摘要:在这项工作中,结合了块共聚物光刻和超低能离子植入,以获得高浓度的磷原子的纳米伏算,该磷原子在P型硅底物中定期处置在宏观区域上。高剂量的植入掺杂剂会授予硅底物的局部非晶化。在这种情况下,磷磷通过植入区域的固相外延再生(SPER)激活,并具有相对较低的温度热处理,以防止磷原子扩散并保留其空间定位。在此过程中,监测样品(AFM,SEM),硅底物(UV拉曼)的结晶度以及磷原子的位置(STEMEDX,TOF-SIMS)的位置。静电势(KPFM)和掺杂剂激活时样品表面的电导率(C-AFM)图与模拟的I-V特性兼容,这表明存在一个不理想的阵列,但工作p-n纳米结构。所提出的方法为进一步研究的可能性铺平了道路,该方法通过改变自组装的BCP膜的特征性维度来调节纳米级硅底物内的掺杂剂分布。关键字:块共聚物,离子植入,掺杂,硅,PS-B-PMMA■简介
i. 实验室中的静电危害 易燃和可燃液体的流动会引起静电积聚。当电荷积聚到一定程度时,会产生火花,并可能导致火灾或爆炸。发生这种情况的可能性取决于液体的导电性、闪点和产生静电的能力。 当液体从一个金属容器转移到另一个金属容器时,会产生静电。液体在倾倒、泵送或搅拌过程中与其他材料接触时会产生静电。这种静电的积聚会在溶剂流出容器的地方形成火花。这可能会导致火灾或爆炸。 ii. 避免静电的程序 为避免可能引起火花的静电积聚,必须将金属容器接地,尤其是容量较大的容器,例如 55 加仑桶或 5 加仑容器。接地消除了两个容器之间的电势,因此消除了产生火花的可能性。接地线连接到两个导电物体,如下图所示。接地消除了导电物体和地面之间的静电势电荷差。接地是通过将导电物体直接连接到地面来实现的,通常使用冷水铜管、建筑钢材或接地母线/排。接地和接地需要良好的电气连接。清除任何污垢、油漆或铁锈,确保金属与金属接触。接地线和接地线和夹子有多种款式和长度。
摘要 本文对氨-氧-氮-水混合物中的流光进行了自洽一维建模。开发并验证了一种包含物质输运、静电势和详细化学性质的流体模型。然后使用该模型模拟由纳秒电压脉冲驱动、在不同热化学条件下由一维层流预混氨-空气火焰产生的雪崩、流光形成和传播阶段。成功证实了 Meek 标准在预测流光起始位置方面的适用性。由于电离率不同,流光形成和传播持续时间随热化学条件的不同而存在显著差异。热化学状态还影响击穿特性,通过保持背景减小电场恒定来测试击穿特性。详细的动力学分析揭示了 O(1 D)在关键自由基(如 O、OH 和 NH 2 )生成中的重要性。此外,还报道了 NH 3 的解离电子激发对 H 和 NH 2 自由基产生的贡献。不同热化学状态下各种非弹性碰撞过程的电子能量损失分数的空间和时间演变揭示了燃料解离所消耗的输入等离子体能量以及雪崩和流光传播阶段主要过程的巨大变化。本研究报告的方法和分析对于开发用于氨点火和火焰稳定的受控纳秒脉冲非平衡等离子体源的有效策略至关重要。
尽管有破纪录的设备,但人们对钙钛矿太阳能电池的界面仍然了解甚少,这阻碍了进一步的发展。它们的混合离子-电子性质导致界面处的成分变化,这取决于外部施加偏压的历史。这使得难以准确测量电荷提取层的能带排列。因此,该领域通常采用反复试验的过程来优化这些界面。当前的方法通常是在真空和不完整的电池中进行的,因此值可能无法反映工作设备中的值。为了解决这个问题,开发了一种脉冲测量技术,用于表征功能设备中钙钛矿层上的静电势能降。该方法重建了一系列稳定偏压的电流-电压 (JV) 曲线,在随后的快速电压脉冲期间保持离子分布“静态”。观察到两种不同的状态:在低偏压下,重建的 JV 曲线呈“s 形”,而在高偏压下,则返回典型的二极管形曲线。使用漂移扩散模拟,证明了两种状态的交集反映了界面处的能带偏移。这种方法有效地允许在照明下测量完整设备中的界面能级排列,而无需昂贵的真空设备。
在Pichia Pastoris中均拟定了Bjerkandera adusta菌株UAMH 8258 8258编码碳水化合物酯酶(指定为baces I)的新基因。该基因具有1410 bp的开放式阅读框,编码了470个氨基酸残基的多肽,前18个用作分泌信号肽。同源性和系统发育分析表明,Bacesi属于碳水化酯酶家族4。蛋白质和正常模式分析的三维模型揭示了可能与酯酶活性相关的活性位点的呼吸模式。此外,该酶的总体负静电电位表明它会降解中性底物,并且不会作用于诸如肽 - 甘氨酸或P-硝基苯酚衍生物等阴性底物上。酶在2-乙酸乙酸萘酯上显示出1.118 U mg 2 1蛋白的特异性活性。从静电势数据提出的P-亚硝基苯酚衍生物上未检测到活性。通过测量包括多种底物的乙酸释放,包括燕麦Xylan,虾壳壳蛋白,N-乙酰葡萄糖胺和天然底物,如甘蔗和糖甘蔗和草等天然底物,确认了重组Bacesi的脱乙酰化活性。这使得蛋白质对生物纤维生产行业的蛋白质非常有趣,从木质纤维素材料和壳蛋白产生壳聚糖。
摘要 基于四颗磁层多尺度航天器穿越地球弓形激波期间的高时间分辨率数据,评估了无碰撞等离子体激波前沿等离子体熵的演变和等离子体能量重新分布的过程。将离子分布函数分离为激波附近具有不同特征行为的群体:上游核心群体、反射离子、回旋离子、激波附近捕获的离子和下游核心群体。分别确定了这些群体的离子和电子矩值(密度、体积速度和温度)。结果表明,随着静电势的增加,太阳风核心群体体积速度主要在斜坡处减慢,而不是像假设的那样在足部区域减慢。反射离子群体决定了足部区域的性质,因此足部区域的质子温度峰值是不同离子群体相对运动的结果,而不是任何离子群体热速度的实际增加。评估的离子熵表明,激波的整个过程中出现了显著的增加:离子熵的增强发生在激波前沿的脚部和斜坡处,反射离子与上游太阳风离子一起出现,各向异性不断增加,产生了离子尺度静电波的爆发。激波的电子熵没有显示出显著的变化:电子加热几乎是绝热的。统一天文学词库概念:太阳风 ( 1534 ) ;行星弓形激波 ( 1246 )
量子电子器件,例如量子点接触 (QPC) 和量子点,因具有电自旋控制的潜力而引起了人们对自旋电子学和量子信息处理应用的极大研究兴趣 1–6。这些器件可能构成未来量子电路的构建块,例如基于大量相同量子点使用 QPC 作为电荷传感器的量子比特阵列。为了实现大规模可制造性,首先必须建立可重复性,使得集成电路中的每个组件具有相同的工作参数。传统上,调制掺杂结构已用于量子电子器件,因为其易于制造。然而,随机分布的电离供体的背景静电势大大降低了可重复性 7,8。这种内在的可变性可以通过利用完全未掺杂的结构来避免,通过对金属顶栅施加适当的偏置将电荷载流子限制在异质界面处 9-12 。这些结构有许多优点,包括提高迁移率 13 、提高热循环特性 14 ,以及我们将在这里展示的量子传输特性的优越性。量子点接触是连接两个二维储层的窄一维通道,是最简单的栅极定义量子装置类型,使其成为研究可重复性 7,15,16 的理想选择。我们首先问一个问题:如果在同一晶圆上制造几个相同的装置,它们会表现出相同的行为吗?为了研究这个问题,我们在调制掺杂和未掺杂的晶圆上制造了 18 个名义上相同的 QPC,并观察定义和夹断一维通道所需的栅极偏置。我们还研究了 QPC 通道内电导量子化和静电势的均匀性,以及热循环下的可重复性。为了进行比较,我们还研究了空穴 QPC 中的可重复性。基于 III-V 半导体系统的空穴量子器件最近引起了广泛关注,因为它们
开发了一种新的基于物理的模型,该模型可以准确预测从温度限制 (TL) 到全空间电荷限制 (FSCL) 区域的热电子发射发射电流。对热电子发射的实验观测表明,发射电流密度与温度 (J − T) (Miram) 曲线和发射电流密度与电压 (J − V) 曲线的 TL 和 FSCL 区域之间存在平滑过渡。了解 TL-FSCL 转变的温度和形状对于评估阴极的热电子发射性能(包括预测寿命)非常重要。然而,还没有基于第一原理物理的模型可以预测真实热电子阴极的平滑 TL-FSCL 转变区域,而无需应用物理上难以证明的先验假设或经验现象方程。先前对非均匀热电子发射的详细描述发现,3-D空间电荷、贴片场(基于局部功函数值的阴极表面静电势不均匀性)和肖特基势垒降低的影响会导致从具有棋盘格空间分布功函数值的模型热电子阴极表面到平滑的TL-FSCL过渡区域。在这项工作中,我们首次为商用分配器阴极构建了基于物理的非均匀发射模型。该发射模型是通过结合通过电子背散射衍射(EBSD)获得的阴极表面晶粒取向和来自密度泛函理论(DFT)计算的面取向特定的功函数值获得的。该模型可以构建阴极表面的二维发射电流密度图和相应的 J-T 和 J-V 曲线。预测的发射曲线与实验结果非常吻合,不仅在 TL 和 FSCL 区域,而且在 TL-FSCL 过渡区域也是如此。该模型提供了一种从商用阴极微结构预测热电子发射的方法,并提高了对热电子发射与阴极微结构之间关系的理解,这对真空电子设备的设计大有裨益。