机构名称：
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摘要：在这项工作中，结合了块共聚物光刻和超低能离子植入，以获得高浓度的磷原子的纳米伏算，该磷原子在P型硅底物中定期处置在宏观区域上。高剂量的植入掺杂剂会授予硅底物的局部非晶化。在这种情况下，磷磷通过植入区域的固相外延再生（SPER）激活，并具有相对较低的温度热处理，以防止磷原子扩散并保留其空间定位。在此过程中，监测样品（AFM，SEM），硅底物（UV拉曼）的结晶度以及磷原子的位置（STEMEDX，TOF-SIMS）的位置。静电势（KPFM）和掺杂剂激活时样品表面的电导率（C-AFM）图与模拟的I-V特性兼容，这表明存在一个不理想的阵列，但工作p-n纳米结构。所提出的方法为进一步研究的可能性铺平了道路，该方法通过改变自组装的BCP膜的特征性维度来调节纳米级硅底物内的掺杂剂分布。关键字：块共聚物，离子植入，掺杂，硅，PS-B-PMMA■简介
周期性的阵列符合人阵中的词 - 欧硫酸 - 能源...
主要关键词
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