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工程师在硅芯片上实现量子点激光器的有效整合
直接在硅光子芯片上制造的激光器比外部激光源具有多个优点，例如更大的可伸缩性。此外，如果可以在标准的半导体铸造厂制造这些“单一”集成激光器的光子芯片，则可以在商业上可行。
来源:英国物理学家网首页直接在硅光子芯片上制造的激光器比外部激光源具有多个优点，例如更大的可伸缩性。此外，如果可以在标准的半导体铸造厂制造这些“单一”集成激光器的光子芯片，则可以在商业上可行。
III-V半导体激光器可以通过直接在硅底物上直接生长出激光材料的晶体层（例如砷化胺）来单体整合。但是，由于结构或III-V半导体材料和硅的结构或性质之间的不匹配，具有这种集成激光源的光子芯片对于制造而言是一项挑战。当生产单片集成激光器的光子芯片时，从激光源到硅波导转移到光子芯片中的硅波导期间的光功率损失是另一个问题。
激光 光子芯片在最近发表在《 Lightwave Technology杂志》上的一项研究中，来自美国加利福尼亚大学的Rosalyn Koscica博士，她的团队成功地将Arsenide Quantum Dot（QD）Lasers整合在硅光子片上。
轻波技术杂志 insenide根据Koscica博士的说法，“光子集成电路（PIC）应用程序要求具有较小的设备足迹的片上光源，以允许较密集的组件集成。”
“我们的综合QD激光器表现出高度的高温激光，在35°C的温度下运行，寿命为6.2年，” Koscica博士说。
集成 更多信息： doi：10.1109/jlt.2025.3555555