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DRV5015 是一款磁性传感器,具有数字输出,可锁存最近测量的极点。上电期间,如果没有外部磁场,DRV5015A1 和 DRV5015A2 默认为低输出状态,而 DRV5015A3 默认为高输出状态。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A1 和 DRV5015A2 输出驱动为低,而北磁极会导致此输出驱动为高。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A3 输出驱动为高,而北磁极会导致此输出驱动为低。没有磁场会导致输出继续驱动当前状态,无论是低还是高。
我们报道了外加磁场下HfTe 5 的电子输运特征。随着磁场的增加,我们观察到霍尔电阻ρ xy 出现一系列平台期,直至达到1-2 Tesla 的量子极限。在平台期区域,纵向电阻ρ xx 表现出局部最小值。尽管ρ xx 仍然非零,但是在最后几个平台期,其值变得远小于ρ xy。通过测量 Shubonikov-de Haas 振荡来映射费米面,我们发现霍尔平台的强度与费米波长成正比,这表明它的形成可能归因于相互作用驱动的费米面不稳定性导致的能隙打开。通过比较 ZrTe 5 和 HfTe 5 的体能带结构,我们发现在 HfTe 5 的费米能级附近存在一个额外的口袋,这可能导致有限但不为零的纵向电导。
稿件收到日期为 2024 年 6 月 20 日;接受日期为 2024 年 7 月 25 日。出版日期为 2024 年 7 月 31 日;当前版本日期为 2024 年 9 月 27 日。这项工作部分由波兰国家科学中心资助,协议编号为 OPUS 2019/33/B/ST3/02677;部分由波兰国家研究与发展中心资助,协议编号为 M-ERA.NET3/2021/83/I4BAGS/2022;部分由 M-ERA.NET3 通过欧盟“地平线 2020”研究与创新计划资助,协议编号为 958174;部分由波兰教育和科学部资助,项目编号为 0512/SBAD/2420。这封信的审阅由编辑 D. Shahrjerdi 安排。 (通讯作者:Tymoteusz Ciuk。)Tymoteusz Ciuk、Beata Sta´nczyk、Krystyna Przyborowska 和 Dariusz Czołak 就职于 Łukasiewicz 研究网络——微电子与光子学研究所,02-668 华沙,波兰(电子邮件:tymoteusz.ciuk@imif.lukasiewicz.gov.pl)。Corinne Nouvellon 和 Fabien Monteverde 就职于 Materia Nova,7000 Mons,比利时。Semir El-Ahmar 就职于波兹南理工大学物理研究所,61-138 Pozna´n,波兰(电子邮件:semir.el-ahmar@ put.poznan.pl)。本信中一个或多个图表的彩色版本可在 https://doi.org/10.1109/LED.2024.3436050 上找到。数字对象标识符 10.1109/LED.2024.3436050
具有非共线自旋结构的反铁磁体表现出各种特性,使其对自旋电子器件具有吸引力。其中一些最有趣的例子是尽管磁化可以忽略不计,但仍然表现出异常霍尔效应,以及具有不寻常自旋极化方向的自旋霍尔效应。然而,只有当样品主要处于单个反铁磁畴状态时,才能观察到这些效应。这只有当补偿自旋结构受到扰动并由于自旋倾斜而显示出弱矩时才能实现,从而允许外部畴控制。在立方非共线反铁磁体的薄膜中,这种不平衡以前被认为需要由基板应变引起的四方畸变。本文表明,在 Mn 3 SnN 和 Mn 3 GaN 中,自旋倾斜是由于磁性锰原子远离高对称位置的大量位移导致结构对称性降低。当仅探测晶格度量时,这些位移在 X 射线衍射中仍然隐藏,需要测量大量散射矢量才能解析局部原子位置。在 Mn 3 SnN 中,诱导净矩使得能够观察到具有不同寻常温度依赖性的异常霍尔效应,据推测这是由于 kagome 平面内类似块体的温度依赖性相干自旋旋转所致。
摘要:表现出拓扑迪拉克费米的磁性材料引起了极大的关注。在这些系统中,自旋 - 轨道耦合和磁性的综合效应可以实现具有异国情调传输特性的新型拓扑相,包括异常的霍尔效应和磁性 - 手工学现象。在此,我们报告了TaCote 2中拓扑迪拉克抗铁磁性的实验签名,这是通过角度分辨的光学光谱和第一原理密度函数理论计算的实验签名。特别是,我们发现在费米水平上存在自旋 - 轨道耦合诱导的间隙,这与大型内在非线性霍尔电导率的表现一致。值得注意的是,我们发现后者对NE vector的方向极为敏感,这表明Tacote 2是实现具有前所未有的内在可调性水平的非挥发性自旋装置的合适候选者。关键字:非线性霍尔效应,狄拉克防fiferromagnet,拓扑,旋转 - 轨道耦合,arpes
光子霍尔效应 (PHE) 早在 20 多年前就被预测 [1] 并被测量 [2]。它指的是沿垂直于入射电流和磁场的优先方向散射的电磁通量,这与电子传导中的 (异常) 霍尔效应非常相似。研究表明,PHE 源自介电米氏球单次散射中的法拉第旋转 [3],并在纯电偶极耦合区域(瑞利区域)中消失。因此,PHE 不会发生在原子的单次光散射中,而是由多次散射 [4] 或电偶极跃迁与更高的多极子发生干涉时产生的 [5]。在最近的文献中,人们发现了许多或多或少相关的效应,例如光子自旋霍尔效应 [6–8]、光的量子自旋霍尔效应 [9]、声子霍尔效应 [10]、等离子体霍尔效应 [11] 甚至其他光子霍尔效应 [12]。在具有中心光源的散射介质中,沿 z 轴施加均匀磁场 B 0 时,PHE 表现为绕场线旋转的电流。与 PHE 相关的坡印廷矢量由 S PHE = DH b B 0 × ∇ ρ ( r , t ) 给出,其中 ρ ( r , t ) 为电磁能量密度,DH ( B 0 ) 为霍尔扩散常数,其符号由法拉第旋转方向决定。最简单的情况是考虑一个点源 P ( r , t ) = P ( t ) δ ( r ),将功率 P 注入扩散常数为 D 的无限扩散介质中。对于单次能量为 W 的辐射,P ( t ) = Wδ ( t ),我们可以代入扩散方程的著名解,得到:
光子霍尔效应 (PHE) 早在 20 多年前就被预测 [1] 并被测量 [2]。它指的是沿垂直于入射电流和磁场的优先方向散射的电磁通量,这与电子传导中的 (异常) 霍尔效应非常相似。研究表明,PHE 源自介电米氏球单次散射中的法拉第旋转 [3],并在纯电偶极耦合区域(瑞利区域)中消失。因此,PHE 不会发生在原子的单次光散射中,而是由多次散射 [4] 或电偶极跃迁与更高的多极子发生干涉时产生的 [5]。在最近的文献中,人们发现了许多或多或少相关的效应,例如光子自旋霍尔效应 [6–8]、光的量子自旋霍尔效应 [9]、声子霍尔效应 [10]、等离子体霍尔效应 [11] 甚至其他光子霍尔效应 [12]。在具有中心光源的散射介质中,沿 z 轴施加均匀磁场 B 0 时,PHE 表现为绕场线旋转的电流。与 PHE 相关的坡印廷矢量由 S PHE = DH b B 0 × ∇ ρ ( r , t ) 给出,其中 ρ ( r , t ) 为电磁能量密度,DH ( B 0 ) 为霍尔扩散常数,其符号由法拉第旋转方向决定。最简单的情况是考虑一个点源 P ( r , t ) = P ( t ) δ ( r ),将功率 P 注入扩散常数为 D 的无限扩散介质中。对于单次能量为 W 的辐射,P ( t ) = Wδ ( t ),我们可以代入扩散方程的著名解,得到: