡献以及通过界面或宿主缺陷的贡献。还估算了自由载流子的浓度和迁移率。
劳伦斯·伯克利国家实验室
我们提出了一种替代方法，该方法将模式识别表示为使用退火的二次无约束的二进制优化（QUBO； np-hard概率），这是一种符合目标函数的全局最小值的过程 - 在我们的情况下，是二进制变量而不是二进制变量的二等函数。术语nealing的灵感来自重复加热和冷却的冶金过程，以消除晶格结构中的位错。同样，此处使用的是，退火优化过程使用随机的“热”闪光来找到目标函数的更好结果，并结合了“冷却”，从而可以大大降低接受较差结果的可能性。量子退火基于绝热定理：如果对其作用的扰动很小，并且不足以跨越地面和第一个激发态之间的间隙，则系统将保留在其本征状态。因此，有可能用简单的基态哈密顿式初始化量子退火器，并将其绝热地发展到所需的，复杂的，问题的哈密顿量。进化后，量子弹性（例如隧道）将退火器带入了后者的基态，代表了问题的全球最小解决方案。量子退火的所有步骤均在整个系统上运行，因此所需的总时间原则上与系统大小无关。因此，只要退火器上的问题拟合，总的运行时间应该是恒定的，并且足够大的量子系统（运行一个大问题）应优于基于软件的问题。
查询和交易计划的优化
研究主要集中在量子计算[103]上。其中一些研究是通过应用量子退火进行查询优化[101,124]、多查询优化[133]和事务调度[15]来提高数据库性能。[124,133]中的研究表明运行时间提高了 10 3 倍。第三项研究[15]表明，随着问题规模的增加，量子退火的运行时间保持不变，而经典模拟退火的运行时间则迅速增加。此外，预计未来几年量子计算机的容量将迅速增加，并且几年后将出现比云端量子计算机延迟更低的现场量子计算机（见第 2 节）。有了这些有希望的结果，显然有必要研究解决数据库问题的可能的量子加速方法。在本文中，我们旨在通过展示各种量子方法如何通过查询优化和事务调度问题的参数进行扩展，并提出开发这些方法并将其集成到数据库系统中所面临的挑战，为此类研究提供指导。本文的其余部分安排如下。第 2 节重点介绍量子计算技术的现状及其预计的未来时间表。第 3 节详细介绍了两个感兴趣的 DBMS 问题。在第 4 节中，我们介绍了可用于加速数据库问题的各种量子方法及其量子位和电路深度要求。第 5 节通过讨论开放的挑战提出了未来研究的新方向。最后，第 6 节总结了我们的研究结果。
D-Wave 计算机
1. 一开始旅行者会同时占据多个坐标（量子叠加现象） 2. 随着退火的进行，位于任意给定坐标的概率会平稳变化，在深谷坐标附近概率会增大 3. 量子隧穿让旅行者可以穿过山丘，而不是被迫爬山，从而减少被困在非全局最小值的山谷中的可能性 4. 量子纠缠进一步改善了结果，让旅行者能够发现通往深谷的坐标之间的关联
退火合成亚铁磁多层膜中增强的全光切换和畴壁速度
25 请参阅补充信息以了解 (I) 对退火后的 Pt/Co/Gd 堆栈进行的 SQUID M(T) 测量分析；(II III) 对在不同 Ta 下退火的样品进行多达 10 个后续激光脉冲的测量；(III) 对具有不同 Ta 的 Pt/Co/Gd 堆栈进行的脉冲能量相关的 AOS 测量；(IV) 按正常比例绘制的 DW 速度与 Hz 的关系；以及 (V) 在退火后的 Pt/Co/Gd 堆栈上进行的 HDMI 测量。
PDF 628.75 K-埃及化学杂志
钛取代的灯笼型锰锰矿LSMTO（LA 0.5 sr 0.5 sr 0.5 mn 1-x ti x o 3，x = 0，0.1）纳米脂源是使用有机酸前体使用甘氨酸硝酸盐作为燃料来制备的。在不同的钙化温度为800至1200oC的不同钙化温度下，结构，微结构，磁性，抗微生物活性以及LA 0.5 sr 0.5 sr 0.9 ti 0.1 o 3的抗癌活性被仔细检查。在不同的合成条件下证明了带有空间群PBNM的理想原骨钙钛矿LSMTO。但是，在不同温度下退火的LSMO中的Ti 4+离子代替Mn 4+离子导致结晶石大小从13.57到16.10 nm的增加。FT-IR光谱阐明了与Mn-O相关的600 cm -1频段将宽泛归因于Ti-O拉伸模式。产生的样品的形态似乎是球形分组。磁化的温度依赖性证实，由于FM MN 3+ –O-MN 4+相互作用中断，Ti +4离子是铁磁（FM） - paramagnetic（PM）双交换过渡的弱。摩尔磁敏感性随温度的增加。随后，随着温度的增加，发现居里温度值从373 K增加到383 K。最终，LSMTO粉末对在800、1000和1200°C下退火的LSMTO分别对IC 50值（105、135和152μg/ml）具有细胞毒性作用。