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量子信息科学为计算、通信和传感的革命带来了巨大的希望。这些进步的核心是宽带隙半导体中的固态缺陷中心。缺陷中心是材料原子晶格中由各种因素引起的微小缺陷，包括缺失原子（空位）、通常处于空位位置的原子（间隙原子）以及材料成分中不固有的外来原子的存在。这些缺陷可能具有与之相关的特定自旋状态。这些离散的自旋能态可用作量子比特（量子位），用于存储和操纵信息。虽然与传统计算中的 0 和 1 的二进制系统相似，但量子位增加了叠加等独特行为，从而显著提高了信息密度。金刚石中的氮空位中心作为量子位的可能自旋缺陷，在固态量子信息处理领域引起了最多的关注。但是，碳化硅 (SiC) 是一种广受欢迎的宽带隙半导体，通常用于高功率电子和恶劣环境应用，作为量子平台也具有很大的前景。1
通过精密植入和分析设计 SiC 量子系统
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