2019 年 7 月 11 日,联邦通信委员会 (FCC) 发布了一份关于改造 2.5 GHz 频段的报告和命令 (WT 案卷编号 18-120),其中 FCC 为部落国家提供了一个优先窗口,以便他们在农村部落土地上获得 2.5 GHz 频段的使用权。2.5 GHz 农村部落优先窗口 (优先窗口) 的申请于 2020 年 2 月 3 日开放,并于 2020 年 9 月 2 日关闭。FCC 于 2020 年底开始授予许可申请,并在审核待批申请的同时继续授予新许可。虽然计划申请窗口已关闭,但仍有项目正在获得资金批准。根据优先窗口获得许可的部落必须在严格的期限内建设宽带网络基础设施,以便在获得许可后的两年内为许可区域内 50% 的人口提供服务,并在五年内为 80% 的人口提供服务。对于许多部落来说,他们能否成功满足这些期限并保留这些许可证取决于他们能否及时获得其电信项目的 ROW。
Ivo Rendina 自 1985 年开始从事研究工作,同年他在位于罗马弗拉斯卡蒂的 ENEA 国家实验室开始撰写实验论文。1987 年,他获得物理学学位,并以研究员和博士生的身份开始与那不勒斯费德里科二世大学的电子和电气工程系合作。 1989 年至 2002 年,他在那不勒斯 CNR 的电磁和电子元件研究所 (IRECE) 从事科学研究,从学者开始,直至 2001 年担任研究所所长。他一直担任该职位,直到 2002 年,在 CNR 重组过程之后,IRECE 的“电子设备科”为微电子和微系统研究所 (IMM) 的成立做出了贡献,建立了 IMM 的“那不勒斯部门”,在那里他协调了一个非常活跃的研究小组的活动,该小组在光学设备、传感器和微系统物理领域非常活跃。2012 年,他获得了竞争性领域 09/E3 电子学和 02/B3 应用物理学的一级大学教授资格(根据 2012 年 7 月 20 日的 DDn222)。 2019 年,IR 成为 CNR 应用科学与智能系统研究所“Eduardo Caianiello”(ISASI) 所长,IMM 那不勒斯分部于 2020 年加入 ISASI。IR 是多个国际会议的主席和组织者,例如光学微系统 EOS 专题会议系列(自 2005 年起)、光学+光电子 SPIE 会议系列(自 2013 年起)、2013 年和 2014 年的 Fotonica 会议、2008 年的 EOS 年会、2007 年的第十二届传感器和微系统会议。他曾担任 EOS、SPIE、OSA 和 IEEE 在光学和光子学领域组织的多个国际会议的科学和技术委员会成员、国际科学期刊的客座编辑、国际博士委员会主席、意大利部委和捷克科学院的科学评估员。他拥有 9 项专利,撰写或合作撰写了 300 多篇出版物,并在纳米光子学和纳米系统领域的科学会议上发表了 20 多次受邀报告和全体会议报告。
4. 申请人认证:1. 我理解,在签发安装访问通行证之前和之后,我必须同意德特里克堡游客控制中心进行初步和定期背景筛查。不这样做将导致申请流程终止。我进一步理解,这些背景筛查将决定我在所申请访问期间的访问资格和继续访问资格。2. 我理解,我的访问权限可能随时被撤销,无需理由或通知。3. 我理解,我必须妥善保管我的通行证,以防止损坏或不必要的磨损、丢失或被盗。4. 我理解,如果通行证丢失、损坏或被盗,我必须立即向 VCC 报告。5. 以上提供的所有信息均真实准确,我已阅读作为德特里克堡访问申请人的所有责任。____________________________________ _______________________________________ __________________
AA 课程 2018-19 和 2019-20 帕多瓦大学,农学院,葡萄遗传学和基因组学课程(12 小时,与所有者 S. Varotto 共享 48 小时课程) 2 AA 2016-2018 维罗纳大学,农业工业生物技术学院,基因组结构和功能课程(48 小时) 3 AA 2015-2018 费拉拉大学,生物学院,植物生物技术课程(48 小时) 11 AA 2002-2013 维罗纳大学,医学院,分子生物学课程(20 小时,48 小时课程共享) 2 AA 2009-2011 博洛尼亚大学,生物学院,进化遗传学课程(96 小时) 2 AA 2006-07 及2008-09 那不勒斯大学,农学院,葡萄基因组学课程(16 小时,与 L. Frusciante 教授共享 48 小时课程) 1 AA 2002-2003 特伦托大学,计算机科学学院,分子生物学课程(48 小时)
自 2016 年起,担任 UOS 材料和设备表征代表。自 2001 年起,担任 UOS X 射线衍射和 X 射线反射率实验室负责人。从事微电子应用材料领域的研究。研究领域:微电子用氧化物和硫族化物材料、原子层沉积和 MOCVD 沉积、相变存储器、微电子机械系统 (MEMS)、热电材料、拓扑绝缘体。COST 行动 MP1402 HERALD(连接欧洲 ALD 研究)副协调员、LAB4MEMSII 项目(ENIAC 呼叫 2014)副协调员,参与不同的 H2020 和 FP7 项目。欧洲项目 Chemaph(FP7)协调员,负责 PRIN 项目的 CNR。意大利和法国双边项目的协调员,由法国-意大利大学支持。在与 Micron 和 STMicroelectronics 的商业合同竞争中,负责与存储设备和 MEMS 相关的不同活动。拥有美国专利。参与国际项目 VAMAS,旨在实现 X 射线反射率测量的标准化。参与计量项目:IND07,薄膜制造计量,欧洲计量研究计划 (EMRP) 联合研究项目,呼吁 2010 工业 (IND),
1. 我理解,在签发设施访问通行证之前和之后,我必须同意 Fort Devens 警方进行初步和定期背景筛查。不这样做将导致申请流程终止。我进一步理解,这些背景筛查将决定我是否有资格访问以及在我请求的访问期间是否继续访问。2. 我理解,我的访问权限可能随时被撤销,无需理由或通知。3. 我理解,我必须妥善保管我的通行证,以防止损坏或不必要的磨损、丢失或被盗。4. 我理解,我必须立即向 Fort Devens 警方报告任何丢失、损坏或被盗的通行证。5. 以上提供的所有信息均真实准确,我已阅读作为 Fort Devens 及其周边设施访问申请人的所有责任。
1. 我理解,在签发设施访问通行证之前和之后,我必须同意 Fort Devens 警方进行初步和定期背景筛查。不这样做将导致申请流程终止。我进一步理解,这些背景筛查将决定我是否有资格访问以及在我请求的访问期间是否继续访问。2. 我理解,我的访问权限可能随时被撤销,无需理由或通知。3. 我理解,我必须妥善保管我的通行证,以防止损坏或不必要的磨损、丢失或被盗。4. 我理解,我必须立即向 Fort Devens 警方报告任何丢失、损坏或被盗的通行证。5. 以上提供的所有信息均真实准确,我已阅读作为 Fort Devens 及其周边设施访问申请人的所有责任。
例如,您的智能卡已装有Rs。45/ - 旅行通行证,您的旅行日期即可在11月2日提供15次旅行。您以15卢比或卢比的价格旅行。55/ - ,一次旅行将从可用的旅行中扣除,剩下的旅行余额将为14次旅行3。如果过度旅行,将从可用的旅行余额中扣除一次旅行。您需要
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4.1 模拟模型变量 ................................................................................................43 4.2 运输策略 ..............................................................................................................44 4.3 结果 – 个别实例 ..............................................................................................50 4.4 结果 – 模拟模型摘要 ......................................................................................63 4.5 回归分析 .............................................................................................................68 4.6 敏感性分析 – 利润边界 .............................................................................74 4.7 敏感性分析 – 燃料成本盈亏平衡点 .............................................................77 4.8 敏感性分析 – 延误时间 .............................................................................................80 4.9 利润损失 .............................................................................................................86 4.10 冲突消除方法...........................................................90 4.11 定价策略.................................................................................................101