为极快、紧凑的计算机内存铺平道路

德克萨斯州奥斯汀 — 几十年来，科学家一直在研究一组称为多铁性材料的特殊材料，这种材料可用于一系列应用，包括计算机内存、化学传感器和量子计算机。在《自然》杂志上发表的一项研究中，来自德克萨斯大学奥斯汀分校和马克斯普朗克物质结构与动力学研究所 (MPSD) 的研究人员证明，层状多铁性材料碘化镍 (NiI2) 可能是迄今为止速度极快、结构紧凑的设备的最佳候选材料。

发表于《自然》杂志 自然 ₂

多铁性材料具有一种称为磁电耦合的特殊属性，这意味着你可以用电场操纵材料的磁性，反之亦然，用磁场操纵材料的电性。研究人员发现 NiI2 的磁电耦合比任何已知同类材料都要大，使其成为技术进步的主要候选材料。

₂

“在原子级薄的碘化镍薄片上揭示这些效应是一项艰巨的挑战，”德克萨斯大学物理学博士后研究员、论文共同主要作者 Frank Gao 表示，“但我们的成功代表了多铁性材料领域的重大进步。”

“我们的发现为极快且节能的磁电设备（包括磁性存储器）铺平了道路，”该项目的另一位共同主要作者、研究生 Xinyue Peng 补充道。

电场和磁场是我们理解世界和现代技术的基础。在材料内部，电荷和原子磁矩可以以某种方式自我排序，使其属性相加，形成电极化或磁化。此类材料被称为铁电体或铁磁体，具体取决于这些量中的哪个处于有序状态。

₂

为了了解为什么 NiI2 中的磁电耦合比类似材料中的磁电耦合强得多，该团队进行了大量的计算。

_{2 2 2}