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金属构造剂...
图1。A）在PT/INGA/N -SI/SIO/SIO X/PT下，AO-ECL发射（AO-ECL）的方案是由EXC光子吸收触发的。b）电荷传输机制的方案，导致可见的440-nm光子在固体界面处产生。c）在PT/INGA/INGA/N -SI/SIO X/PT（CYAN曲线）和电解质吸收（灰色曲线）时，在PT/INGA/N -SI/N-SIO/SIO X/PT（灰色曲线）时，在PT/INGA/N -SI/N-SI/N-SIO/SIO X/PT（灰色曲线）处的IR 850 nm LED（棕色曲线）的归一化光谱。si bandGap由虚线的黑线表示，由AO-ECL诱导的波长的移位由红色箭头表示。d）N -Si/Sio X的XPS调查光谱，在涂层之前（橙色曲线）和N -SI/SIO X/PT的N -Si/Sio X/PT，在溅射2 nm厚的PT膜（粉红色曲线）后。
研究报告通过控制金属氧化物纳米结构实现高速充放电...
在750℃下烧成6小时以上，成为单斜晶WO 3 相。 P-2、P-3在烧成前为单斜晶系WO 3 、三斜晶系WO 3 、单斜晶系W 0.71 Mo 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297)，但在750℃下烧成6小时以上，变为单斜晶系W 0.71 钼 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297) 和矩形 W 0.4 Mo 0.6 O 3 (PDF 01-076-1280)。 P-4在750℃下烧制24小时之前，单斜晶系W 0.71 Mo 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297)、矩形W 0.4 Mo 0.6 O 3 和单斜晶系MoO 3 混合，但经过100小时后。煅烧后，MoO 3 峰消失，单斜晶系W 0.71 Mo形成了0.29 O 3 和矩形晶体W 0.4 Mo 0.6 O 3 。 P-5在烧成前为单斜MoO 3 (PDF PDF 00-047-1081)，但烧成6小时以上后，变为具有层状结构的矩形MoO 3 (PDF 03-065-2421)。
增材制造 - 金属 AM
据称，Sapphire 激光粉末床熔融 (LPBF) 金属 AM 系统专为大批量生产而设计。它包括一个直径 315 毫米、高 400 毫米的构建包络，配备双 1 kW 激光器操作。为了实现卓越的部件间一致性，Velo3D 报告称，Sapphire 的集成原位工艺计量技术可实现闭环熔池控制，据称这是同类产品中的首创。据称，该系统能够构建复杂的几何形状，并允许设计出无支撑的悬垂度低至五度，以及高达 40 毫米的大型无支撑内径。据报道，最小特征尺寸和壁厚低于 250 µm。为了最大限度地提高生产率，Sapphire 系统包含一个可实现自动切换的模块，使新的打印能够在 15 分钟内无需操作员参与即可开始。
