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World File Search System钙晶
使用晶圆射线示踪剂
摘要：功率转换效率（PCE）是评估太阳能电池的输出特性的主要参数。抗反射涂层（ARC）起着抑制太阳能电池表面的光损失的作用，从而增强了PCE。本文研究了晶体硅（C-SI）太阳能电池上双层抗反射涂层（DLARC）的不同材料。使用PV Lighthouse软件的晶圆射线示踪剂完成模拟硅太阳能电池的总体过程方法。检查了具有不同类型的双层的五个光捕获（LT）方案。c-Si的最大电势光电密度（J MAX）用ARC显示出比参考c-Si（无弧）的J max的改善。lt方案II：SIO 2 /TIO 2产生J Max的最大值，其中该值为42.20 mA /cm 2。这表明方案II具有最高的J MAX增强功能，值为10.01％。这一发现意味着DLARC适用于减少光损失，因此有效地提高了太阳能电池的性能。关键字：光伏，太阳能电池，抗反射涂层，光捕获，射线跟踪1。简介
半导体晶圆工艺材料
表1显示了HS-8005系列阵容。为了减少划痕，日立化学化学已经开发了各种具有优化粒径和分布的产品。使用HS-8005-X3，抛光划痕可以减少到HS-8005的1/10或更少。我们建立了生产技术，以精心控制粒度和陶瓷颗粒的分布，以提供稳定的优质产品，并拥有陶瓷泥浆市场的全球最高份额。为了满足进一步减少刮擦的要求，Hitachi Chemical以NC系列形式开发了超细颗粒，以进行下一代浆液。虽然将常规的陶瓷颗粒粉碎以进行微插曲，但NC系列颗粒的大小是通过晶体生长法的泥浆，由于大尺寸颗粒而导致的划痕最小化。图3显示了HS-NC和HS-8005的外观。HS-NC是一种超细，透明的纳米级粒子。
研究二晶的电催化活性...
pyrochlore氧化物由于其阳离子电荷和阴离子缺乏效率而被认为是各种电化学应用的活性候选物。同时，pyrochlore的阳离子取代是改善电极材料催化活性的关键参数。在此背景下，本文旨在合成二氧化甲氧化物氧化物氧化物氧化物纳米颗粒（BI 0.6 y 1.4 SN 2 O 7; byso nps），并构建抗抗毒性氯丙嗪（CHPMZ）的电化学传感器。通过共沉淀技术进行催化剂，然后进行热处理。分析方法，例如P-XRD，FT-IR，TGA和XPS，确认了Bi3þ的成功取代。通过Fe-SEM和TEM技术分析了准备的催化剂的形态，这表明纳米颗粒的大小为⁓20E 30 nm。从CV结果中，阳离子的取代增强了CHPMZ的电催化氧化，这是由于固有活性增强而具有较大大小阳离子的替代性和pyrochlore结构的阴离子缺乏效率。此外，计算出BYSO/SPCE上CHPMZ的异质速率常数为4.49 10 3 cm/s，这表明BYSO/SPCE上CHPMZ的氧化是准可逆的。用BYSO NPS修饰的电极显示较宽的线性范围（0.01 E 58.41 m m，78.41 E 1158 m m），高灵敏度（1.03 m A/ m m/ cm/ cm 2），低检测极限为3 nm。修改的电极显示出良好的选择性，可重复性和良好的稳定性，可检测CHPMZ。©2022 Elsevier Ltd.保留所有权利。此外，构造的传感器在人类血清和尿液样品中恢复良好的实践分析中显示出令人鼓舞的结果。
钙蛋白酶激活过程中钙蛋白酶抑制蛋白细胞内定位的变化
已研究了 Ca # + 依赖性蛋白水解系统的两个主要成分在人类神经母细胞瘤 LAN-5 细胞中的定位。使用识别 N 端钙蛋白酶抑制剂结构域的单克隆抗体，已显示这种抑制蛋白几乎完全局限于两个未被膜包围的颗粒状结构中。在其他人类和鼠类细胞类型中也发现了类似的钙蛋白酶抑制剂分布，这表明钙蛋白酶抑制剂聚集是一种普遍特性，而不是类神经元细胞的独有特性。大鼠肝脏匀浆过程中钙蛋白酶抑制剂活性释放的动力学证实了此类钙蛋白酶抑制剂聚集体的存在，这与细胞质蛋白的出现速率或膜包围细胞器的破坏不符。钙蛋白酶抑制剂分布受细胞内游离 Ca # + 增加的影响，这导致
使用 2D Dion–Jacobson 钝化层稳定无机钙钛矿太阳能电池
无机金属卤化物钙钛矿（如 CsPbI 3）有望成为高性能、可重复且坚固的太阳能电池。然而，无机钙钛矿对湿度敏感，这会导致从黑色相转变为黄色𝜹非钙钛矿相。这种相不稳定性对长期运行稳定性构成了重大挑战。本文报道了一种表面降维策略，使用 2-(4-氨基苯基)乙胺阳离子构建 Dion-Jacobson 2D 相，覆盖 3D 无机钙钛矿结构的表面。Dion-Jacobson 层主要生长在钙钛矿的晶界，有效钝化表面缺陷并提供有利的界面电荷转移。所得无机钙钛矿薄膜在浸没在水溶液（异丙醇：水 = 4:1 v/v）中并暴露于 50% 湿度的空气环境中时表现出优异的抗湿性。 Dion–Jacobson 2D/3D 无机钙钛矿太阳能电池 (PSC) 实现了 19.5% 的功率转换效率 (PCE)，Voc 为 1.197 eV。在 1.2 倍太阳光照下进行 1260 小时的最大功率点跟踪后，其保留了其初始 PCE 的 83%。这项工作展示了一种稳定高效无机钙钛矿太阳能电池的有效方法。
用于多芯片 GPU 的晶圆光子网络
在过去十年中，图形处理单元 (GPU) 的进步推动了人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC) 和数据分析领域的重大发展。要在这些领域中的任何一个领域继续保持这一趋势，就需要能够不断扩展 GPU 性能。直到最近，GPU 性能一直是通过跨代增加流式多处理器 (SM) 的数量来扩展的。这是通过利用摩尔定律并在最先进的芯片技术节点中使用尽可能多的晶体管数量来实现的。不幸的是，晶体管的缩放速度正在放缓，并可能最终停止。此外，随着现代 GPU 接近光罩极限（约 800 平方毫米），制造问题进一步限制了最大芯片尺寸。而且，非常大的芯片会导致产量问题，使大型单片 GPU 的成本达到不理想的水平。GPU 性能扩展的解决方案是将多个物理 GPU 连接在一起，同时向软件提供单个逻辑 GPU 的抽象。一种方法是在印刷电路板 (PCB) 上连接多个 GPU。由于提供的 GPU 间带宽有限，在这些多 GPU 系统上扩展 GPU 工作负载非常困难。封装内互连（例如通过中介层技术）比封装外互连提供更高的带宽和更低的延迟，为将 GPU 性能扩展到少数 GPU 提供了一个有希望的方向 [1]。晶圆级集成更进一步，通过将预制芯片粘合在硅晶圆上，为具有数十个 GPU 的晶圆级 GPU 提供了途径 [2]。不幸的是，使用电互连在长距离上以低功耗提供高带宽密度从根本上具有挑战性，从而限制了使用电中介层技术进行 GPU 扩展。在本文中，我们提出了光子晶圆网络 (NoW) GPU 架构，其中预先制造和预先测试的 GPU 芯片和内存芯片安装在晶圆级中介层上，该中介层通过光子网络层连接 GPU 芯片，同时将每个 GPU 芯片与其本地内存堆栈电连接，如图 1 所示。光子-NoW GPU 架构的关键优势在于能够在相对较长的晶圆级距离（高达数十厘米）内以低功耗实现高带宽密度。本文的目标是展示光子-NoW 的愿景
200 mm工艺晶圆载体
我们的模块化构造PFA工艺增强晶圆载体和传统模制PFA工艺晶圆载体是为200 mM Fabs的湿化学加工应用而设计的。开放式流动器允许解决方案均匀，快速地通过。它们也由耐化学的PFA材料构成，因此您的过程仍未受到污染。