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自由掺杂 La 的 HfO2 铁电体用于负电容
用于负电容场效应晶体管的缺氧无唤醒 La 掺杂 HfO2 铁电体的水性制备方法 / Pujar, Pavan；Cho, Haewon；Kim, Young-Hoon；Zagni, Nicolo；Oh, Jeonghyeon；Lee, Eunha；Gandla, Srinivas；Nukala, Pavan；Kim, Young-Min；Alam, Muhammad Ashraful；Kim, Sunkook。- 收录于：ACS NANO。- ISSN 1936-0851。- 17:19(2023)，第 19076-19086 页。[10.1021/acsnano.3c04983]
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
纤锌矿铁电体中的原子级极化切换
铁电纤锌矿具有彻底改变现代微电子学的潜力，因为它们很容易与多种主流半导体平台集成。然而，为了与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 电子产品兼容，需要大幅降低反转其极化方向和解锁电子和光学功能所需的电场。为了了解这一过程，我们用扫描透射电子显微镜在原子尺度上观察并量化了代表性铁电纤锌矿 (Al 0.94 B 0.06 N) 的实时极化切换。分析揭示了一种极化反转模型，其中纤锌矿基面中褶皱的铝/氮化硼环逐渐变平并采用瞬态非极性几何结构。独立的第一性原理模拟揭示了通过反极性相的反转过程的细节和能量。该模型和局部机械理解是这种新兴材料类别的属性工程工作的关键初始步骤。B
纤锌矿铁电体中的原子级极化切换
极化和铁电转变温度之间的关系 ( 5 ) – 即它们可能不是软模式铁电体；(ii) 实现铁电性的新物理机制几乎肯定会带来不同的物理缩放趋势表现和不同的温度、压力和时间特性依赖性；(iii) 这些材料可以在室温或接近室温下加工，具有稳健的特性响应，在某些情况下（例如、Al 1-x B x N）为 40
单轴铁电体中标称带电畴壁的极化拓扑结构
铁电体中的非均匀极化纹理为丰富的新材料物理学提供了沃土。非均匀极化分布的含义之一是在极化不连续处或一般在极化矢量场发散非零的点处出现束缚电荷。束缚电荷会感应出能量耗费很大的电场。因此，无论极化分布多么复杂，系统都倾向于保持其内部的电中性。那么中性意味着要么极化矢量场应该无发散，要么束缚电荷应该受到半导体性质的自由载流子的屏蔽。非均匀且几乎无发散的极化纹理主要见于多轴铁电体 [1,2]，其中自发极化矢量可以旋转。
单轴铁电体中标称带电畴壁的极化拓扑结构
铁电体中的非均匀极化纹理为丰富的新材料物理学提供了沃土。非均匀极化分布的含义之一是在极化不连续处或一般在极化矢量场发散非零的点处出现束缚电荷。束缚电荷会感应出能量耗费很大的电场。因此，无论极化分布多么复杂，系统都倾向于保持其内部的电中性。那么中性意味着要么极化矢量场应该无发散，要么束缚电荷应该受到半导体性质的自由载流子的屏蔽。非均匀且几乎无发散的极化纹理主要见于多轴铁电体 [1,2]，其中自发极化矢量可以旋转。
铁电体通用热力学求解器
− − 是一个基于 Landau-Ginzburg-Devonshire (LGD) 理论计算铁电单晶和薄膜热力学单畴平衡态及其特性的程序。利用 SymPy 库的符号操作，可以求解控制方程以及适当的边界条件，从而快速最小化晶体的自由能。利用流行的差分进化算法，通过适当的混合，可以轻松生成多个相图，例如块体单晶的压力-温度相图和单畴薄膜系统的常见应变-温度相图。此外，可以同时计算稳定铁电相的多种材料特性，包括介电、压电和电热特性。对薄膜和单晶系统进行了验证研究，以测试开源程序的有效性和能力。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言