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晶圆级缩放微镜头应在诗人的Lightbar TM产品上制造，以验证芯片尺度量表的功率提高和生存能力。
主要关键词
![b'porous [13]或树突[14]生长形态。 [9]在基于TFSI的电解质中检测到具有不同形状的半球3D颗粒，这是施加电流密度的函数。 [12]在Mg（TFSI）2盐中，具有MGCL 2的盐电解质，作为添加剂，连续的剥离和镀金导致SEI层的破裂和改革，从而在相应的断裂部位和不均匀的MG沉积中产生较大的有效电流密度。 [13]通过这种机制，半球形沉积物进一步降解为多孔形态和被困的沉积物，这些沉积物是不可逆转地损失的。非均匀Mg生长的最极端形式是树突的形成，在Mg阳极下，其发生的频率要小得多。到目前为止，仅在0.921 MACM 2的电流密度下仅针对MEMGCL的0.5 MOLDM 3溶液检测到树突。 [14]'](/simg/c/c3a21c42650d3ccade33d4bd198406da2b5388b9.webp)
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
