Loading...
机构名称:
¥ 1.0

带高 k 栅极堆栈的无结型圆柱形栅极 (dmdg-jlam-cgaa) MOSFET,适用于低功耗数字应用。2020 年 IEEE 第 17 届印度理事会国际会议 (INDICON)(第 1-4 页)。IEEE。[2]。Gupta, S.、Pandey, N. 和 Gupta, RS (2021)。双金属栅极堆栈工程的分析建模

苏梅达·古普塔女士

苏梅达·古普塔女士PDF文件第1页

相关文件推荐

2024 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2024 年
¥1.0