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抽象NBO 2是由于室温高于室温的绝缘体金属过渡而导致电阻开关设备的有前途的候选者，这与从变形金红石结构到未染色的相关相关。然而，到目前为止生产的NBO 2薄膜的电阻率太低，无法达到高开关开关比率。在这里，我们报告了通过脉冲激光沉积在MGF 2（001）底物上生长的单晶NBO 2（001）薄膜的结构，电和光学表征。退火步骤在NBO 2（004）X射线Bragg反射的一半最大宽度下减少了一个数量级，而膜的电阻率则增加了两个数量级，在室温下约为1kΩcm。退火样品的温度依赖性电阻率测量表明，低于650 K的两个深层缺陷，激活能为0.25 eV，0.37 eV占主导地位，而高于650 K的内在传导高于650 K。通过光谱椭圆法和与垂直于垂直于扭曲的金红石结构的C轴的电场矢量吸收的吸收测量值的光学表征，表明在室温下约0.76 eV的基本吸收开始，而在4 K时，发作转移到0.85 eV。这些光学转变被解释为在理论上预测的间接带隙的变形金红石NBO 2的间接带隙。
接近NBO2 ...
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