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铁毒性诱导的癌症治疗的基于铁的纳米疗法
摘要。- 传统的反癌治疗远非令人满意。迫切需要将新的治疗剂与传统治疗方法结合起来，以提高抗癌的效力。铁凋亡是一种依赖铁的非凋亡细胞死亡类型的新型类型，仍然可以为凋亡失败和坏死诱导治疗的患者提供良好的效果。铁在诱导铁铁作用过程中起着维特作用。虽然铁是癌症治疗中的双重剑，但铁的特异性分布尤其重要。纳米技术是帮助靶向分布的药物的有效方法。我们打算回顾铁腐病和基于铁的纳米疗法的最新进展。首先，简要审查了铁凋亡与铁代谢之间的关系，以证明铁在铁吞作用诱导中的核心作用。第二，根据不同的设计提出和讨论了基于铁的纳米技术的纳米技术进展。最后，人们对基于铁的纳米疗法对铁铁作用的未来期望得到了焦点。
铁吸收系统在固有的 -
大肠疾病属由几种物种和神秘的进化枝组成，包括e。大肠杆菌，表现为脊椎动物的肠道共生，也是腹泻和肠外疾病的机会性病原体。为了表征该属内肠外毒力的遗传确定者，我们对代表Escherichia Genus Genus Genologenogencementic多样性的370个共生，致病性和环境菌株进行了一项无偏的基因组研究（GWAS）研究（GWAS）。albertii（n = 7），e。fergusonii（n = 5），大肠杆菌（n = 32）和e。大肠杆菌（n = 326），在败血症的小鼠模型中进行了测试。我们发现，编码Yersiniabactin siderophore的A高致病岛（HPI）的存在与小鼠的死亡高度相关，与其他相关遗传因素相关，也超过了与铁的摄取相关的其他相关遗传因素，例如Aerobactin和Sitabcd operons。我们通过删除e中HPI的关键基因来确认体内关联。大肠杆菌菌株在两个系统发育背景下。然后，我们在E的一部分中搜索了毒力，铁捕获系统和体外生长之间的相关性。大肠杆菌菌株（n = 186）先前在生长条件下表型，包括抗生素以及其他化学和物理胁迫。我们发现，在存在大量抗生素的情况下，毒力和铁捕获系统与生长呈正相关，这可能是由于毒力和耐药性的共选择。我们还发现在存在特定抗生素的情况下毒力，铁摄取系统与生长之间的负相关性（i。e。头孢霉素和毒素），这暗示了与内在毒力相关的潜在“侧支敏感性”。这项研究表明铁捕获系统在大肠疾病的肠外毒力中的主要作用。
负电容在部分基于接地平面的SELBOX FET中的影响对电容匹配和SCES
摘要在这里，我们研究了PGP-SELBOX NCFET（在负电容FET中有选择性掩埋的氧化物上的部分接地平面）对FDSOI的负电容的影响。将铁电层放置在PGP-Selbox NCFET的栅极堆栈中，以产生负电容现象。铁电（Fe）材料与介电材料相似，但在其极化特性方面存在差异。fe-HFO 2由于其足够的极化速率具有高介电能力和更好的可靠性，因此将其用作铁电材料。分析了铁电材料参数的影响，例如强制场（E C）和恢复极化（P R）对NCFET的电容匹配的影响。模拟结果表明，R PE因子是P R与E C的比率，与更好的电容匹配密切相关。另外，还探索了铁电层厚度的变化对平均亚阈值摇摆（SS）的变化。还分析了PGP-Selbox NCFET的短通道效应（V Th rolo虫和DIBL）与铁电（T FE）的厚度之间的关系。模拟结果清楚地表明，PGP-SELBOX NCFET的SCES减少了，而I OFF fdsoi NCFET上的I OFF I OFF IN I ON IN I ON IN CES。对于拟议设备的铁罗 - 电动参数的优化值，在T Fe = 5nm时发现为50 mV/十年，比FDSOI NCFET（56 mV/十年）少。
通过位错网络的局部控制实现对称破缺界面处的铁电切换
具有低能量极化切换的半导体铁电材料为铁电场效应晶体管等下一代电子产品提供了平台。最近在过渡金属二硫属化物薄膜双层中发现的界面铁电性为将半导体铁电体的潜力与二维材料器件的设计灵活性相结合提供了机会。这里，在室温下用扫描隧道显微镜展示了对略微扭曲的 WS 2 双层中铁电畴的局部控制，并使用畴壁网络 (DWN) 的弦状模型了解它们观察到的可逆演化。确定了 DWN 演化的两种特征机制：(i) 由于单层在畴边界处相互滑动，部分螺旋位错的弹性弯曲将具有双堆叠的较小畴分开；(ii) 主畴壁合并为完美的螺旋位错，这些位错成为反转电场后恢复初始畴结构的种子。这些结果使得利用局部电场对原子级薄半导体铁电畴进行完全控制成为可能，这是实现其技术应用的关键一步。
介电和电磁干扰屏蔽特性（Zn，Fe，Ni，Mg，CD）Fe2O4铁素体
通过退火通过退火，将共沉淀的无定形前体退火在两个阶段中合成了新的（Zn，mg，ni，fe，cd）fe 2 o 4高熵铁素体，平均水晶尺寸为11.8 nm。介电光谱证实，电导率和极化过程与铁素体结构中电子的迁移率有关。得出的结论是，高频复合物介电介电常数以及复杂的磁渗透性都是强烈的温度和频率依赖性的。AC电导率与电子的量子机械隧穿有关，并且与Fe 2 +和Fe 3 +离子之间的电荷载体转移有关。此外，确定微波吸收特性。最佳的微波吸收特性已在厚度为0.8–1 cm的层的频率范围1.9至2.1 GHz中得到证实。对于此范围，反射损失（RL）低于-25 dB，屏蔽效率（SE）低于-50 dB。
使用原位光发射光谱法了解溅射沉积亚稳态铁电纤锌矿 Al0.6Sc0.4N 薄膜的可重复性
随着相关应用领域的扩大，人们对 AlN 基 III 族金属氮化物半导体合金（如 (Al,Ga)N 和 (Al,In,Ga)N）的关注度也与日俱增。首先，人们之所以对它们感兴趣，是因为它们具有可调特性，可用于发光二极管 (LED) 和其他光电应用 [1]，并且具有宽带隙 (WBG) 半导体特性，可用于射频 (RF) 和电力电子应用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)。[2] 2009 年，首次有报道称在 AlN 中添加钪可显著提高压电响应 [3]，并很快被用于压电薄膜器件，如手机中的薄膜体声波谐振器 (FBAR)。 [4] 最近有关 Al 1-x Sc x N（x ≥ 0.1）的铁电性的报道，作为第一种纤锌矿铁电材料，引起了进一步的科学兴趣[5,6]，也引起了作为混合逻辑存储器设备候选者的重大技术兴趣。
超细batio3纳米颗粒的铁电状态和极化切换行为具有较大尺寸均匀性
1北京邮政与电信大学科学学院信息光子学和光学通信的关键实验室，中国北京100876。电子邮件：bike@bupt.edu.cn 2国家主要实验室新陶瓷和精细处理，材料科学与工程学院，北京大学，北京大学，北京100084，电子邮件：wxh@tsinghua.edu.edu.cn.cn 3 3 3 3 3 3应用和应用数学部门sb2896@columbia.edu 4浓缩物理和材料科学系，布鲁克黑文国家实验室，纽约州阿普顿市11973 5北京国家冷凝物质物理学实验室，物理学研究所，中国学院科学研究所，贝吉利亚学院，北京100190，中国电子补充信息（ESI）。参见doi：10.1039/x0xx00000x