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内存技术的进步可以让英特尔回归本源
在运行 AI 工作负载时，Z-Angle Memory 的性能优于 HBM。
来源:OSP网站大数据新闻英特尔宣布与日本 Saimemory 合作开发 Z-Angle Memory (ZAM)，旨在打造下一代内存技术，以满足人工智能和高性能计算日益增长的需求。
SoftBank 子公司 Saimemory 正在开发一种多层 DRAM 内存架构，该架构将显着提高容量、降低功耗并简化芯片封装。 Saimemory 的技术堆栈基于能源部研发计划和美国国家核安全管理局支持的基础开发。作为协议的一部分，英特尔将作为技术、创新和标准化合作伙伴，Saimemory 将提供技术并将 ZAM 商业化。计划于 2026 年第一季度开始工作，2027 年生产原型，2030 年销售。
ZAM 这个名称与半导体行业中使用的高度（Z 高度）概念相关，它表征了多层结构的厚度。此外，与高性能 HBM 存储器中的直接垂直互连不同，ZAM 存储器使用倾斜的“Z 形”互连，以较低的功耗提高密度和容量。此前，英特尔已经证实了多层内存概念的有效性，并提出了一种组装内存芯片的垂直布局技术——下一代DRAM Bonding（NGDB），该技术将用于ZAM。
由于 DRAM 和闪存/SSD 的短缺持续有增无减，制造商预计这两个市场将持续数月甚至数年。 12月初，美光宣布结束向消费者直接销售DRAM，金士顿警告称近期将提价。在最近举行的 Cisco AI Summit 2026 上，英特尔首席执行官 Lip-Bu Tan 预测，由于 AI 的蓬勃发展，DRAM 和 NAND 的短缺至少要持续到 2028 年。