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薄膜硅锂（基于TFLN）的电气调节器由于其宽带宽度，高消光比和低光学损失，因此在宽带光学通信中具有广泛的应用。然而，与基于硅和磷酸二磷脂（INP）的同行相比，TFLN表现出较低的调制效率。同时达到低驾驶电压和广泛的调节带宽会带来重大挑战。为了解决此限制，本文提出了进入设备的透明导电氧化物，导致超高调制的效率为1.02 V cm。制造的复合电极不仅达到了高调制的效率，而且还具有高的电磁带宽，正如108 GHz时的3 dB rol-O摄取所证明的，PAM-4信号在224 GBIT S-1处得到了传播。制造的设备为低成本，高性能调节器提供了新颖的解决方案，从而促进了基于TFLN的多通道光学发射器芯片的缩小尺寸。
具有超高调制效率的薄膜锂调节剂
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