通过调整材料，科学家创造了记忆晶体管
霍普金斯大学的研究人员揭示了电气开关的意外特性，可能会影响计算机内存
来源:约翰霍普金斯大学作者：Conner Allen
作者： Conner Allen / 发布时间： 一天前约翰霍普金斯大学材料科学家团队发现了一项惊人的发现，这可能会改变电子产品中记忆的工作方式。通过调整有机材料逻辑开关（称为晶体管）中使用的材料，他们创造了一种新型的忆阻器 - 当电流通过时可以记住过去充电状态的设备 - 这表明开发模仿人类大脑工作方式的电子记忆系统的可能性。他们的研究结果发表在《高级功能材料》上。
高级功能材料 高级功能材料“最初，我们的目标是了解晶体管充电过程中发生的情况，”团队成员兼研究生 Riley Bond 说。 “我们希望精确定位这些晶体管中电荷被捕获的位置，并提高设备的整体充电能力，确保晶体管在增加电压时不会短路。”
关键要点
- 这一令人惊讶的发现表明，有可能开发出模仿人类大脑工作方式和形成记忆的电子记忆系统。该设备有朝一日可以减少云数据存储所消耗的大量能量
在惠廷工程学院材料科学与工程教授 Howard Katz 的带领下，该团队将一种名为二苯并四硫富瓦烯 (DBTTF) 的分子引入晶体管。这种分子在晶体管的绝缘层内形成晶体，研究人员预测电荷将存储在该层。在经过修改的晶体管上注入小电流后，他们注意到了意想不到的效果：晶体管保留了过去的电荷，表现出记忆能力，充当了忆阻器。
霍华德·卡茨 惠廷工程学院