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AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。
在过渡边缘传感器上伪造光子数
1 引言 光子探测器在量子通信应用中不可或缺 [1]。为确保检测结果的可靠性，重要的是对探测器在预期工作参数和可能的非预期条件下的使用进行特性分析。这种特性分析有助于揭示可能存在的缺陷和不完善之处。这些缺陷可能会导致错误的检测结果，更糟的是，在量子密码应用中，甚至可能出现可利用的漏洞。这种特性分析指导了提高量子系统鲁棒性的工作。多年来，据报道，各种基于雪崩光电二极管 [2-11] 和超导纳米线 [12-14] 的光子探测器遭受了许多攻击。这导致了对抗措施 [15,16] 和不完善不敏感协议 [17,18] 的发展。过渡边缘传感器 (TES) 是一种能够提供完全光子数分辨能力的光子探测器[19-21]。光学 TES 阵列正在开发中，并应用于少光子彩色成像[22-25]。TES 和铌酸锂波导的结合使得各种新的量子光学实验成为可能[26]。TES 的光子数分辨能力已用于表征固态单光子源[27]。它在光子数分辨探测器中也实现了最高的探测效率，在 1550 nm 处高达 95%[28-30]。这种类型的探测器用于需要高检测概率的各种应用，如无漏洞贝尔测试[31]。它的光子数分辨能力也可用于监测
胡萨姆·H·阿布-塞夫特
+962-79-2362470 教育背景 博士学位。物理学，2002 美国阿肯色大学，阿肯色州费耶特维尔。题目：周期性极化铌酸锂（LiNbO 3 ）中参数过程的研究。 导师：Yuji Ding 硕士学位。物理学，1997 年 美国宾夕法尼亚州威尔克斯-巴里威尔克斯大学。题目：金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的高场量子传输。 导师：Vijay Arora。学士学位。物理学，1989 年 雅尔穆克大学，伊尔比德-约旦 工作经历 基础科学系主任（2022 年至今） 德国约旦大学基础科学与人文学院，马达巴，约旦 教学与研究经历 教授（2022 年至今），德国约旦大学，马达巴，约旦。 副教授（2016-2022 年），德国约旦大学，马达巴，约旦。助理教授（2013-2016），德国约旦大学，马达巴，约旦。助理教授（2008-2013），黎巴嫩美国大学，比布鲁斯，黎巴嫩。研究助理教授（2002-2008），阿肯色大学，费耶特维尔，美国研究助理教授（2002-2007），阿肯色大学，费耶特维尔，美国研究助理（1998-2002），阿肯色大学，费耶特维尔，美国物理学讲师（1998-1998），匹兹堡大学约翰斯敦分校，约翰斯敦，美国宾夕法尼亚州。科学教师（1990-1996），伊斯兰科学学院，安曼，约旦。荣誉