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World File Search System零偏压
高速、零偏置硅锗光电探测器
我们报告了在零偏压下工作的光电探测器的高速性能——零暗电流和零直流电功耗。光电流的产生是通过嵌入硅锗的硅微环谐振器中的声子辅助吸收实现的，在波长约 1180 和 1270 nm 处分别产生 0.35 和 0.043 A/W 的响应度。我们测量了 14 GHz 的 3 dB 带宽，这是迄今为止报告的零偏压环谐振光电探测器的最快带宽，比之前的工作提高了 7 倍。我们通过 TCAD 模拟探索了这种改进的来源，并得出结论：掺杂分布的优化通过限制光生载流子漂移到谐振器外周的影响，在低电场下显著缩短了有效载流子寿命。利用实验数据，我们还提取了自由载流子和声子辅助硅锗吸收系数，结果与文献数据吻合良好。还展示了在高达 150 ○ C 的温度下的高速运行。© 2021 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0047037
补充信息
补充图 2。散点图显示零偏压下的微分电导 (G 0) 与 a、第一个台阶的电流台阶高度 ∆ I 和 b、发生台阶时 ∆ I 与电压的比率 (∆ I / V s) 之间的正相关。c，散点图显示 G 0 与台阶发生之前的电流与电压的比率 (I s /V s) 之间的正相关。I s 记录在台阶立板的底部。G 0 < 10 − 11 S 的台阶显示在 10 − 11 S。d，散点图显示 ∆ I 与开放周长的关系，用于 EBL 青色和橙色趋势。当绘制这些组与开放周长的关系时，它们的对应关系表明，在这些最大的 EBL 设备中，蚀刻边缘的长度决定了行为。当 EBL 面积进一步减小时，设备面积再次成为 ∆ I 的最佳预测因子。在所有图中，符号与图 3a 中的符号相匹配：它们的颜色对应不同的批次，圆圈（三角形）代表最小正（负）电压下的步骤，较大的数据点对应较高质量的 StC。
高速、零偏置硅锗光电探测器
我们报告了在零偏压下工作的光电探测器的高速性能——零暗电流和零直流电功耗。光电流的产生是通过嵌入硅锗的硅微环谐振器中的声子辅助吸收实现的，在波长约 1180 和 1270 nm 处分别产生 0.35 和 0.043 A/W 的响应度。我们测量了 14 GHz 的 3 dB 带宽，这是迄今为止报告的零偏环谐振光电探测器的最快带宽，比之前的工作提高了 7 倍。我们通过 TCAD 模拟探索了这种改进的来源，并得出结论：掺杂分布的优化通过限制光生载流子漂移到谐振器外周的影响，在低电场下显著缩短了有效载流子寿命。利用实验数据，我们还提取了自由载流子和声子辅助硅锗吸收系数，结果与文献数据吻合良好。还展示了在高达 150 ○ C 的温度下的高速运行。© 2021 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0047037
多带 CsV3Sb5- 中的可调谐涡旋束缚态......
涡旋和束缚态是理解超导体电子特性的有效方法。最近，在新发现的 kagome 超导体 CsV3Sb5 中观察到了表面相关的涡旋核心态。虽然尖锐的零能量电导峰的空间分布看起来与来自超导狄拉克表面态的马约拉纳束缚态相似，但其起源仍然难以捉摸。在本研究中，我们利用低温扫描隧道显微镜/光谱法对两种化学掺杂的 kagome 超导体 Cs(V1xTrx)3Sb5 (Tr=Ta 或 Ti) 中的可调涡旋束缚态 (VBS) 进行了观测。与原始的 CsV3Sb5 相反，CsV3Sb5 衍生的 kagome 超导体表现出全间隙配对超导性，同时没有长程电荷序。零能量电导图表明涡旋晶格发生了场驱动的连续重新取向转变，表明存在多带超导性。Ta掺杂的CsV3Sb5表现出Caroli-de Gennes-Matricon束缚态的常规十字形空间演化，而Ti掺杂的CsV3Sb5表现出尖锐的、非分裂的零偏压电导峰（ZBCP），该峰在涡旋的长距离上持续存在。非分裂ZBCP的空间演化对表面效应和外部磁场具有鲁棒性，但与掺杂浓度有关。我们的研究揭示了多带化学掺杂CsV3Sb5系统中可调谐的VBS，并为先前报道的kagome超导体表面非量子极限条件下的Y形ZBCP提供了新的见解。2024年中国科学出版社。由爱思唯尔和中国科学出版社出版。版权所有。