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半导体技术不断向微米和亚微米尺度发展，从而提高了器件密度并降低了功耗。许多物理现象（如自热或电流泄漏）在这样的尺度下变得非常重要，而绘制电流密度图以揭示这些特征对于现代电子学的发展具有决定性作用。然而，先进的非侵入式技术要么灵敏度低，要么空间分辨率差，并且仅限于二维空间映射。在这里，我们使用金刚石中的近表面氮空位中心来探测预开发中的多层集成电路中电流产生的奥斯特场。我们展示了电流密度三维分量的重建，其幅度低至约 ≈ 10 μA/μm 2
集成电路活动的三维成像......
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