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World File Search System钝化层
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2022年3月31日使用SIO 2钝化层在硅上制造和处理石墨烯电子设备，等待专利办公室专利/申请号澳大利亚AU 2023242796 CANA CA CA 3246577中国CN 202380038942.6欧洲US 18/850,697 2022年10月17日，电子设备组件的纳米制定纳米构造，等待专利办公室专利/申请编号澳大利亚PCT/AU2C/AU2023/051025 2021 2021年12月1日，核酸的检测和量化专利局专利专利号/申请号澳大利亚/申请号2024-533095美国美国18/715,693 2022年11月11日，一种设备，系统和方法，用于感知流体样品的电子特性，申请专利专利/申请号澳大利亚PCT/AU2023/051141使用SIO 2钝化层在硅上制造和处理石墨烯电子设备，等待专利办公室专利/申请号澳大利亚AU 2023242796 CANA CA CA 3246577中国CN 202380038942.6欧洲US 18/850,697 2022年10月17日，电子设备组件的纳米制定纳米构造，等待专利办公室专利/申请编号澳大利亚PCT/AU2C/AU2023/051025 2021 2021年12月1日，核酸的检测和量化专利局专利专利号/申请号澳大利亚/申请号2024-533095美国美国18/715,693 2022年11月11日，一种设备，系统和方法，用于感知流体样品的电子特性，申请专利专利/申请号澳大利亚PCT/AU2023/051141
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
通过质谱研究 Al(CH3)3 和 NH3 原子层沉积 AlN 薄膜的表面化学
氮化铝 (AlN) 具有宽带隙 (6.2 eV)、高介电常数 (k B 9)、高电阻率 (r B 10 11 –10 13 O cm) 和高热导率 (2.85 W K 1 cm 1 )1 等特性，是微电子和光电子领域的重要材料。由于 AlN 具有压电特性，因此也可用于微机电系统 (MEMS 设备)。2 非晶态 AlN 有多种用途，例如用作钝化层和介电层。3 AlN 薄膜通常通过反应溅射、4 化学气相沉积 (CVD)、5 反应分子束外延 (MBE) 6 和原子层沉积 (ALD) 沉积。AlN 的 ALD 在需要坚固保护层的应用方面引起了广泛关注，例如开发耐腐蚀、绝缘和保护涂层。7
利用 ToF‐SIMS 对锂金属-固体电解质阳极界面进行原位研究
在 SSB 的制造过程中，有几种方法可以实现锂金属阳极 (LMA)。[2] 这些方法要么基于使用薄锂箔，要么基于通过物理气相沉积或从锂熔体中沉积锂金属，要么基于从锂化阴极活性材料中电化学沉积锂。[4,5] 虽然薄锂箔的制备和加工具有挑战性，但金属沉积通常已被证明是可扩展且经济可行的。这些实现 LMA 的替代方案的不同之处在于，锂沉积是在电池组装过程中（从气相或液相沉积）还是在电池组装后（电化学沉积）沉积。尤其是后者，通常被称为“无阳极”电池技术，由于电化学不活性锂过量减少、生产步骤减少以及典型的商用锂箔上没有天然钝化层，因此似乎非常有吸引力。[6]
T 型栅极增强型 AlGaN/GaN MIS-HEMT 中寄生电容的不稳定性
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）或金属绝缘体半导体HEMT（MIS-HEMT），凭借优越的极化诱导高迁移率二维电子气（2DEG），因其高开关速度、低寄生参数和低导通电阻而受到广泛关注，并在高频射频和功率开关应用方面都取得了公认的成功[1-4]。通常在厚钝化电介质（如SiNx）上设置栅极和/或源极场板，以减轻栅极漏极区域的高电场并获得更高的击穿电压[5-7]。它们也有助于抑制表面态引入的电流崩塌[5，8]。然而，场板结构将引入额外的寄生电容，导致更高的VDS×IDS功率损耗和更长的开关持续时间。此外，钝化层还会引入钝化电介质/(Al)GaN界面态，甚至电介质本身的体态，它们的捕获/去捕获过程会引起寄生电容的动态漂移，导致实际应用中开关转换紊乱，dV/dt控制失效[9-11]。
化学在太阳能电池中的作用|主要学者
世界面临紧迫的需求，以减少碳排放并从化石燃料过渡。可再生能源源（例如太阳能）因其提供清洁，丰富和可持续性的能力而引起了极大的关注。太阳能电池，通常称为光伏电池，是利用太阳的力量并将其转化为电力的核心。这些细胞处于物理学，材料科学和至关重要的化学的交集。在其核心上，一个SO-LAR电池是一种旨在通过光伏效应吸收阳光并将其转化为电能的装置。太阳能电池中与化学相关的关键组件和过程包括：半导体材料是太阳能电池的核心。它们从阳光中吸收光子，形成电子孔对。了解这些材料的电子带结构和培养物对于优化它们的表现至关重要。一旦被阳光激发，必须将电子和孔通过材料有效地分离并有效地运输，以产生电流。这个过程在很大程度上依赖于半导体的化学和物理性质。表面处理，例如钝化层和反射涂层，用于改善半导体和周围环境之间的界面。这些涂层是通过化学过程制定的，以吸收光吸收并减少能量损失。inten-
47471684001.pdf
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
Inn纳米线太阳能电池在Si上，用溅射沉积的无定形Si层中的无定形SI
在这里，我们报告了Inn纳米线太阳能电池的第一个实验证明，该电池是通过以1.78 eV的带隙能量溅射来沉积的。通过在N -Inn/ P -SI结构中添加无定形Si（A -SI）缓冲液，我们在保持其材料质量的同时，提高了所得设备的光伏性能。我们首先通过DC溅射在Si（100）上优化了Si的沉积，获得了带隙能量为1.39 eV的无定形材料。然后，我们研究了A-SI缓冲层（0 - 25 nm）对Inn纳米线对Si（100）底物的结构，形态，电气和光学性质的厚度的影响。使用15 nm缓冲液N -Inn/A-Si/P-Si纳米线异质结式太阳能电池表现出令人鼓舞的短路电流密度为17 mA/cm 2，开路电压为0.37 V，填充因子为35.5％，指向2.3％以下2.3％以下（Am 1 Sun）（AM 1.5G）（AM 1.5G）。这些工作降低了距离溅射的A-SI的组合，可以用作潜在的钝化层，而纳米结构的活性层的光捕获增强可提高溅射的III-nitride设备的光伏效率。