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ID5S605 是一款基于 P_SUB P_EPI 工艺的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。浮动通道驱动器可用于驱动半桥配置中的两个 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600 V。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，逻辑电压低至 3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。传输延迟经过匹配，以简化高频应用中的使用。
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