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N.Gopalakrishnan 博士于 1997 年在钦奈安娜大学获得博士学位,研究方向为 III-V 族半导体的成核和生长动力学。获得博士学位后,他前往瑞典皇家理工学院进行博士后研究。后来,他在日本 KIT 和日本 AIST 从事博士后研究 3 年。他曾获得日本政府日本科学技术部颁发的著名 STA(即 JSPS)奖学金,在日本筑波 AIST 工作。之后,他还在韩国东义大学担任博士后研究员一年半。

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