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World File Search System针孔
基于薄致密真空沉积 CH 3 NH 3 PbI 3膜的高效半透明钙钛矿太阳能电池
其高吸收系数使其在半透明太阳能电池应用方面具有吸引力。 [6] 然而，这些材料的高吸收系数使其难以在低带隙钙钛矿（≈带隙<1.7 eV）PSC 中获得高平均可见光透射率 (AVT) 值。虽然降低钙钛矿层厚度是增强任何半透明 PSC (ST-PSC) 中 AVT 的明显解决方案，但是，由于与使用溶液工艺制造亚 100 纳米、均匀、无针孔的钙钛矿薄膜相关的限制，该解决方案尚未可靠地实施。 [7] 因此，限制了 ST-PSC 可实现的最大 AVT。为了解决这个问题，据报道，替代性的钙钛矿层沉积和生长策略可以在不需要显著减少膜厚度的情况下提高钙钛矿层的透射率。[7] 例如，最初引入了脱湿和网格辅助沉积技术，使钙钛矿薄膜部分覆盖在基底上。脱湿技术导致随机生长的钙钛矿岛的形成，[8,9] 而网格辅助沉积导致钙钛矿在受控的网格结构中生长。[10,11] 虽然这两种方法显著提高了钙钛矿层的透射率，但由于在无钙钛矿区域空穴传输层和电子传输层直接接触导致分流通路的存在，相应的器件表现出有限的 PCE。[12] 需要在没有钙钛矿的区域额外选择性沉积绝缘分子，以减少上述泄漏损失。 [12,13] 随后，引入支架层和材料以生长有序的大孔 [14] 微结构 [15,16] 和纳米结构 [17] 钙钛矿层。虽然这些钙钛矿结构表现出增强的透射率和减少的分流通路，从而提高了 ST-PSC 的 AVT 和 PCE，但它们的制造相对复杂和繁琐得多，即与厚的不透明钙钛矿薄膜的溶液处理相比，它们需要额外的材料和合成工艺。此外，在大多数情况下，上述 ST-PSC 的开路电压 (V oc) 和填充因子 (FF) 分别低于 ≈ 1000 mV 和 ≈ 70%，这表明与不透明的对应物相比，这些器件中存在残余复合损失。因此，需要一种简单的替代方法来生长足够透明和致密的钙钛矿层
从国际企业角度看数字摄影测量的趋势
关键词：数码相机、测绘工作流程、数据管理、系统配置、能力建设 摘要：谷歌（谷歌地球）、微软（虚拟地球）等公司掀起了航空和卫星图像的互联网热潮，为摄影测量、遥感和 GIS 市场带来了巨大的曝光度。只有卫星图像才能在最短的时间内完全覆盖地球。然而，城市和发展中地区对更多、更普遍细节的日益增长的需求可以通过非常高分辨率的航空图像来实现。这些互联网提供商使地理参考图像的概念变得非常流行，并通过为不同应用程序开放对这些数据的访问，扩展了传统的地理空间市场，从而创建了现在众所周知的地理空间网络门户。其中许多，出于成本原因，经常使用存档图像或二手图像。受业务和工程应用需求的驱动，专业用户需要高度准确和最新的地理空间信息。因此，互联网地球数据提供商也在间接推动传统市场的发展。这些不断增长的市场导致图像数据采集系统和扩展的地理参考应用的快速发展。本文讨论了从在许多不同地理区域工作的服务企业的角度捕获高分辨率航空图像的过程。经过验证的技术与高度自动化的工作流程相结合，显示出从规划、准备、执行到地理空间测绘项目归档的所有已知业务方面的流程链优化潜力。我们特别强调可用图像传感器技术及其集成的经济使用。现代飞行任务规划有助于减少飞行执行时间，同时优化沿航迹和跨航迹重叠的需求。3D 建模是这一进步的关键要素之一，我们在一定程度上讨论了这一方面。不同数字大画幅相机系统的属性会影响飞行任务的规划和执行，因此需要对传统的方形针孔相机模型进行调整。新的数码相机和扫描仪设计对块几何形状和准确性的影响程度是另一个需要考虑的方面。众所周知的胶片冲洗被地面处理（也称为后处理）取代。当这项技术在一家国际运营的测绘公司实施时，数字传感器的性质值得特别考虑。通常，国际运营需要处理额外的物流方面，其中一些将在本文中介绍。客户所需的地面分辨率产品最终将推动许多决策，它将影响规划阶段，甚至在那之前，例如与客户的咨询阶段，客户通常似乎不确定他的特定应用实际上需要什么。最终，地理空间数据的归档和检索也是一个需要考虑的重要方面。为了项目执行的安全，应将临时归档步骤集成到工作流程中。由此产生的存储需求以及在企业环境中将大量图像数据从一个部门传输到另一个部门的能力迅速对内部基础设施提出了重大的技术和经济要求。
从国际企业角度看数字摄影测量的趋势
关键词：数码相机、测绘工作流程、数据管理、系统配置、能力建设 摘要：谷歌（谷歌地球）、微软（虚拟地球）等公司掀起了航空和卫星图像的互联网热潮，为摄影测量、遥感和 GIS 市场带来了巨大的曝光度。只有卫星图像才能在最短的时间内完全覆盖地球。然而，城市和发展中地区对更多、更普遍细节的日益增长的需求可以通过非常高分辨率的航空图像来实现。这些互联网提供商使地理参考图像的概念变得非常流行，并通过为不同应用程序开放对这些数据的访问，扩展了传统的地理空间市场，从而创建了现在众所周知的地理空间网络门户。其中许多，出于成本原因，经常使用存档图像或二手图像。受业务和工程应用需求的驱动，专业用户需要高度准确和最新的地理空间信息。因此，互联网地球数据提供商也在间接推动传统市场的发展。这些不断增长的市场导致图像数据采集系统和扩展的地理参考应用的快速发展。本文讨论了从在许多不同地理区域工作的服务企业的角度捕获高分辨率航空图像的过程。经过验证的技术与高度自动化的工作流程相结合，显示出从规划、准备、执行到地理空间测绘项目归档的所有已知业务方面的流程链优化潜力。我们特别强调可用图像传感器技术及其集成的经济使用。现代飞行任务规划有助于减少飞行执行时间，同时优化沿航迹和跨航迹重叠的需求。3D 建模是这一进步的关键要素之一，我们在一定程度上讨论了这一方面。不同数字大画幅相机系统的属性会影响飞行任务的规划和执行，因此需要对传统的方形针孔相机模型进行调整。新的数码相机和扫描仪设计对块几何形状和准确性的影响程度是另一个需要考虑的方面。众所周知的胶片冲洗被地面处理（也称为后处理）取代。当这项技术在一家国际运营的测绘公司实施时，数字传感器的性质值得特别考虑。通常，国际运营需要处理额外的物流方面，其中一些将在本文中介绍。客户所需的地面分辨率产品最终将推动许多决策，它将影响规划阶段，甚至在那之前，例如与客户的咨询阶段，客户通常似乎不确定他的特定应用实际上需要什么。最终，地理空间数据的归档和检索也是一个需要考虑的重要方面。为了项目执行的安全，应将临时归档步骤集成到工作流程中。由此产生的存储需求以及在企业环境中将大量图像数据从一个部门传输到另一个部门的能力迅速对内部基础设施提出了重大的技术和经济要求。
空间和地点：与物理空间互动时，变成有意义的体验
空间和地点：与物理空间互动时，成为有意义的经历Laura Lentini•FrançoiseDecortisL. Lentini和F. decortis Unit iku iku - 心理学学院– B 32，Liege大学，Bld du Rectorat，Bld du Rectorat，Bld du Rectorat，5，4000 Liel.Belgium url：巴黎大学段落实验室，第8卷，第2卷，第2期，第93526条圣丹尼斯·塞德克斯，法国电子邮件：francoise.decortis@univ-paris8.fr个人无处不在的计算地理和感官，以及更多的社会和人际阶层。我们从计算研究和环境心理学的理论见解就空间和地点确定了物理空间体验的不同维度。还提供了有关环境探索创意活动的案例研究的经验结果。我们指出了五个维度，这些维度涵盖了逮捕环境的不同方式，以及通过个人和人际关系经历与人际关系相对于它发展的情感关系。对我们来说，应根据支持物理空间的丰富经验的潜力来研究技术。我们假设识别尺寸可以作为开发在该角度使用的技术工具的基础。关键词空间，场所，户外活动，现场经验，针孔，数字和非数字文物1对大多数年轻人的介绍，因为数字本地人[42]，网络空间成为他们空间体验的综合部分。然而，几项研究强调了物理和虚拟空间的破裂，并强调了一个事实，即由于与他们的交流机会减少，今天的孩子们在与他们的物理局部环境和空间接触方面更加困难[17，46]。如Bekker等人指出的那样。[6]，通过花费越来越多的时间在计算机后面，孩子们的生活往往较少。根据Gauthier和Moukalou [17]的说法，新技术允许对世界的探索进行分散：它通过消除了体制和空间约束的网络空间发生，因此没有物理感觉与之相关。实际上，意大利和朱利亚尼[46]确定了几个有助于儿童独立和身体流动性下降的环境和社会因素：例如城市结构减少了公共场所的数量，并有利于提取的人数增加，以及生活方式和父母模型的相关变化，例如大量使用汽车和减少儿童独立流动性。在任何情况下，太空中主动式活动性的降低会损害感官运动信息的获取或任何其他使人们就其空间品质逮捕其环境的任何其他人，但也涉及其社会和文化方面[19，46]。在这种情况下，面对面互动的机会也减少了[27]。与此问题有关，使用计算机，在Internet上使用计算机或玩游戏可能会导致用户花费更多的时间独自一人，而忽略与身体亲密亲戚的互动。例如，Kraut等人的研究。[27]表明，更多地使用互联网与家庭交流减少有关。实际上，当前的研发趋势强调了维护面对面互动的重要性，因此已转向研究技术对增强直接互动的潜力，并寻求设计支持共同用户之间丰富相互作用的技术[9，14，14，21，21，31，54]。我们的假设是，通过物理运动和与构成它的要素的互动体验物理（而不是虚拟）空间，将允许特定环境的关联到将限制忧虑，知识以及最终与这些环境的情感关系的经验。考虑到这一假设，我们的目的是识别和鉴定我们拥有的不同经验
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)