大脑功能依赖于脉冲神经元回路,其中突触在融合传输与记忆存储和处理方面发挥着关键作用。电子技术在模拟神经元和突触方面取得了重要进展,而将大脑和受大脑启发的设备连接起来的脑机接口概念也开始实现。我们报告了大脑和硅脉冲神经元之间的忆阻连接,这些连接模拟了真实突触的传输和可塑性。与金属薄膜氧化钛微电极配对的忆阻器将硅神经元连接到大鼠海马的神经元。忆阻可塑性解释了连接强度的调节,而传输则由通过薄膜氧化物的加权刺激介导,从而产生类似于兴奋性突触后电位的反应。反向大脑到硅的连接是通过微电极-忆阻器对建立的。在此基础上,我们展示了一个三神经元脑硅网络,其中忆阻突触经历由神经元放电率驱动的长期增强或抑制。
摘要:本文回顾了激光光热幻影技术在传感和测量现代电子设备中接头层热阻方面的最新应用。本文介绍了一种基于在连接固体之间形成薄中间层的界面热阻的简单理论模型。实验表明,焊料层的热性能不能简单地基于焊料成分热性能的平均值来评估。本文介绍了一种用于测量焊接和胶接接头热参数的激光热波方法。所开发的理论模型通过将理论结果与激光束偏转法获得的实验数据进行拟合,可以定量估计接头的局部热导率及其热阻。研究了含铅和无铅焊料制成的接头。焊料层热性能的异常分布可以用能量色散 X 射线光谱检测到的各种原子的扩散来解释。激光束偏转法可以揭示表面预处理质量对界面热阻的强烈影响。
摘要。在金属材料的定向能量沉积 (DED) 工艺中,线激光增材制造 (WLAM) 的特点是使用激光束熔化金属线并产生焊珠。重叠焊珠的连续沉积产生体积以获得零件。因此,控制焊珠的几何形状对于增材制造工艺至关重要。一些研究工作已经研究了这些几何形状以及主要制造参数对其尺寸的影响,但很少有研究进料方向或线角度的影响。此外,所有关于线角度的研究都是在横向进料和恒定激光方向下进行的。本文重点研究了同轴线进料的沉积头方向对焊珠几何形状的影响,其中有 3 束激光。以相对于水平基板的不同方向进行实验,并使用光学仪器测量外部轮廓,以提取平均轮廓和特征尺寸。结果表明,头部绕其轴线旋转和横向倾斜会影响焊珠的高度、宽度和不对称性。
在增材制造领域,选择工艺参数以避免过度和不足沉积需要耗费时间和资源的反复试验。鉴于每个部件几何形状的独特特征,迫切需要推进实时过程监控和控制,以确保一致和可靠的部件尺寸精度。这项研究表明,支持向量回归 (SVR) 和卷积神经网络 (CNN) 模型为实时过程控制提供了一种有前途的解决方案,因为这些模型能够高精度地识别复杂的非线性模式。我们设计了一个新颖的实验来比较 SVR 和 CNN 模型的性能,以从单层单珠构造的熔池同轴图像间接检测珠高。研究表明,使用从同轴光学摄像机收集的熔池数据训练的 SVR 和 CNN 模型都可以准确预测珠高,平均绝对百分比误差分别为 3.67% 和 3.68%。 [DOI: 10.1115/1.4062800]
由于焊接电流会影响电极烧尽速度、熔合深度和焊件几何形状,因此它是电弧焊工艺中最重要的变量。焊道形状、焊接速度和焊接效率都受电流影响。由于直流电极负极 (DCEN)(正极性)产生更好的效果,因此电极正极 (DCEP) 上的焊接穿透深度和行进速度更大,并且它用于大多数 GTAW 焊接(反极性)。反极性允许电极尖端快速升温并在气体钨中降解。因为阳极比阴极升温更快。气体钨电弧焊中的较高电流会导致飞溅和工件损坏。同样,在气体钨电弧焊中,较低的电流设置会导致填充焊丝粘住。为了沉积等量的填充物,必须长时间施加高温。因此,对于较低的焊接电流,通常会看到更大的热影响区域。在固定电流模式下调整电压以保持电弧电流稳定 [3,4]。与其他焊接工艺相比,我们通常通过钨极惰性气体焊接实现无缺陷接头。让您更好地控制焊接,从而实现更快、更高质量的焊接。另一方面,GTAW 比大多数其他焊接方法复杂得多,难以跟踪,而且速度要慢得多。填充金属通常被使用,但是一些焊接(称为自熔焊或组合焊)不需要它。这种方法提供了竞争方法,例如焊接技术包括屏蔽金属电弧焊和气体金属电弧焊。
* 通讯作者:ivan.bunaziv@ntnu.no 摘要 近年来,激光电弧混合焊接 (LAHW) 在造船和石油天然气工业中的应用越来越广泛。与传统的电弧焊接工艺相比,它具有许多优势,因此广受欢迎。激光束源可用于实现更高的穿透深度。通过电弧源将填充焊丝添加到工艺区域,可以提高机械性能,例如在低温下具有更高的韧性。因此,LAHW 是一种有前途的低温服务工艺。由于深而窄的接头中整个焊缝金属中填充焊丝分布不均匀,导致工艺稳定性和机械性能下降,因此 LAHW 的适用性受到关注。这会导致焊缝根部的机械性能下降以及凝固裂纹问题。根部的快速冷却速度会产生硬而脆的微观成分,从而降低低温韧性。数值模拟和实验观察表明,增加激光束的热输入是降低冷却速度的有效方法,例如也可以通过预热来实现。关键词:激光束;复合焊接;微观组织;韧性;数值模拟 1. 引言
摘要 原子层沉积(ALD)已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜,并且厚度可控制在埃级,尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来,ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小,而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体,因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此,我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学,并详细讨论了与薄膜生长相关的机制;然后,我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学;最后,我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用,并对 ALD 技术的未来进行了展望。
- 奥地利航天局(ASA)/奥地利。- 比利时科学政策办公室(BELSPO)/比利时。- 机器建筑中央研究所(TSNIIMASH)/俄罗斯联合会。- 北京跟踪与电信技术研究所(CLTC/BITTT)/中国/中国卫星卫星发射和跟踪控制将军/中国。- 中国科学院(CAS)/中国。- 中国太空技术学院(CAST)/中国。- 英联邦科学与工业研究组织(CSIRO)/澳大利亚。- 丹麦国家航天中心(DNSC)/丹麦。- deciênciae tecnologia Aerospacial(DCTA)/巴西。- 电子和电信研究所(ETRI)/韩国。- 欧洲剥削气象卫星(Eumetsat)/欧洲的组织。- 欧洲电信卫星组织(Eutelsat)/欧洲。- 地理信息和太空技术发展局(GISTDA)/泰国。- 希腊国家太空委员会(HNSC)/希腊。- 希腊航天局(HSA)/希腊。- 印度太空研究组织(ISRO)/印度。- 太空研究所(IKI)/俄罗斯联合会。- 韩国航空航天研究所(KARI)/韩国。- 通信部(MOC)/以色列。- 穆罕默德垃圾箱拉希德航天中心(MBRSC)/阿拉伯联合酋长国。- 国家信息与通信技术研究所(NICT)/日本。- 国家海洋与大气管理局(NOAA)/美国。- 哈萨克斯坦共和国国家航天局(NSARK)/哈萨克斯坦。- 国家太空组织(NSPO)/中国台北。- 海军太空技术中心(NCST)/美国。- 荷兰太空办公室(NSO)/荷兰。- 粒子与核物理研究所(KFKI)/匈牙利。- 土耳其科学技术研究委员会(Tubitak)/土耳其。- 南非国家航天局(SANSA)/南非共和国。- 太空和高中气氛研究委员会(Suparco)/巴基斯坦。- 瑞典太空公司(SSC)/瑞典。- 瑞士太空办公室(SSO)/瑞士。- 美国地质调查局(USGS)/美国。
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