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World File Search System金红石
从第一原理研究金红石 GeO2 的电子和空穴迁移率
金红石二氧化锗 (r-GeO 2 ) 是最近预测的一种超宽带隙半导体，在高功率电子器件中具有潜在的应用，其中载流子迁移率是控制器件效率的重要材料参数。我们应用基于密度泛函和密度泛函微扰理论的第一性原理计算来研究 r-GeO 2 中的载流子-声子耦合，并预测其声子限制的电子和空穴迁移率随温度和晶体取向的变化。计算出的 300 K 下的载流子迁移率为 l elec ; ? ~ c = 244 cm 2 V 1 s 1 ，l elec ; k ~ c = 377 cm 2 V 1 s 1 ，l hole ; ? ~ c = 27 cm 2 V 1 s 1 ，和 l hole ; k ~ c = 29 cm 2 V 1 s 1 。室温下，载流子散射以低频极性光学声子模式为主。n 型 r-GeO 2 的预测 Baliga 性能系数超过了 Si、SiC、GaN 和 b -Ga 2 O 3 等几种现有半导体，证明了其在高功率电子设备中的卓越性能。
通函编号：314-01-1255c，发布日期：2019 年 8 月 21 日
A = 酸性（氧化）覆盖层；B = 碱性覆盖层；C = 纤维素覆盖层；R = 金红石覆盖层；RA（AR）= 混合金红石-酸性覆盖层；RB = 混合金红石-碱性覆盖层；RC = 混合金红石-纤维素覆盖层；RR = 金红石厚覆盖层；焊接工艺 131 和 135 使用实心焊丝时以 S 字母索引表示。根据 ISO 17632，根据成分，药芯焊丝（焊接工艺 114、133 和 136）的填料类型根据表 4.3.2.3 中的字母索引表示。
非晶态铱的锂导向转变（氧化物...
摘要：氧析出反应 (OER) 对基于水电解的未来能源系统至关重要。氧化铱是极具前景的催化剂，因为它们在酸性和氧化条件下具有耐腐蚀性。在催化剂/电极制备过程中，使用碱金属碱制备的高活性铱（氧）氢氧化物在高温（>350°C）下会转变为低活性金红石 IrO 2。根据碱金属的残留量，我们现在表明这种转变可以产生金红石 IrO 2 或纳米晶态锂插层 IrO x 。虽然转变为金红石会导致活性较差，但锂插层 IrO x 具有与高活性非晶态材料相当的活性和更好的稳定性，尽管在 500°C 下处理。这种高活性纳米晶态的铱酸锂可以更耐受生产 PEM 膜的工业程序，并提供一种稳定非晶态铱（氧）氢氧化物中大量氧化还原活性位点的方法。 ■ 简介
文章
萨拉哈丁大学理学院物理系，伊拉克Erbil 44001。doi：https：//doi.org/10.47011/17.5.5.9接收到：07/06/2023;接受：20/09/2023摘要：在这项研究中，使用TICL 4作为泰坦尼亚前体的水热技术，在氟掺杂的氧化锡（FTO）底物上生长了良好的金红石TIO TIO 2纳米棒阵列。检查了水热反应（生长）时间对纳米结构制备过程中纳米结构形状和大小变化的影响。研究使用各种分析技术（例如X射线衍射（XRD），田间发射扫描电子显微镜（FESEM），拉曼光谱和UV-Vis-vissible分光光度计）研究了制备的TIO 2纳米棒的特性。通过在优化的生长温度，前体浓度和酸度等优化生长因子（例如生长温度，前体的浓度和酸度）上改变水热反应时间，从而获得了TIO 2纳米棒的不同结构，形态和光条间隙。组成仍然是金红石，尽管纳米棒的粒径和平均直径随生长时间变化。观察到吸收边缘转移到更长的波长（红移），并且随着生长时间的增加，TIO2的预测带隙减小。此外，通过拉曼光谱分析确认金红石相。
接近NBO2 ...
抽象NBO 2是由于室温高于室温的绝缘体金属过渡而导致电阻开关设备的有前途的候选者，这与从变形金红石结构到未染色的相关相关。然而，到目前为止生产的NBO 2薄膜的电阻率太低，无法达到高开关开关比率。在这里，我们报告了通过脉冲激光沉积在MGF 2（001）底物上生长的单晶NBO 2（001）薄膜的结构，电和光学表征。退火步骤在NBO 2（004）X射线Bragg反射的一半最大宽度下减少了一个数量级，而膜的电阻率则增加了两个数量级，在室温下约为1kΩcm。退火样品的温度依赖性电阻率测量表明，低于650 K的两个深层缺陷，激活能为0.25 eV，0.37 eV占主导地位，而高于650 K的内在传导高于650 K。通过光谱椭圆法和与垂直于垂直于扭曲的金红石结构的C轴的电场矢量吸收的吸收测量值的光学表征，表明在室温下约0.76 eV的基本吸收开始，而在4 K时，发作转移到0.85 eV。这些光学转变被解释为在理论上预测的间接带隙的变形金红石NBO 2的间接带隙。
矿砂：从古代海洋到现代科技
金红石、钛铁矿（钛） 钛矿石用于各种产品。全球 80% 的钛市场涉及 TiO 2 的生产，TiO 2 是一种白色颜料，用于生产油漆、牙膏和塑料，提供无毒的紫外线防护。此外，少量的钛用于生产钛化学品、钛金属、玻璃生产、焊条电极和炼钢。
SPIE 会议录 - NSF-PAR
二氧化钒 (VO 2 ) 作为相变材料，可控制金属和绝缘体状态之间相变过程中传递的热量。在温度高于 68 ̊C 时，金红石结构的 VO 2 可阻挡热量并增加红外辐射反射率，而在较低温度下，单斜结构 VO 2 可充当透明材料并增加透射辐射。在本文中，我们首先介绍 VO 2 在高温和低温下的金属-绝缘体相变 (MIT)。然后，我们通过 Ansys HFSS 模拟超材料反射器的超表面 VO 2 ，以显示 VO 2 的金红石和单斜相的发射率可调性 (Δε)。在下一节中，我们将回顾在玻璃和硅基板上通过改变溅射气体压力和基板温度沉积热致变色 VO 2 的最新进展。最后，我们介绍了在高于 300̊C 的温度下，用 V 2 O 5 靶在不同氧气和氩气组合的环境中在厚 SiO 2 基底上原位溅射 VO x 薄膜的结果，然后用 x 射线衍射 (XRD) 方法对其进行了分析。基于热致变色 VO 2 的超材料结构在过去几年中为被动节能光学太阳能反射器开辟了一条新途径。
研究TiO2 sol- ...
这项工作描述了用溶胶 - 凝胶过程和控制结晶的高折射率和低散射的二氧化钛膜的精心设计。使用椭圆测量法，分光光度计，X射线衍射和电子显微镜，研究了融合二氧化硅对熔融二氧化硅上的溶胶 - 凝胶加工钛涂层的晶体结构的发展。它表明，可以分别以0.5％和1％的相关光损失为2.5和2.7折射率的解剖酶和金红石涂层，这对于集成光子学的应用是极好的妥协。这些演变与热诱导的传质和热退火期间发生的相变有关，这涉及首先涉及催化酶多向纳米晶体的成核生长和烧结，然后转化为金红石多偏的纳米晶体。同时，通过扩散的烧结来产生微米大小的金红石单晶和单方面的血小板斑点，带有（110）面的（110）面部与表面消耗周围的解剖酶和金红石纳米晶体的面孔，表现为2.73和1.2％的折射率。这些血小板的形成受表面能的控制，并导致光损耗的增加。
ruo2中的多频道传输
对RUO 2的基础研究始于60年前，当时它被确定为高度金属的氧化物[1-3]。 其化学稳定性和直接合成意味着它迅速发现应用是精度电阻的组成部分，并且早期也被鉴定为用于半导体设备的潜在屏障材料[4]。 在过去的二十年中，它已经看到了作为催化剂的兴趣[5]，以及可能的应用作为锂储存材料[6]。 在过去的几年中，实验和理论工作表明，即使是如此简单且众所周知的材料也可以容纳物质的外来状态。 ruo 2已成为一种候选材料，该材料托有altermagnetism，在该状态下，由于磁性和晶体lattices的不同符号，共线抗磁性排序也破坏了时间逆转对称性[7]。 但是，该系统中的磁有序并未得到很大的观察。 单晶体上的中子散射测量值检测到通常在金红石结构中禁止的磁反射，该反射在金红石结构中被禁止，该磁反射约为1000k [8]。 谐振X射线散射[9]随后在晶体和薄膜上都进行了类似的观察。 此后，依赖于时间逆向对称性破坏的异常特性在RUO 2的薄膜中观察到，包括自旋转运[10，11]，磁性菌群二科运动[12]和异常的霍尔效应（AHE）[13]。 自旋分辨光发射[14]还发现了al术状态预期的D-波对称性。 最近的争议在参考文献中得到了很好的总结。对RUO 2的基础研究始于60年前，当时它被确定为高度金属的氧化物[1-3]。其化学稳定性和直接合成意味着它迅速发现应用是精度电阻的组成部分，并且早期也被鉴定为用于半导体设备的潜在屏障材料[4]。在过去的二十年中，它已经看到了作为催化剂的兴趣[5]，以及可能的应用作为锂储存材料[6]。实验和理论工作表明，即使是如此简单且众所周知的材料也可以容纳物质的外来状态。ruo 2已成为一种候选材料，该材料托有altermagnetism，在该状态下，由于磁性和晶体lattices的不同符号，共线抗磁性排序也破坏了时间逆转对称性[7]。但是，该系统中的磁有序并未得到很大的观察。单晶体上的中子散射测量值检测到通常在金红石结构中禁止的磁反射，该反射在金红石结构中被禁止，该磁反射约为1000k [8]。谐振X射线散射[9]随后在晶体和薄膜上都进行了类似的观察。依赖于时间逆向对称性破坏的异常特性在RUO 2的薄膜中观察到，包括自旋转运[10，11]，磁性菌群二科运动[12]和异常的霍尔效应（AHE）[13]。自旋分辨光发射[14]还发现了al术状态预期的D-波对称性。最近的争议在参考文献中得到了很好的总结。似乎有大量的Altermagnetic效应观察到有关磁性的某些原始观察结果，尤其是在散装晶体中的问题[15，16]。muon光谱法通常对局部力矩非常敏感，在散装RUO 2中没有磁性[17]。16的计算提出了一个假设，即仅在化学计量材料被孔掺杂时才出现RUO 2中的Altermagnitism。非常清楚，尽管众所周知，但在应用磁场中，RUO 2的散装特性的研究相对较少。在本文中，我们介绍了